专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2016519847A 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、並びにディスプレイ审中-公开
标题翻译：一种薄膜晶体管及其制造方法，所述阵列基板，以及显示
公开(公告)号：JP2016519847A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2016503517
申请日：2013-07-02
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. , 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd.
发明人：翔 ▲劉▼ , 翔 ▲劉▼ , ▲剛▼ 王 , ▲剛▼ 王 , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要：本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びにディスプレイを提供する。薄膜トランジスタは、基板、基板上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層と、ゲート電極と半導体層との間にあり、或いは、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層、及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり、ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と、ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層、及びドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と、を備え、ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり、バッファー層は銅合金層である。ソースバッファー層及びドレインバッファー層を形成することによって、その上にあるソース電極及びドレイン電極層、及びその下方にある半導体層の付着力が向上され、TFTの性能も向上され、画像の品質も向上された。
摘要翻译：本发明是薄膜晶体管及其制造方法，提供一种阵列基板和显示器。的薄膜晶体管基板，形成在基板上的栅电极，源电极，漏电极和半导体层是在栅电极和半导体层之间，或者在栅电极与源电极和漏电极之间栅绝缘层，和在半导体层与源电极和漏电极，以及具有源极接触孔和漏接触孔，源极电极与半导体层之间的源缓冲层和漏电极的蚀刻停止层之间和与所述半导体层，源电极和漏电极之间的漏极缓冲层是金属铜电极，所述缓冲层是铜合金层。通过形成源缓冲层和漏电极缓冲层，源电极和它上面的漏电极层，所述半导体层的粘附在其下部，TFT的性能也得到改善，提高，增强了图像的质量它一直。

2. 发明专利

JP2015525000A 薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製作方法、ディスプレイ审中-公开
标题翻译： TFT阵列基板及其制造方法，显示
公开(公告)号：JP2015525000A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015523358
申请日：2012-11-08
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
发明人：学▲輝▼ ▲張▼ , 学▲輝▼ ▲張▼ , 翔 ▲劉▼ , 翔 ▲劉▼ , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/78678 , G02F2001/134372 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66765 , H01L29/78693
摘要：本発明は薄膜トランジスタを提供する。該薄膜トランジスタは、基板(1)、及び基板(1)上に順次形成されたゲート電極層(3)、ゲート絶縁層(4)、活性層(5)、電極金属層(8)及び非活性化層(9)を含み、電極金属層(8)はソース電極(8a)及びドレイン電極(8b)を含み、ソース電極(8a)とドレイン電極(8b)は互いに隔てられ、互いの間にチャネル領域を形成し、ゲート電極層(3)及び基板(1)の間には、第一透明導電層(2)が設けられ、活性層(5)と電極金属層(8)の間には第二透明導電層(7)が形成されている。透明導電層(2,7)を増設したため、ゲート電極層(3)と基板(1)の間の吸着力を向上させ、電極金属の活性層(5)への拡散を阻止する。
摘要翻译：本发明提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管基板（1），和衬底（1）顺序地形成在栅电极层（3），栅极绝缘层（4），有源层（5），所述电极金属层（8）和失活其间它包括一个层（9），该电极金属层（8）包括：源电极（8a）和漏极电极（8b）的，源极电极（8a）和漏极电极（8b）的距离彼此分离，沟道区它被形成和层栅电极（3）和所述衬底（1）中，第一透明导电层（2）之间在有源层（5）和金属电极层（8）之间的第二提供形成透明导电层（7）。由于安装额外的透明导电层（2,7），以提高所述栅电极层（3）基片（1）之间的吸附力，防止扩散到电极金属（5）的活性层。

3. 发明专利

JP2015501549A 薄膜トランジスターアレイ基板审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板
公开(公告)号：JP2015501549A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014539219
申请日：2012-08-20
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
发明人：翔 ▲劉▼ , 翔 ▲劉▼ , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛
IPC分类号： H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：本発明の実施例は、基底基板(1)、並びにスイッチ素子としてのゲート電極(2)、半導体層(5)、半導体保護層、ソース電極(8)及びドレイン電極(9)を有する薄膜トランジスター、を備えるTFTアレイ基板であって、前記半導体保護層は半導体層(5)と隣り合い、複合層構造を採用し、前記複合層構造は半導体層(5)の酸素ロスを避ける絶縁材料により製作される半導体層(5)に接触する保護層と、エッチングし易い絶縁材料により製作される絶縁層を備える、TFTアレイ基板を提供する。
摘要翻译：本发明的实施方案中，在基底基板（1），并且具有栅极电极作为开关元件的薄膜晶体管（2），半导体层（5），半导体保护层，源极电极（8）和漏极电极（9），提供有半导体保护层的TFT阵列基板邻接半导体层（5），采用复合层结构，该复合层结构是由绝缘材料制成，以避免在半导体层的氧损失（5）其包括与所述半导体层（5），其由蚀刻容易绝缘材料制成的绝缘层接触的保护层，提供了一种TFT阵列基板。

