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1. 发明专利

JP2014227063A バラスト水処理装置およびバラスト水管理システム审中-公开
标题翻译：压载水处理设备和压载水管理系统
公开(公告)号：JP2014227063A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013108767
申请日：2013-05-23
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： INOE HIROKI , HARADA RYUJI , MIYATAKE KENICHIRO
IPC分类号： B63B13/00 , B01D29/07 , B01D29/62 , B01D29/66 , C02F1/32
CPC分类号： C02F1/32 , B01D29/6438 , B63J4/002 , C02F1/004 , C02F1/325 , C02F2103/008 , C02F2103/08 , C02F2201/32 , C02F2201/326 , C02F2209/006 , C02F2209/40 , C02F2301/043 , C02F2303/04
摘要：【課題】バラスト水を取水する際におけるバラスト水の浄化処理能力を高めることが可能な技術を提供する。【解決手段】バラスト水処理装置101は、海水を濾過するためのフィルタを有する濾過装置2と、フィルタによって濾過された海水に紫外線を照射する紫外線照射装置3と、濾過装置2によって濾過された海水を紫外線照射装置3に供給するためのライン15と、濾過装置2に残留する海水を排出するためのライン16〜18と、ライン15に設けられたバルブ34と、紫外線照射装置3から出た海水をバラストタンク5に供給するためのライン19〜21と、制御装置111,112とを備える。制御装置111,112は、濾過装置2によって濾過された海水を紫外線照射装置3に供給するのに先立ち、バルブ34を閉じて濾過装置2に導入される海水を用いてフィルタを洗浄する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高压载水时的压载水净化能力的技术。解决方案：压载水处理装置101包括：过滤器装置2，具有用于过滤海水的过滤器; 将紫外线照射到由过滤器过滤的海水中的紫外线照射装置3; 用于将由过滤装置2过滤的海水供给到紫外线照射装置3的管线15; 用于排出残留在过滤装置2中的海水的管线16-18; 设置在管线15中的阀34; 用于将从紫外线照射装置3排出的海水供给到压载箱5的管线19-21; 在将由过滤装置2过滤的海水供给到紫外线照射装置3之前，控制装置111,112关闭阀34，并将引入到过滤装置2中的海水进行清洗。

