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1. 发明专利

JP2020047751A モールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020047751A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018174548
申请日：2018-09-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：石井隆一 , 藤田充紀
IPC分类号： H05K3/34 , H01L21/56
摘要：【課題】制御基板に半田付けする際に、半田付け不良が発生しないモールド樹脂封止型半導体装置の制御基板への取付方法を提供する。【解決手段】モールド樹脂封止型半導体装置の信号端子の半田付け部の表面処理を廃止し、信号端子表面の酸化膜成長を抑制するため、モールド樹脂のアフターキュア工程を窒素雰囲中で行い、水素雰囲気中で大気圧プラズマを照射してプラズマ還元工程を行うことにより酸化膜を除去する。【選択図】図2

2. 发明专利

JPWO2018131310A1 電力用半導体装置及び電力用半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018131310A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017043029
申请日：2017-11-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：別芝範之 , 石井隆一 , 福優 , 福原和矢
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/40 , H05K3/34 , H05K7/20 , H01L25/07
摘要：電力用半導体装置は、制御端子を有する複数のパワーモジュールと、複数のパワーモジュールが実装される放熱板と、制御端子が固着される制御用基板とを有し、複数のパワーモジュールは、制御端子に近い第1突起部と、制御端子から遠い第2突起部とを有し、放熱板は、第1突起部に対応する位置に、第1突起部と係合し、第1突起部の外径よりも大きい内径に形成された第1の凹部を有し、第2突起部に対応する位置に、第2突起部と係合し、第2突起部の外径よりも大きい短径を有して長穴状に形成された第2の凹部を有する。

3. 发明专利

JP6289583B1 電力半導体装置有权
公开(公告)号：JP6289583B1
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2016207473
申请日：2016-10-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：三井貴夫 , 福優 , 石井隆一 , 別芝範之
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/40137
摘要：【課題】配線材を接合する接合材にはんだの濡れ性をよくするためにフラックス入りのはんだを用いると、はんだボールが発生しやすくなり、はんだボールが半導体素子上に乗る可能性がある。また、フラックスが飛散し、半導体素子に付着する。これらは、絶縁不良の原因となる。【解決手段】この発明に係る電力半導体装置は、半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子が第1の接合材によって接合される絶縁基板と、半導体スイッチング素子に接続される配線材と、半導体スイッチング素子と配線材とが接合される第2の接合材と、絶縁基板に接着され配線材の位置を決める配線位置決め部材とを備え、第2の接合材は、還元剤を含まないことを特徴とする。【選択図】図1B

4. 发明专利

JP2016052666A 接合構造体およびその製造方法、ならびに冷却器审中-公开
标题翻译：接合结构及其制造方法和冷却器
公开(公告)号：JP2016052666A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014178899
申请日：2014-09-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：池田卓矢 , 物種武士 , 石井隆一 , 栃山繁信
IPC分类号： B23K9/00 , B23K15/00 , B23K1/00 , B23K11/36 , B23K26/21 , B23K11/00 , B23K20/12
摘要：【課題】被接合部材を接合する装置を複雑または大型にすることなく、接合時に発生するスパッタまたはバリの発生、成長および飛散による不具合を抑制する接合構造体およびその製造方法、ならびに当該接合構造体を含む冷却器を提供する。【解決手段】第1の主表面1sを有する第1の被接合部材1と、第2の主表面2sを有する第2の被接合部材2とを備えている。第1の被接合部材1と第2の被接合部材2とは接合部3において互いに接合されている。第1または第2の被接合部材1,2の少なくともいずれかが、接合部3において薄肉部5を含んでいる。薄肉部5における第1または第2の主表面1s,2sに交差する方向に関する厚みは、薄肉部5以外の厚肉部における厚みよりも薄い。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种接合结构，其抑制在接合时产生的飞溅物或毛刺的产生和生长引起的故障，而不会使连接接合部件的接合装置复杂化或扩大，以及包括接合结构的冷却器。接合结构包括具有第一主表面1s的第一接合构件1和具有第二主表面2s的第二接合构件2。第一接合构件1和第二接合构件2在接合部3中彼此连接。第一或第二接合构件1,2中的至少一个在接合部3中包括薄壁部5。相对于与薄壁部5的主面1s，2s相交的方向比厚薄部5以外的厚厚部的厚度薄。图示4

