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1. 发明专利

JP6416846B2 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP6416846B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2016207817
申请日：2016-10-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山元良高 , 田中哲弘 , 竹内敏彦 , 山根靖正 , 井上卓之 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/1156 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2029/42388

2. 发明专利

JP2017168861A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017168861A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017097938
申请日：2017-05-17
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：須澤英臣 , 倉田求 , 三上真弓
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/28 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/108 , H01L27/1225 , H01L29/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：【課題】チャネル長Lが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2013062529A Semiconductor element 审中-公开
标题翻译：半导体元件
公开(公告)号：JP2013062529A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：JP2012256360
申请日：2012-11-22
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： SUZAWA HIDEOMI , KURATA MOTOMU , MIKAMI MAYUMI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/108 , H01L27/1225 , H01L29/12 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a top-gate semiconductor element having a short channel length L and capable of microfabrication and using an oxide semiconductor, and provide a manufacturing method of the semiconductor element.SOLUTION: A semiconductor element comprises: an oxide semiconductor layer on an insulation surface; a source electrode layer and a drain electrode layer on the oxide semiconductor layer; gate insulation layers on the oxide semiconductor layer, the source electrode layer and the drain electrode layer; and a gate electrode layer on the gate insulation layer. The source electrode layer and the drain electrode layer have lateral walls, respectively, and the lateral walls contact a top face of the oxide semiconductor layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有短沟道长度L并能够微细加工和使用氧化物半导体的顶栅半导体元件，并提供半导体元件的制造方法。解决方案：半导体元件包括：绝缘表面上的氧化物半导体层; 氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层; 氧化物半导体层上的栅极绝缘层，源极电极层和漏极电极层; 以及栅极绝缘层上的栅极电极层。源电极层和漏电极层分别具有侧壁，并且侧壁与氧化物半导体层的顶面接触。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2010536173A Nanowire electronic device and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2010536173A
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：JP2010519993
申请日：2008-08-08
申请人：ゼットティースリーテクノロジーズ,インク.
发明人：デュッタ，ビプロダス
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L31/04 , H01L35/16 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/32 , H01L29/0669 , H01L29/42392 , H01L29/78696 , H01L31/035281 , H01L33/18 , H01L2029/42388 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： The present invention is directed to an electrical device that comprises a first and a second fiber having a core of thermoelectric material embedded in an electrically insulating material, and a conductor. The first fiber is doped with a first type of impurity, while the second fiber is doped with a second type of impurity. A conductor is coupled to the first fiber to induce current flow between the first and second fibers.

5. 发明专利

JP2018195837A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018195837A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2018133878
申请日：2018-07-17
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：須澤英臣 , 田中哲弘 , 佐藤裕平 , 手塚祐朗 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , H01L27/32 , H05B33/12 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/41733 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：【課題】高い電界効果移動度を有するトランジスタを提供する。または、電気特性の安定したトランジスタを提供する。または、オフ時(非導通時)の電流の小さいトランジスタを提供する。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に第1の電極を形成し、第1の電極の側面に隣接して第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層を覆い、かつ、第1の電極の表面の少なくとも一部に接して第2の絶縁層を形成する。第1の電極の表面を不純物元素が透過しにくい導電性材料で形成し、第2の絶縁層を、不純物元素が透過しにくい絶縁性材料で形成する。第1の電極上に、第 3の絶縁層を介して酸化物半導体層を形成する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018164087A トランジスタ、表示装置および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018164087A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2018082745
申请日：2018-04-24
申请人：株式会社JOLED
发明人：大島宜浩
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78621 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：【課題】寄生容量の低減が可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】トランジスタ1においてゲート電極と、前記ゲート電極に対向するチャネル領域と、前記チャネル領域の抵抗値よりも低い抵抗値を有し、金属を含む低抵抗領域と、前記チャネル領域と前記低抵抗領域との間の、前記低抵抗領域の金属の濃度よりも低い濃度で前記金属を含む拡散領域とを含む酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に設けられ、より前記酸化物半導体膜に近い第1面と、より前記ゲート電極に近い第2面とを有するゲート絶縁膜と、低抵抗領域に接して設けられ、低抵抗領域および拡散領域の金属と同じ金属の酸化物を含む高抵抗膜とを備える。ゲート絶縁膜の第1面のチャネル長方向の長さが、ゲート電極のチャネル長方向の最大長さよりも大きくなっており、低抵抗領域は、酸化物半導体膜の高抵抗膜側の厚み方向の一部に設けられている。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017138354A 表示装置、および表示装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017138354A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016017059
申请日：2016-02-01
申请人：株式会社ジャパンディスプレイ
发明人：梶山憲太
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/06 , G09F9/30
CPC分类号： H01L51/0097 , H01L27/1218 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L2029/42388 , H01L29/42384
摘要：【課題】可撓性の表示装置を変形した際に、絶縁膜を介して積層された配線が破損する、あるいは絶縁膜や配線が剥離しない積層配線を提供し、この積層配線が適用された表示装置、ならびにその作製方法を提供する。【解決手段】絶縁表面上の第1の配線と、絶縁表面上に位置し、第1の配線の側面を覆う側壁と、第1の配線と側壁の上の絶縁膜と、絶縁膜上に位置し、かつ第1の配線と交差する第2の配線を有し、絶縁表面に対する側壁の表面の角度は、絶縁表面に対する第1の配線の側面の角度よりも小さい表示装置である。上記角度は第1の配線からの距離が減少するにしたがって増大する。第1の配線と第2の配線の交差部は表示装置の表示領域内に位置し、第1の配線が屈曲するように表示装置屈曲する際、交差部は表示装置の屈曲部に含まれる。【選択図】図5