4. 发明专利

JP2014528596A エレクトロ・ウェッティングディスプレイパネル有权
标题翻译：电润湿显示面板
公开(公告)号：JP2014528596A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2014533759
申请日：2012-09-29
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
发明人：肖雄田 , 肖雄田 , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛
IPC分类号： G02F1/17 , G02F1/19
CPC分类号： G02B26/005
摘要：本発明は、フルカラー表示を実現できるエレクトロ・ウェッティングディスプレイパネルを提供し、第一基板と、上記第一基板と向かい合う第二基板と、上記第二基板上に位置する複数のバリケードと、上記第二基板上に位置する光不透過性絶縁層と、複数の着色液体ユニットとを備え、上記複数のバリケードは複数のサブピクセルを定義し、上記光不透過性絶縁層は、誘電体層及び誘電体層上に位置する光不透過性液体ユニットを含み、上記光不透過性絶縁層は電界作用下において黒色または白色を示し、上記複数の着色液体ユニットは、各サブピクセルにそれぞれ対応するように、上記光不透過性絶縁層と上記第一基板との間に設置され、上記着色液体ユニットは導電性または極性を有する光透過性カラー溶液である。
摘要翻译：本发明提供一种能够实现全彩色显示，第一基板，第二基板，面对所述第一基板，多个路障的位于所述第二基板上，所述第一电润湿显示面板包括位于所述第二基板上的不透光绝缘层，和多个色液体单元，所述多个路障的限定了多个子像素，所述非透光绝缘层，介电层和介电包括位于所述主体层上形成光学不透明的液体单元，所述不透光绝缘层提供了一个黑或白的在电场的影响，所述多个有色液体单元，作为对应于各子像素被设置在不透光的绝缘层和所述第一基板之间，有色液体单元是具有导电性或极性的光透射色溶液。

5. 发明专利

JP2015505168A ＴＦＴアレイ基板の製造方法有权
标题翻译：用于制造TFT阵列基板的制造方法
公开(公告)号：JP2015505168A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2014551500
申请日：2012-12-10
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
发明人：翔 ▲劉▼ , 翔 ▲劉▼ , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛
IPC分类号： H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2029/42388
摘要： TFTアレイ基板の製造方法を提供する。パターニング工程によって、基板(1)上に、金属酸化物半導体層(3)、エッチングストップ層(4)、ソース電極(7)、データライン、ドレイン電極(6)、画素電極(5)、ゲート絶縁層(8)、接触ビアホール、ゲート電極(9)及びゲート走査線をそれぞれ形成するステップを備え、上記金属酸化物半導体層(3)及びエッチングストップ層(4)は、1回のパターニング工程によって形成され、上記ソース電極(7)、ドレイン電極(6)、画素電極(5)及びデータラインは、1回のパターニング工程によって形成される。
摘要翻译：是提供一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法。在图案化步骤中，衬底（1），金属氧化物半导体层（3）中，蚀刻停止层（4），源电极（7），数据线，漏电极（6），像素电极（5），作为栅极绝缘上包括在形成所述层（8），接触孔，栅极电极（9）和所述栅极扫描线的步骤中，分别在金属氧化物半导体层（3）和蚀刻停止层（4）由一个图案化步骤中形成是，源电极（7），漏电极（6），像素电极（5）和数据线由单个图案化步骤而形成。

6. 发明专利

JP2014529099A 有機薄膜トランジスタのアレイ基板及び、その製造方法、並びに表示装置有权
标题翻译：的有机薄膜晶体管阵列基板及其制造的方法，和一个显示装置
公开(公告)号：JP2014529099A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2014526371
申请日：2012-08-13
申请人：京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
发明人：学▲輝▼ ▲張▼ , 学▲輝▼ ▲張▼ , 建▲設▼ 薛 , 建▲設▼ 薛 , 翔 ▲劉▼ , 翔 ▲劉▼
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0516 , H01L27/3274 , H01L51/0018 , H01L51/0023 , H01L51/0541 , H01L51/102
摘要：有機薄膜トランジスタのアレイ基板の製造方法は、1回目のパターニング工程によって、透明基板上に、ソース電極、ドレイン電極、データライン及び画素電極を有するパターンを形成する工程と、2回目のパターニング工程によって、前記1回目のパターニング工程が行なわれた前記透明基板上に、有機半導体パターン、ゲート絶縁層パターン、ゲート電極及びゲートラインを有するパターンを形成する工程と、前記2回目のパターニング工程が行なわれた前記透明基板上にパッシベーション層を堆積し、3回目のパターニング工程によって、データライン・インターフェイス、ゲートライン・インターフェイス及び画素インターフェイスを有するパターンを形成する工程と、4回目のパターニング工程によって、前記3回目のパターニング工程が行なわれた前記透明基板上に、共通電極のパターンを形成する工程と、を備える。本発明によれば、有機薄膜トランジスタのアレイ基板において、生産効率が向上され、生産コストが低下された。
摘要翻译：制造该有机薄膜晶体管，所述第一图案化步骤中，在透明基板上的阵列基板中，形成具有源极电极，漏极电极，所述数据线和所述像素电极，所述第二图案化步骤中，将一个图案的方法第一图案化步骤中进行所述透明基板，有机半导体图案，栅极绝缘层图案，形成具有栅电极和栅极线的图案的步骤，所述透明执行所述第二图案化步骤沉积在衬底上的钝化层，第三图案形成工序，形成具有数据线接口，栅线接口和像素接口，第四图案化步骤中，第三图案形成工序的图案的步骤有行这根绳子的透明基板，和形成共用电极的图案的工序。根据本发明，在有机薄膜晶体管的阵列基板，生产效率提高，生产成本降低。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式