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1. 发明专利

JP2019055901A III−V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019055901A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2017181815
申请日：2017-09-21
申请人：国立大学法人大阪大学 , 株式会社ディスコ
发明人：森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸 , 森數洋司 , 田畑晋 , 諸徳寺匠
IPC分类号： C30B19/04 , C30B19/12 , C30B25/18 , C23C16/34 , C23C16/01 , H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】 III−V族化合物結晶を基板から分離する(剥離させる)ことが容易なIII−V族化合物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にIII−V族化合物種結晶12aが形成された種結晶形成基板を提供する種結晶形成基板提供工程と、 III−V族化合物種結晶12aの、基板11と接触している部分の一部を基板11から分離させる種結晶一部分離工程と、前記種結晶一部分離工程後に、III−V族化合物種結晶12aを核としてIII族元素とV族元素とを反応させることによって、III−V族化合物結晶12を生成させ成長させる結晶成長工程と、を含むことを特徴とするIII−V族化合物結晶の製造方法。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6549014B2 光デバイスウエーハの加工方法有权
公开(公告)号：JP6549014B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2015202320
申请日：2015-10-13
申请人：株式会社ディスコ
发明人：諸徳寺匠 , 武田昇 , 桐原直俊
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/55 , H01L21/301

3. 发明专利

JP6506137B2 貼り合せ基板の加工方法有权
公开(公告)号：JP6506137B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2015160568
申请日：2015-08-17
申请人：株式会社ディスコ
发明人：諸徳寺匠 , 荒川太朗
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/55 , H01L21/301

4. 发明专利

JP6440977B2 レーザー加工装置有权
公开(公告)号：JP6440977B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2014138483
申请日：2014-07-04
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 田畑晋 , 小柳将 , 村澤尚樹 , 芳野知輝 , 諸徳寺匠
IPC分类号： G01N21/958 , G01M11/00 , B23K26/00

5. 发明专利

JP2017191851A ウエーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017191851A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016080348
申请日：2016-04-13
申请人：株式会社ディスコ
发明人：武田昇 , 諸徳寺匠
IPC分类号： B23K26/55 , B23K26/02 , H03H9/145 , H01L21/301
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/67092 , H01L21/681 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H01L41/338 , H03H3/08 , H03H9/02535
摘要：【課題】本発明の解決すべき課題は、ウエーハの裏面側から分割予定ラインを正確に検出してウエーハを個々のデバイスに分割することが可能なウエーハの加工方法を提供することにある。【解決手段】本発明によれば、分割予定ラインによって区画され複数のデバイスが複屈折性を有する結晶構造からなる基板の表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの裏面から撮像手段によって表面に形成された分割予定ラインを検出する検出工程と、該検出された分割予定ラインに対応する裏面からレーザー光線を照射して分割の起点を形成する分割起点形成工程と、該ウエーハに外力を付与して個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、該検出工程において、該撮像手段に備えられた撮像素子と結像レンズとを結ぶ光軸上に配設された偏光子が該基板内で複屈折して現れる異常光を遮断すると共に、通常光を該撮像素子に導くウエーハの加工方法が提供される。【選択図】図4

6. 发明专利

JP6665020B2 分割工具、および分割工具の使用方法有权
公开(公告)号：JP6665020B2
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：JP2016094297
申请日：2016-05-10
申请人：株式会社ディスコ
发明人：芳野知輝 , 諸徳寺匠 , 朴木鴻揚
IPC分类号： B28D5/00

7. 发明专利

JP2017076713A ウエーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017076713A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2015203812
申请日：2015-10-15
申请人：株式会社ディスコ
发明人：諸徳寺匠 , 桐原直俊
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/55 , H01L21/301
摘要：【課題】本発明は、シールドトンネル形成工程において、サファイア基板の裏面に至るクラックを垂直に形成するためのウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、シールドトンネル形成工程は、第一の加工ステップと第二の加工ステップとを含み、該第二の加工ステップは、レーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する領域に位置付けて照射しシールドトンネルの端部を裏面に露出させないでシールドトンネルを形成するとともにシールドトンネルの端部からウエーハの裏面に至るクラックを生成する加工を施し、該第一の加工ステップは、該第二の加工ステップに先立ち、第二の加工ステップにおけるレーザー光線の出力よりも弱いレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する領域に位置付けて照射し、該第二の加工ステップにおいて形成される該クラックを該裏面に対して垂直に導く予備加工層を形成するレーザー加工方法が提供される。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2017073443A 光デバイスウエーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017073443A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2015198571
申请日：2015-10-06
申请人：株式会社ディスコ
发明人：大庭龍吾 , 諸徳寺匠 , 桐原直俊
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/55 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01S5/0202 , B23K2203/56 , H01L25/0753 , H01L2933/0033 , H01L33/0066 , H01L33/62 , H01S5/32341
摘要：【課題】サファイア基板の表面に積層される発光層にダメージを与えることなく、個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】サファイア基板2に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点Pをサファイア基板の裏面側2bから内部に位置付けて分割予定ラインに対応する領域に沿って照射し細孔211と細孔をシールドする非晶質212とを成長させてシールドトンネル21を分割予定ラインに対応する領域に沿って形成し、サファイア基板の表面に発光層を積層して光デバイスウエーハを形成し、外力を付与し分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する。【選択図】図3