2. 发明专利

JP2011254051A Silicon carbide substrate manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, silicon carbide substrate and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：硅碳化硅基板制造方法，半导体器件制造方法，碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011254051A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：JP2010128841
申请日：2010-06-04
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , MASUDA TAKEYOSHI , WADA KEIJI , INOE HIROKI , NISHIGUCHI TARO , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO , HORII TAKU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/2007 , H01L21/3247 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide substrate manufacturing method, a semiconductor device manufacturing method, a silicon carbide substrate and a semiconductor device which together make it possible to reduce the manufacturing cost of a semiconductor device using a silicon carbide substrate.SOLUTION: The silicon carbide substrate manufacturing method comprises: a step of preparing a base substrate 10 and a SiC substrate 20; a step of producing a multilayer substrate by stacking the base substrate 10 and the SiC substrate 20 one on top of the other; a step of producing a joined substrate 3 by heating the multilayer substrate; a step of heating the joined substrate 3 so that the temperature of the base substrate 10 is higher than that of the SiC substrate 20, thereby causing voids 30 formed in a junction interface 15 to move in the thickness direction of the jointed substrate 3; and a step of removing a region including a principal plane 10B of the base substrate 10 on the opposite side of the SiC substrate 20 to remove the voids 30.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种可以降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本的碳化硅衬底制造方法，半导体器件制造方法，碳化硅衬底和半导体器件。解决方案：碳化硅衬底制造方法包括：准备基底衬底10和SiC衬底20的步骤; 通过将基底基板10和SiC基板20一个层叠在一起而制造多层基板的工序; 通过加热多层基板来制造接合基板3的工序; 加热接合基板3使得基底基板10的温度高于SiC基板20的温度的步骤，从而使形成在接合界面15中的空隙30在接合基板3的厚度方向上移动; 以及在SiC基板20的相对侧移除包括基板10的主面10B的区域以除去空隙30的步骤。（C）2012，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2011243617A Manufacturing method of silicon carbide substrate, manufacturing method of semiconductor device, and silicon carbide substrate and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011243617A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010111972
申请日：2010-05-14
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NISHIGUCHI TARO , SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , OKITA KYOKO , INOE HIROKI , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02529 , B32B9/00 , B32B13/04 , B32B2307/202 , B32B2307/732 , B32B2457/14 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02631 , H01L21/046 , H01L21/049 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide substrate, a manufacturing method of a semiconductor device, and a silicon carbide substrate and a semiconductor device capable of reducing manufacturing costs of a semiconductor device using a silicon carbide substrate.SOLUTION: The manufacturing method of a silicon carbide substrate 1 includes: a process where a base substrate 10 composed of silicon carbide and an SiC substrate 20 composed of single crystal silicon carbide are prepared; a process where a multilayer substrate is formed by placing the SiC substrate 20 so as to contact to a principal surface 10A of the base substrate 10; and a process where the base substrate 10 and the SiC substrate 20 are joined by heating the multilayer substrate in a crucible 50 to the temperature range higher than sublimation temperature of the silicon carbide which constitutes the base substrate 10. In the process where the base substrate 10 and the SiC substrate 20 are joined, a silicon carbide body 91 composed of silicon carbide, which is different from the base substrate 10 and the SiC substrate 20, is placed in the crucible 50.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅衬底的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅衬底以及能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本的半导体器件。解决方案：碳化硅衬底1的制造方法包括：制备由碳化硅构成的基底衬底10和由单晶碳化硅构成的SiC衬底20的工艺; 通过将SiC基板20放置成与基底基板10的主面10A接触而形成多层基板的工序; 以及通过将坩埚50中的多层基板加热到高于构成基底基板10的碳化硅的升华温度的温度范围来接合基板10和SiC基板20的工序。在基板 10和SiC衬底20接合，将由碳化硅组成的与基底衬底10和SiC衬底20不同的碳化硅体91放置在坩埚50中。（C）2012， JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2012089613A Method of manufacturing composite substrate having silicon carbide substrate 审中-公开
标题翻译：制造具有碳化硅基板的复合基板的方法
公开(公告)号：JP2012089613A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010233721
申请日：2010-10-18
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： HORI TSUTOMU , HARADA MAKOTO , SASAKI MAKOTO , INOE HIROKI , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO , ITO SATOMI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress process variation caused by a gap between silicon carbide substrates in the manufacturing process of a semiconductor device using a composite substrate having silicon carbide substrates.SOLUTION: A bonded substrate having a support 30 and first and second silicon carbide substrates 11, 12 is prepared. The first silicon carbide substrate 11 has a first rear surface bonded to the support 30, a first surface facing the first rear surface, and a first side surface connecting the first rear surface and the first surface. The second silicon carbide substrate 12 has a second rear surface bonded to the support 30, a second surface facing the second rear surface, and a second side surface connecting the second rear surface and the second surface and forming a gap between the first side surface and itself. A filling part 40 which fills the gap is formed. The first and second surfaces are then polished, and then the filling part 40 is removed. Thereafter, a closing part for closing the gap is formed.
摘要翻译：要解决的问题：在使用具有碳化硅衬底的复合衬底的半导体器件的制造工艺中抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。解决方案：制备具有支撑体30和第一和第二碳化硅衬底11,12的键合衬底。第一碳化硅基板11具有接合到支撑件30的第一后表面，面向第一后表面的第一表面和连接第一后表面和第一表面的第一侧表面。第二碳化硅基板12具有接合到支撑件30的第二后表面，面向第二后表面的第二表面和连接第二后表面和第二表面的第二侧表面，并且在第一侧表面和第二表面之间形成间隙本身。形成填充间隙的填充部40。然后抛光第一和第二表面，然后移除填充部分40。此后，形成用于封闭间隙的封闭部分。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2012089612A Composite substrate having silicon carbide substrate 审中-公开
标题翻译：具有碳化硅基体的复合基板
公开(公告)号：JP2012089612A
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：JP2010233715
申请日：2010-10-18
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： HORI TSUTOMU , HARADA MAKOTO , INOE HIROKI , SASAKI MAKOTO , ITO SATOMI , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite substrate in which dust can be prevented from being left in the gap between a plurality of silicon carbide substrates that make up the composite substrate.SOLUTION: A first silicon carbide substrate 11 has a first rear surface B1 bonded to a support 30, a first surface T1 facing the first rear surface B1, and a first side surface S1 connecting the first rear surface B1 and the first surface T1. A second silicon carbide substrate 12 has a second rear surface B2 bonded to the support 30, a second surface T2 facing the second rear surface B2, and a second side surface S2 connecting the second rear surface B2 and the second surface T2 and forming a gap GP between the first side surface S1 and itself. A closing part 21 is closing the gap GP.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以防止灰尘留在构成复合基板的多个碳化硅基板之间的间隙中的复合基板。解决方案：第一碳化硅基板11具有接合到支撑件30的第一后表面B1，与第一后表面B1相对的第一表面T1和连接第一后表面B1和第一表面B1的第一侧表面S1 T1。第二碳化硅衬底12具有接合到支撑件30的第二后表面B2，面向第二后表面B2的第二表面T2和连接第二后表面B2和第二表面T2的第二侧表面S2，并形成间隙 GP在第一侧面S1和本身之间。关闭部分21关闭间隙GP。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2011243640A Manufacturing method of silicon carbide substrate, manufacturing method of semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法，半导体器件的制造方法，碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011243640A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010112180
申请日：2010-05-14
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NISHIGUCHI TARO , SASAKI MAKOTO , HARADA MAKOTO , OKITA KYOKO , INOE HIROKI , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02529 , C30B23/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide substrate, a manufacturing method of a semiconductor device, a silicon carbide substrate, and a semiconductor device capable of realizing reduction of manufacturing cost of the semiconductor device using the silicon carbide substrate.SOLUTION: A manufacturing method of a silicon carbide substrate 1 includes the steps of: preparing an SiC substrate 20 consisting of single crystal silicon carbide; arranging a base substrate 10 so that it faces one principal plane 20B of the SiC substrate 20 in a crucible 80; and forming a base layer 10 consisting of silicon carbide so as to contact the one principal plane 20B of the SiC substrate 20 by heating the base substrate 10 in a temperature range which is higher than a sublimation temperature of the silicon carbide constituting the base substrate 10 in the crucible 80. In the step of forming the base layer 10, gas including silicon is introduced in the crucible 80.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种碳化硅衬底的制造方法，半导体器件的制造方法，碳化硅衬底和能够实现使用硅的半导体器件的制造成本的降低的半导体器件碳化物基体。解决方案：碳化硅衬底1的制造方法包括以下步骤：制备由单晶碳化硅构成的SiC衬底20; 将基底基板10布置成在坩埚80中面向SiC基板20的一个主平面20B; 并且通过在高于构成基底基板10的碳化硅的升华温度的温度范围内加热基底基板10而形成由碳化硅构成的基底层10，以与SiC基板20的一个主平面20B接触在坩埚80的形成步骤中，包括硅的气体被引入坩埚80中。（C）2012年，JPO和INPIT

