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1. 发明专利

JP2014165451A Collet, and apparatus and method for conveying chip component 审中-公开
标题翻译：胶条，以及用于输送芯片组件的装置和方法
公开(公告)号：JP2014165451A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2013037460
申请日：2013-02-27
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SUGAI SHIYUNTA , UEDA TOSHIYUKI , NAKAHARA TAKEHIKO
IPC分类号： H01L21/52
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a collet capable of preventing a dicing crack piece deposited to an end portion of a chip from being dropped when installing a chip component on a stage.SOLUTION: The collet for holding a chip component by sucking it comprises: a collet body 20 including a suction hole in a chip adsorption surface; an inner wall 20a provided around the suction hole on the chip adsorption surface; and an outer wall 20b provided around the inner wall on the chip adsorption surface. When a height of the inner wall 20a is defined as Ha and a height of the outer wall 20b is defined as Hb, Ha>Hb is satisfied.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止沉积在芯片的端部上的切割裂纹件在将芯片部件安装在平台上时掉落的夹头。解决方案：通过将芯片部件吸附而夹持的夹头包括：在芯片吸附面上具有抽吸孔的筒夹体20; 设置在芯片吸附面上的吸入孔周围的内壁20a; 以及设置在芯片吸附表面上的内壁周围的外壁20b。当内壁20a的高度被定义为Ha且外壁20b的高度被定义为Hb时，满足Ha> Hb。

2. 发明专利

JP2011151147A Method and apparatus for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和装置
公开(公告)号：JP2011151147A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：JP2010010395
申请日：2010-01-20
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： IKUTA YOSHIKAZU , UEDA TOSHIYUKI , NEGISHI MASAHITO
IPC分类号： H01S5/028
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To separate a spacer and a semiconductor bar in a short period of time in a process of forming a protective film on the semiconductor bar. SOLUTION: A semiconductor bar 12 and a spacer 14 are laminated alternately. The semiconductor bar 12 is formed in a plate shape by connecting a plurality of semiconductor elements in a length direction. The spacer 14 has a first end surface and a second end surface which are longer than the semiconductor bar 12 in the length direction and face each other in the length direction. A cut is provided to the first end surface of the spacer 14. The protective film 24 is formed integrally on exposed end surfaces of the laminated semiconductor bar 12 and spacer 14. A first press bar 16 is pressed against the end surface of the semiconductor bar 12 in the cut of the spacer 14, and a second press bar 18 is pressed against the end surface of the spacer 14. Consequently, the spacer 14 is moved relatively to the semiconductor bar 12 to fracture the protective film 24 with shearing stress along a boundary between the semiconductor bar 12 and spacer 14. Laminated semiconductor bars 12 are taken out in order with a collet. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在半导体棒上形成保护膜的过程中，在短时间内分离间隔物和半导体棒。解决方案：半导体棒12和间隔件14交替层叠。半导体棒12通过在长度方向上连接多个半导体元件而形成为板状。间隔件14具有在长度方向上长于半导体棒12并在长度方向彼此面对的第一端面和第二端面。在间隔件14的第一端面上设有切口。保护膜24一体地形成在层叠半导体棒12和间隔件14的暴露的端面上。第一压杆16被压靠在半导体棒的端面在间隔件14的切口中，第二压杆18被压靠在间隔件14的端面上。因此，间隔件14相对于半导体棒12移动，以使剪切应力沿着半导体棒12和间隔物14之间的边界。层叠的半导体棒12依次用夹头取出。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2015049137A 半導体チップ試験装置及び方法审中-公开
标题翻译：半导体芯片测试仪和半导体芯片测试方法
公开(公告)号：JP2015049137A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013180903
申请日：2013-09-02
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： NAKAHARA TAKEHIKO , UEDA TOSHIYUKI , SAKAI TADAYUKI , SUGAI SHIYUNTA
IPC分类号： G01R31/26
摘要：【課題】半導体チップの位置ずれが発生せずに試験が可能である、半導体チップ試験装置及び方法を提供する。【解決手段】半導体チップの電気特性を測定する半導体チップ試験装置101であって、上側プローブ111を有する上部検出部110と、弾性を有する下側プローブ121を有する下部検出部120とを備え、下部検出部は、さらに、半導体チップを支持するチップ載置部材122と、下側プローブを支持するプローブ支持体123と、チップ載置部材又はプローブ支持体に接続され、吸引動作によって半導体チップをチップ載置部材に保持する吸着機構124とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体芯片测试装置和半导体芯片测试方法，该半导体芯片测试装置和半导体芯片测试方法能够进行测试而不会发生半导体芯片的位置偏移。解决方案：一种用于测量半导体芯片的电性能的半导体芯片测试器101，包括：上部检测单元110，其包括上部探针111; 以及包括弹性下探针121的下检测单元120.下检测单元120还包括：支撑半导体芯片的芯片安装构件122; 支撑下探针121的探针支架123; 以及连接到芯片安装构件122或探针支撑件123的真空吸盘机构124，并且通过真空卡盘操作将半导体芯片保持在芯片安装构件122上。