9. 发明专利

JP2016171214A 単結晶基板の加工方法审中-公开
标题翻译：单晶基板的加工方法
公开(公告)号：JP2016171214A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049985
申请日：2015-03-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：森數洋司 , 武田昇 , 諸徳寺匠
IPC分类号： C30B33/00 , B23K26/00 , B23K26/55 , H01L21/304 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：【課題】単結晶基板に設定された分割予定ラインに沿って効率よく、適正なレーザー加工を施すことができる単結晶基板の加工方法を提供する。【解決手段】単結晶基板を設定された分割予定ラインに沿って分割する単結晶基板の加工方法であって、単結晶基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、細孔と細孔をシールドする非晶質とからなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、シールドトンネル形成工程の前または後に、単結晶基板に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、シールドトンネル形成工程および保護部材貼着工程が実施された単結晶基板の保護部材を研削装置のチャックテーブルに保持し、単結晶基板の裏面を研削して単結晶基板を所定の厚みに形成するとともにシールドトンネルが形成された分割予定ラインに沿って分割する研削工程とを含む。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够沿着设置在单晶衬底上的分割计划线来有效地执行适合的激光处理的单晶衬底处理方法。解决方案：用于沿着一个分割单元分割单晶衬底的单晶衬底处理方法时间表线包括：屏蔽隧道形成步骤，用于沿分割时间表向单晶基板施加具有透射波长的脉冲激光束，并形成由孔和非晶形组成的屏蔽通道，用于沿分割时间表线屏蔽孔; 保护构件粘贴步骤，用于在屏蔽隧道形成步骤之前或之后将保护构件粘附到单晶衬底; 以及研磨工序，用于将在屏蔽隧道形成工序中加工的单晶衬底的保护部件和保护部件粘贴工序保持在研磨装置的卡盘台上，研磨单晶衬底的背面，形成单晶基板，并且沿着形成有屏蔽隧道的分割计划行分割单晶基板。图示：图6

10. 发明专利

JP2016016407A レーザー加工装置审中-公开
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：JP2016016407A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014138483
申请日：2014-07-04
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 田畑晋 , 小柳将 , 村澤尚樹 , 芳野知輝 , 諸徳寺匠
IPC分类号： G01N21/958 , G01M11/00 , B23K26/00
摘要：【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、レーザー光による加工精度を維持すること。【解決手段】集光レンズの良否判定するレンズ判定手段(3)を備え、レンズ判定手段を、基準テーブル(33)と、集光レンズ(23)を検査する検査光を発光する検査光発光部(31)と、検査光発光部から発光される検査光をハーフミラー(32)と、ハーフミラーで分割され、基準テーブル上の第1の板状ミラー(34)で反射した第1の検査光を受光して撮像する撮像素子(361)を有する撮像部(36)と、ハーフミラーで分割された第2の検査光を集光レンズを透過させ、加工テーブル上の第2の板状ミラー(35)で反射した第2の検査光を撮像素子で受光させ、撮像素子が受光する第1の検査光と第2の検査光とによる干渉縞画像によって集光レンズの良否判定する判定部(37)とで構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过激光束来保持加工精度，同时抑制制造成本的上升。解决方案：激光加工装置包括透镜确定装置（3），其执行聚光透镜的质量确定，并且透镜确定装置由标准台（33），发出用于检查聚光透镜（23）的检查光的检查光发射部分（31），将检查光发射部分发射的检查光分开的半反射镜（32）和具有摄像元件（361）的图像摄取部（36），其接收由半反射镜分隔并由标准台上的第一平面镜（34）反射的第一检查光，并执行图像拍摄和确定部（ 37），其使聚光透镜转移由半反射镜分开的第二检查光，使得摄像元件接收由第二平面mir反射的第二检查光 ror（35），并且通过第一检查光和由摄像元件接收的第二检查光，根据干涉条纹图像进行聚光透镜的质量判定。图1

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