7. 发明专利

JP2011243619A Manufacturing method of silicon carbide substrate, manufacturing method of semiconductor device, and silicon carbide substrate and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2011243619A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010111977
申请日：2010-05-14
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NISHIGUCHI TARO , HARADA MAKOTO , INOE HIROKI , SASAKI MAKOTO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , C30B23/00 , C30B23/066 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/7802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon carbide substrate, a manufacturing method of a semiconductor device, and a silicon carbide substrate and a semiconductor device capable of reducing manufacturing costs of a semiconductor device using a silicon carbide substrate.SOLUTION: The manufacturing method of a silicon carbide substrate 1 includes; a process where an SiC substrate 20 composed of single crystal silicon carbide is prepared; a process where a base substrate 10 is placed so as to contact to a principal surface 20B of one side of the SiC substrate 20 in a crucible 70; and a process where a base layer 10 composed of silicon carbide is formed so as to contact to the principal surface 20B of the one side of the SiC substrate 20 by heating the base substrate 10 to the temperature range higher than sublimation temperature of the silicon carbide which constitutes the base substrate 10. In the process where the base layer 10 is formed, a silicon source 91 composed of materials including silicon, which is different from the SiC substrate 20 and the base substrate 10, is placed in the crucible 70.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅衬底的制造方法，半导体器件的制造方法和碳化硅衬底以及能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本的半导体器件。解决方案：碳化硅衬底1的制造方法包括：制备由单晶碳化硅构成的SiC衬底20的工序; 将基底基板10配置成与坩埚70内的SiC基板20的一侧的主面20B抵接的工序; 并且通过将基底基板10加热到高于碳化硅的升华温度的温度范围，形成由碳化硅构成的基底层10以与SiC基板20的一侧的主面20B接触的工序其构成基底基板10.在形成基底层10的工艺中，将由SiC衬底20和基底衬底10不同的包括硅的材料构成的硅源91置于坩埚70中。 P>版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2014227107A バラスト水管理システム有权
标题翻译：压力水管理系统
公开(公告)号：JP2014227107A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013109732
申请日：2013-05-24
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： INOE HIROKI , HARADA RYUJI , MIYATAKE KENICHIRO
IPC分类号： B63B13/00 , C02F1/00
摘要：【課題】複数の設定装置を備えたバラスト水管理システムを適切に制御するための技術を提供する。【解決手段】バラスト水管理システム100において、制御装置111と制御装置112との間でバラスト水管理システム100の動作モードの設定が一致する場合には、バラスト水管理システム100は、当該設定に従う動作モードでの動作を許可する。一方、制御装置111と制御装置112との間でバラスト水管理システム100の動作モードの設定が不一致の場合には、バラスト水管理システム100は、制御装置111と制御装置112とに設定された動作モードでの動作をいずれも不許可とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于适当地控制配备有多个设置装置的压载水管理系统的技术。解决方案：在压载水管理系统100中，当压载水管理系统100的操作模式的设置在控制装置111和控制装置112，压载水管理系统100允许通过设定后的运行模式进行运转，并且当压载水管理系统100的运转模式的设定在控制装置111与控制装置111之间不一致时，控制装置112，压载水管理系统100不允许通过控制装置111和控制装置112中设定的操作模式进行操作。