4. 发明专利

JP2014235114A プローブ検査装置及びプローブ検査方法有权
标题翻译：检测装置和检测方法
公开(公告)号：JP2014235114A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013117813
申请日：2013-06-04
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： UEDA TOSHIYUKI , KANAZAWA MORIMICHI , TAKESAKO NORIHIRO
IPC分类号： G01R1/067
摘要：【課題】プローブの良否を正確に検査することができるプローブ検査装置及びプローブ検査方法を得る。【解決手段】プローブ1は、導電性で筒状のバレル2と、被検査対象と接触する導電性のプランジャー3と、バレル2内に配置されプランジャー3を軸方向に付勢する導電性の弾性部材4とを有する。荷重付加部7がプランジャー3に荷重を加えて変位させる。電気抵抗測定器11がプローブ1の電気抵抗を測定する。変位測定器12bがプランジャー3の変位量を測定する。判定部14が変位量に対する電気抵抗を規格値と比較してプローブ1の良否判定を行う。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以精确检查探针质量的探针检查装置和探针检查方法。解决方案：探针1包括：导电圆筒2; 与被检查物体接触的导电柱塞3; 以及布置在筒体2中并沿轴向对柱塞3通电的导电弹性构件4。负载添加部7将柱塞3的载荷增加为位移。电阻计11测量探针1的电阻。位移计量器12b测量柱塞3的位移量。判定部14通过将位移量的电阻与标准值进行比较来进行探针1的质量判定。