9. 发明专利

JP2016092058A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016092058A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014221289
申请日：2014-10-30
申请人：株式会社ジャパンディスプレイ
发明人：佐々木俊成
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78642 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：【課題】本発明は、オン電流を向上させることができる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一実施形態による半導体装置は、第1側壁を有する第1絶縁層と、第1側壁に配置された酸化物半導体と、酸化物半導体の第1側壁とは反対側に配置されたゲート絶縁層と、第1側壁に配置された酸化物半導体にゲート絶縁層を介して対向するゲート電極と、酸化物半導体の下方に配置され、酸化物半導体の一方に接続された第1電極と、酸化物半導体の上方に配置され、酸化物半導体の他方に接続された第2電極と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高导通电压的半导体器件。解决方案：根据本实施例的半导体器件包括：具有第一侧壁的第一绝缘层; 布置在所述第一侧壁上的氧化物半导体; 栅极绝缘层，其布置在所述氧化物半导体的与所述第一侧壁相对的一侧上; 经由所述栅极绝缘层布置并与布置在所述第一侧壁上的氧化物半导体相对的栅电极; 第一电极，其布置在所述氧化物半导体的下方并连接到所述氧化物半导体的一侧; 以及第二电极，其布置在氧化物半导体的上方并连接到氧化物半导体的另一端。图1

10. 发明专利

JP2015109432A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015109432A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2014214965
申请日：2014-10-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/105 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/0657 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2029/42388
摘要：【課題】良好な電気特性を有する構成の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層のチャネル幅方向の断面において、半導体層は、一方の側部に位置し、一方の端部が絶縁層と接する第1の領域と、上部に位置し、第1の領域の他方の端部と一方の端部が接する第2の領域と、他方の側部に位置し、第2の領域の他方の端部と一方の端部が接し、他方の端部が絶縁層に接する第3の領域をそれぞれゲート絶縁膜と接して有し、第2の領域のゲート絶縁膜との界面側が、一方の端部から他方の端部まで曲率半径がR1、曲率半径がR2、曲率半径がR3である領域が順につながる凸型の形状でなり、R2は、R1およびR3よりも大きい構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有良好电特性的组合物的半导体器件。解决方案：一种半导体器件，包括：半导体层，位于半导体层的沟道宽度方向的横截面的一个侧面上; 第一区域，其一端接触绝缘层;第二区域，其位于上部并且具有接触第一区域的另一端的一端和位于另一侧部分的具有一端的第三区域使所述第二区域的另一端和与所述绝缘层接触的另一端与栅极绝缘膜接触，其中与所述栅极绝缘膜的边界侧的第二区域形成为通过顺序地获得的突出形状分别从一端到另一端具有曲率半径R1，曲率半径R2和曲率半径R3的连接区域，其中R2大于R1和R3中的每一个。

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