9. 发明专利

JP2014227064A バラスト水処理装置およびバラスト水管理システム有权
标题翻译：压载水处理设备和压载水管理系统
公开(公告)号：JP2014227064A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013108768
申请日：2013-05-23
申请人：住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： INOE HIROKI , HARADA RYUJI , MIYATAKE KENICHIRO
IPC分类号： B63B13/00 , B01D33/06 , C02F1/32
CPC分类号： C02F1/325 , B63B13/00 , B63J4/002 , C02F1/001 , C02F2103/008 , C02F2201/3227 , C02F2201/328 , C02F2209/005 , C02F2209/40 , C02F2301/043 , C02F2303/04
摘要：【課題】バラスト水が海域の生態系に影響を与える可能性を、より確実に低減するための技術を提供する。【解決手段】バラスト水処理装置101は、バラスト水を貯留するバラストタンク5からバラスト水を排出するための排出経路(ライン21,23,11,12,14,15,19,22)と、排出経路を通るバラスト水に紫外線を照射する紫外線照射装置3とを備える。バラスト水が排出経路を通ってバラストタンク5から排出される際に、紫外線照射装置3が紫外線をバラスト水に照射する。これによりバラスト水中の微生物を殺滅することができる。バラスト水を排出する直前にバラスト水の浄化処理を行なうことができるので、海域の生態系に影響を与える可能性を、より確実に低減することができる。【選択図】図23
摘要翻译：要解决的问题：提供一种确保降低通过压载水对海域对生态系统产生影响的可能性的技术。解决方案：压载水处理装置101包括排出路径（管线21,23,11,12， 14，15，19，22），用于从存放压载水的压载舱5排出压载水;以及紫外线照射装置3，对经过排出路径的压载水照射紫外线。当压载水通过排放路径从压载舱5排出时，紫外线照射装置3将紫外线照射到压载水，由此可以杀死压载水中的微生物。由于可以在压载水排出之前立即执行压载水净化，因此可以更可靠地减少对海域生态系统产生影响的可能性。

10. 发明专利

JP2012004494A Manufacturing method and manufacturing apparatus of silicon carbide substrate 审中-公开
标题翻译：碳化硅基板的制造方法和制造方法
公开(公告)号：JP2012004494A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：JP2010140768
申请日：2010-06-21
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： INOE HIROKI , HARADA MAKOTO , SASAKI MAKOTO , NISHIGUCHI TARO , OKITA KYOKO , NAMIKAWA YASUO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02667 , H01L21/7602 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a silicon carbide substrate for efficiently manufacturing the silicon carbide substrate.SOLUTION: The manufacturing method includes: a step of providing a laminated body TX laminating a first single crystal substrate group 10a, a first base substrate 30a, an inserted part 60X, a second single crystal substrate group 10b and a second base substrate 30b in one direction in this order so that each of the first single crystal substrate group 10a and the first base substrate 30a face each other, and each of the second single crystal substrate group 10b and the second base substrate 30b face each other. Then the laminated body TX is heated so that a temperature of the laminated body TX reaches a temperature at which silicon carbide can be sublimated, and a temperature gradient in the laminated body TX is created to increase the temperature in that direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于有效地制造碳化硅衬底的碳化硅衬底的制造方法和制造装置。解决方案：制造方法包括：提供层压第一单晶衬底组10a，第一基底30a，插入部60X，第二单晶衬底组10b和第二基底衬底的叠层体TX的步骤 30b，使得第一单晶衬底组10a和第一衬底30a中的每一个彼此面对，并且第二单晶衬底组10b和第二衬底30b中的每一个彼此面对。然后，层叠体TX被加热，使得层叠体TX的温度达到碳化硅可以升华的温度，并且产生层叠体TX中的温度梯度以增加该方向的温度。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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