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1. 发明专利

JPWO2020070831A1 電界効果トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020070831A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2018037059
申请日：2018-10-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/41
摘要：半導体基板(1,2)の表面にゲート電極(3)、ソース電極(4)及びドレイン電極(5)が形成されている。絶縁膜(6)がゲート電極(3)とドレイン電極(5)との間の領域において半導体基板(1,2)の表面を覆っている。ソースフィールドプレート(7)が絶縁膜(6)の上に形成され、ドレイン電極(5)には接続されていない。ダイオード(8)のカソードがソースフィールドプレート(7)と接続され、アノードが定電位である。

2. 发明专利

JP2016213227A 電界効果トランジスタ有权
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：JP2016213227A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015092654
申请日：2015-04-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：野上洋一 , 堀口健一 , 東坂範雄 , 渡辺伸介 , 北野俊明
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/8124 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/41758 , H01L29/423 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】高温RF動作時の真性キャリア密度増大に伴う損失増大によるRF特性悪化を効果的に抑制することができる電界効果トランジスタを得る。【解決手段】複数のソース電極6及び複数のドレイン電極7が半導体基板1の主面にオーミック接合され互いに交互に配置されている。複数のゲート電極8が半導体基板1の主面にショットキー接合され、複数のソース電極6と複数のドレイン電極7の間にそれぞれ配置されている。複数のドレイン電極7の各々は、互いに分割された第1及び第2の部分7a,7bを有する。ドレイン電極7の第1及び第2の部分7a,7bの合計電極幅は一本のソース電極6の幅よりも狭い。ショットキー電極13が半導体基板1の主面にショットキー接合され、ドレイン電極7の第1の部分7aと第2の部分7bの間に配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：甲得到的场效应晶体管可以有效地抑制RF特性由于损耗增加，由于高温RF操作征载流子密度的增加恶化。多个源电极6和多个漏电极7交替排列是欧姆接触到半导体衬底1的主表面上。多个栅极电极8的接合主表面肖特基半导体基板1，设置在多个源极电极6和多个漏极电极7之间。每个多个漏极电极7的具有第一和第二部分7a和7b被从彼此分离。漏电极7的第一和第二部分7a和7b的总电极宽度比源电极之一6的宽度窄。肖特基电极13在半导体衬底1的主表面上的肖特基结，它被布置在第一部分7a和漏极电极7的第二部分7b之间。点域1

3. 发明专利

JP6299665B2 電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6299665B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015092654
申请日：2015-04-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：野上洋一 , 堀口健一 , 東坂範雄 , 渡辺伸介 , 北野俊明
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/8124 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/423 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786

4. 发明专利

JP6638823B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6638823B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2018546940
申请日：2016-10-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：西澤弘一郎 , 山本佳嗣 , 宮脇勝巳 , 渡辺伸介 , 志賀俊彦
IPC分类号： H01L23/06 , H01L23/02

5. 发明专利

JP2018060933A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018060933A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198125
申请日：2016-10-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介 , 西澤弘一郎
IPC分类号： H01L27/04 , H03F1/30 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/822
CPC分类号： H01L29/78 , H01L23/3107 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6655 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2924/10157 , H01L2924/10158 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15159 , H01L2924/19107
摘要：【課題】本発明は、電界効果トランジスタを備えた半導体装置に関し、基板の面積の増加を抑制できる半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1基板に設けられたトランジスタと、該トランジスタのゲート電極と接続されたゲートパッドと、該ゲートパッドの上に設けられた導電性バンプと、該第1基板の上方に設けられ、第1面と第2面とを有する第2基板と、該第1面から該第2面に貫通し、該第2面側で該導電性バンプと接続される第1電極と、一端が該第1電極の該第1面側に接続され、他端が入力端子に接続された抵抗と、該第1面に該第1電極と隣接して設けられ、該抵抗を介さずに該入力端子に接続された第2電極と、を備え、該トランジスタのゲートリーク電流は、該第1電極から該第2基板の該母材および該第2電極を通って該入力端子に流れる。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017022303A トランジスタ有权
标题翻译：三极管
公开(公告)号：JP2017022303A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015140308
申请日：2015-07-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L27/0727 , H01L23/482 , H01L23/4824 , H01L23/535 , H01L29/0619
摘要：【課題】性能の劣化や抵抗の損傷を生じることなく発振を抑制することができるトランジスタを得る。【解決手段】半導体基板1上に複数のゲート電極2、複数のソース電極3及び複数のドレイン電極4が形成されている。ドレインパッド7が半導体基板1上に形成され、複数のドレイン電極4に接続されている。金属配線10が半導体基板1上に形成され、ドレインパッド7と離間しつつ隣接して平行に配置されている。グラウンドパッド11が半導体基板1上に形成され、金属配線10の両端に接続されている。【選択図】図1
摘要翻译：获得一种能够抑制振荡而不引起劣化或损坏电阻甲性能的晶体管。一种半导体基板1上的多个多个源电极3和多个漏电极4的栅极电极2的形成。漏极焊盘7形成在半导体基板1上，并且连接到多个漏极电极4。金属线10形成在半导体基板1上，它们被布置成平行于并邻近与从漏极焊盘7的距离。接地焊盘11形成在半导体基板1上，并且被连接到金属线10的两端。点域1

7. 发明专利

JP6809615B2 電界効果トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6809615B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2019538887
申请日：2017-09-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/338

8. 发明专利

JPWO2019043918A1 電界効果トランジスタ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019043918A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2017031625
申请日：2017-09-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/338
摘要：本願の発明に係る電界効果トランジスタは、半導体基板と、半導体基板の第1面に設けられ、第1方向に伸びる複数のドレイン電極と、複数のドレイン電極と互いに交互に並ぶ複数のソース電極と、複数のソース電極と複数のドレイン電極との間にそれぞれ設けられた複数のゲート電極と、複数のゲート電極と接続された入力端子と、複数のドレイン電極と接続された出力端子と、半導体基板に第1面と離れて設けられ、第1方向と交差する第2方向に伸びる複数の金属層と、を備え、複数の金属層は、第1金属層と、第1金属層よりも長く、第1面と垂直な方向から見て第1金属層よりも多くのドレイン電極と交差する第2金属層と、を含み、複数のドレイン電極のうち入力端子から出力端子までの線路長が短いドレイン電極ほど、直下に多くの金属層が設けられる。

9. 发明专利

JP6230248B2 方向性結合器有权
公开(公告)号：JP6230248B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2013072993
申请日：2013-03-29
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉岡秀浩 , 廣田明道 , 大和田哲 , 渡辺伸介 , 弥政和宏 , 山本和也
IPC分类号： H01P5/18
CPC分类号： H01P5/187

10. 发明专利

JP6515714B2 トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6515714B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2015140308
申请日：2015-07-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：渡辺伸介
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338

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