5. 发明专利

JP2011134975A Manufacturing method and manufacturing device for semiconductor laser 有权
标题翻译：半导体激光器的制造方法和制造装置
公开(公告)号：JP2011134975A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：JP2009294866
申请日：2009-12-25
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： UEDA TOSHIYUKI , NEGISHI MASAHITO , IKUTA YOSHIKAZU
IPC分类号： H01S5/028
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase productivity in the manufacture of a semiconductor laser in which dielectric films are respectively formed on end surfaces of laser bars by alternately stacking spacers and laser bars one by one.
SOLUTION: A part of a winding-shaped spacer material 28 is drawn out by a roller 26 and is cut with a blade 32 to form the spacers 34. Each spacer 34 is picked up by a spacer suction collet 36. A semiconductor wafer with a plurality of semiconductor lasers formed is cleaved to form the laser bars 16 that the plurality of semiconductor lasers are arranged in the form of bars. Each laser bar 16 is picked up by a laser bar suction collet 44. The spacers 34 and the laser bars 16 are alternately stacked one by one by the spacer suction collet 36 and the laser bar suction collet 44 and are nipped between an upper coating tool and a lower coating tool 58 to form the dielectric films on the end surfaces of the plurality of laser bars 16, respectively.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提高制造半导体激光器的生产率，其中通过交替地堆叠间隔物和激光棒来逐个地分别在激光棒的端面上形成电介质膜。解决方案：卷绕形间隔材料28的一部分由辊26拉出并用刀片32切割以形成间隔件34.每个间隔件34由间隔件吸力夹头36拾起。半导体切割形成有多个半导体激光器的晶片被切割以形成多个半导体激光器以条形的形式布置的激光条16。每个激光棒16由激光棒吸入筒夹44拾取。间隔件34和激光棒16通过间隔件吸入夹头36和激光棒吸入夹头44一个接一个地交替堆叠并夹在上部涂层工具以及下涂层工具58，以分别在多个激光棒16的端面上形成电介质膜。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010171201A Pickup apparatus, and method for manufacturing semiconductor chip 审中-公开
标题翻译： PICKUP装置和制造半导体芯片的方法
公开(公告)号：JP2010171201A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：JP2009012279
申请日：2009-01-22
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： UEDA TOSHIYUKI , SUMIYA KOICHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pickup apparatus for preventing the scatter and crack of a semiconductor chip, and to provide a manufacturing method for the pickup device. SOLUTION: The pickup apparatus for picking up a desired semiconductor chip from among the plurality of semiconductor chips adhering to an adhesive sheet includes the apparatus body where a groove is formed on a contact surface in contact with the adhesive sheet, projections arranged inside the groove, a suction mechanism for vacuuming the inside of the groove and sucking the adhesive sheet, and a means for picking up the desired semiconductor chip. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于防止半导体芯片的散射和破裂的拾取装置，并提供用于拾取装置的制造方法。解决方案：用于从附着在粘合片上的多个半导体芯片中拾取期望的半导体芯片的拾取装置包括在与粘合片接触的接触表面上形成有凹槽的装置主体，布置在内部的突起凹槽，用于抽吸凹槽内部并吸附粘合片的抽吸机构，以及用于拾取所需半导体芯片的装置。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2009267192A Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor manufacturing device 审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体制造器件的制造方法
公开(公告)号：JP2009267192A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2008116649
申请日：2008-04-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： UEDA TOSHIYUKI , TSUNAMI DAISUKE , SAKUTANI KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of the characteristics of a semiconductor device due to vaporization of organic foreign substances adhered on the wafer outer periphery part at the time of forming an epitaxial layer on a wafer by the gas phase epitaxial process, in a manufacturing method for the semiconductor device and a semiconductor manufacturing device.
SOLUTION: The manufacturing method for the semiconductor device includes a thin film forming step of forming a thin film on a wafer, a protection film forming step of forming an adhesion preventive protection film not containing an organic component on the surface and the side surface of the wafer outer periphery part using a resist, a pattern forming step of forming a pattern on the thin film in a region surrounded by the adhesion preventive protection film, a protection film removing step of removing the adhesion preventive protection film after the pattern forming step, and an epitaxial layer forming step of forming an epitaxial layer by the gas phase epitaxial process on the wafer after the protection film removing step.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题为了防止在通过气相外延工艺在晶片上形成外延层时附着在晶片外周部分上的有机异物的蒸发导致的半导体器件的特性劣化，在半导体器件和半导体制造器件的制造方法中。解决方案：半导体器件的制造方法包括在晶片上形成薄膜的薄膜形成步骤，在表面和侧面形成不含有机组分的防粘连保护膜的保护膜形成步骤使用抗蚀剂的晶片外周部的表面，在由防粘合保护膜包围的区域中的薄膜上形成图案的图案形成工序;保护膜除去工序，在图案形成后去除粘合防止保护膜以及在保护膜去除步骤之后通过气相外延工艺在晶片上形成外延层的外延层形成步骤。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012227386A Method and apparatus for manufacturing laser element 有权
标题翻译：制造激光元件的方法和装置
公开(公告)号：JP2012227386A
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011094287
申请日：2011-04-20
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NEGISHI MASAHITO , UEDA TOSHIYUKI
IPC分类号： H01S5/028
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide method and apparatus for manufacturing a laser element which can inexpensively completely separate a laser bar and a spacer.SOLUTION: The method of manufacturing a laser element includes: an overlapping step of alternately overlapping a laser bar and a spacer; a film formation step of forming a dielectric film on the laser bar and the spacer; and a separation step of separating the laser bar and the spacer by allowing the laser bar and the spacer to slide relative to each other.

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