5. 发明专利

JP2016051878A 電力用半導体装置有权
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：JP2016051878A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014178101
申请日：2014-09-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：別芝範之 , 中島泰 , 石井隆一 , 三井貴夫 , 福優
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/473 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2924/19107
摘要：【課題】小型化及び高耐振化を同時に実現可能な電力用半導体装置を提供する。【解決手段】放熱部材13と、セラミック基板3と、電力用半導体素子5と、電力用半導体素子の上面方向に取り出された主回路用の電極7とを有し、セラミック基板の導体層に枠部材11を固着し、かつ枠部材には電極の位置を決定する凸部14を設け、電極には凸部と係合する凹部24を設けた。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供能够同时实现小型化和高抗震性的功率半导体器件。解决方案：功率半导体器件包括：散热构件13; 陶瓷基板3; 功率半导体元件5; 以及在功率半导体元件的上表面方向上取出的用于主电路的电极7。框架构件11固定在陶瓷基板的导体层上，并且在框架构件上设置用于确定电极位置的凸部14，并且在电极上设置与凸部接合的凹部24。选择图：图1A

6. 发明专利

JP2021190653A 半導体装置及び電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021190653A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097532
申请日：2020-06-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：徳丸準 , 山田隆行 , 石井隆一 , 藤田充紀
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H01L23/29
摘要：【課題】半導体装置の機能が損ねることなく、冷却器を設置できる半導体装置及び電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、絶縁部材1aに表面金属1b、裏面金属1cが形成された放熱部1と、表面金属1b上に形成された第1の接合部5と、第1の接合部5上に配置された半導体素子2と、半導体素子2上に形成された第2の接合部6と、第2の接合部6を介して半導体素子2と接続された第1の主配線部3aと、放熱部1、第1の接合部5、半導体素子2、第2の接合部6及び第1の主配線部3aの少なくとも一部を覆うとともに、放熱部1の裏面金属1cを露出するように形成された封止部4と、を備える。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2021190651A パワーモジュール有权
公开(公告)号：JP2021190651A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097460
申请日：2020-06-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：後閑博 , 福優 , 石井隆一
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07
摘要：【課題】PETT及びIMPATTに起因した振動が抑制されたパワーモジュールを得ること。【解決手段】2つの半導体素子、平板状の第1の導電金属パターンと第2の導電金属パターン及び容量素子を備え、2つの半導体素子と容量素子とは三角形の頂点の位置に配置され、半導体素子の間の最短の第1最短経路、2つの半導体素子のそれぞれと容量素子との間の最短の第2最短経路、第3最短経路は(第1最短経路)≧(第2最短経路)かつ((第1最短経路) 2 +(第2最短経路) 2 ))≧(第3最短経路) 2 であって、第1の導電金属パターン及び第2の導電金属パターンは、半導体素子の間の容量とインダクタンスから得られる第1の共振周波数、半導体素子の一方と容量素子との間の第2の共振周波数、及び半導体素子の他方と容量素子との間の第3の共振周波数を有する電流経路の周波数特性によって生じる表皮効果で電流が流れる表皮の深さの2倍以上の厚さを有する。【選択図】図1

8. 发明专利

JPWO2017073233A1 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2017073233A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017547681
申请日：2016-09-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：別芝範之 , 石井隆一 , 福優 , 山田隆行 , 三井貴夫
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/48 , H01L25/18
CPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/40137
摘要：電力用半導体素子の電極と配線との接続信頼性を従来に比べて向上可能である、電力用半導体装置を提供する。半導体素子5と、半導体素子を接合した電極層1を有する絶縁基板10と、半導体素子の上面電極とはんだ接合され上面方向に折り曲げた外部接続用端部7dを有する外部配線7と、絶縁基板の電極層に固着された枠部材8とを備え、枠部材は、外部接続用端部と嵌合する嵌合部8bを有し、外部配線は、半導体素子側へ突出する、少なくとも2つの突起部7bを有する。

9. 发明专利

JP2017192204A 平滑コンデンサの取付け方法有权
公开(公告)号：JP2017192204A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016080008
申请日：2016-04-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：石井隆一
IPC分类号： H01G2/04 , H01G2/06 , H01G4/228 , H05K7/08 , H02M7/48
摘要：【課題】安価で小形化できる平滑コンデンサの取付け方法を得る。【解決手段】平滑コンデンサ素子2と、平滑コンデンサ素子2が実装される平滑コンデンサ基板1と、制御回路が搭載された制御基板4と、平滑コンデンサ素子2に通電するための複数の平滑コンデンサ端子3と、平滑コンデンサ端子3に一体に形成されて制御基板4に接続される中継端子6と、を有し、平滑コンデンサ端子3および中継端子6を無電解錫メッキする工程と、平滑コンデンサ素子2および平滑コンデンサ端子3を平滑コンデンサ基板1へ接続するリフロー半田付け工程と、中継端子5を制御基板4へ接続する噴流半田付け工程と、を備えた。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6139330B2 電力用半導体装置有权
公开(公告)号：JP6139330B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013172873
申请日：2013-08-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：別芝範之 , 中島泰 , 石井隆一 , 多田和弘
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351

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