基本信息:
- 专利标题： トランジスタ
- 专利标题（英）：Transistor
- 专利标题（中）：三极管
- 申请号：JP2015140308 申请日：2015-07-14
- 公开(公告)号：JP2017022303A 公开(公告)日：2017-01-26
- 发明人： 渡辺 伸介
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 代理人： 高田 守; 高橋 英樹; 久野 淑己
- 主分类号： H01L29/812
- IPC分类号： H01L29/812 ; H01L21/338
摘要：
【課題】性能の劣化や抵抗の損傷を生じることなく発振を抑制することができるトランジスタを得る。 【解決手段】半導体基板1上に複数のゲート電極2、複数のソース電極3及び複数のドレイン電極4が形成されている。ドレインパッド7が半導体基板1上に形成され、複数のドレイン電極4に接続されている。金属配線10が半導体基板1上に形成され、ドレインパッド7と離間しつつ隣接して平行に配置されている。グラウンドパッド11が半導体基板1上に形成され、金属配線10の両端に接続されている。 【選択図】図1
摘要（中）：
获得一种能够抑制振荡而不引起劣化或损坏电阻甲性能的晶体管。 一种半导体基板1上的多个多个源电极3和多个漏电极4的栅极电极2的形成。 漏极焊盘7形成在半导体基板1上，并且连接到多个漏极电极4。 金属线10形成在半导体基板1上，它们被布置成平行于并邻近与从漏极焊盘7的距离。 接地焊盘11形成在半导体基板1上，并且被连接到金属线10的两端。 点域1
摘要（英）：
Obtaining a transistor that can suppress oscillation without causing deterioration or damage to the resistance of the United States Patent performance.
A semiconductor substrate 1 a plurality of gate electrodes 2 on a plurality of source electrodes 3 and a plurality of drain electrodes 4 are formed. Drain pad 7 is formed on the semiconductor substrate 1, and is connected to a plurality of drain electrodes 4. Metal wires 10 is formed on the semiconductor substrate 1, they are arranged parallel to and adjacent with a distance from the drain pad 7. Ground pad 11 is formed on the semiconductor substrate 1, and is connected to both ends of the metal wires 10.
.FIELD 1
公开/授权文献:
- JP6515714B2 トランジスタ 公开/授权日：2019-05-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/812 | ......带有肖特基栅的 |