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1. 发明专利

JP6729096B2 光半導体集積素子有权
公开(公告)号：JP6729096B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2016134306
申请日：2016-07-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森田佳道
IPC分类号： G02F1/025 , H01S5/026 , G02B6/12 , G02F1/015

2. 发明专利

JP2020109800A 半導体レーザー装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020109800A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JP2019000450
申请日：2019-01-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：内山麻美 , 柴田公隆 , 八田竜夫 , 森田佳道
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/06 , G02F1/025 , H01S5/022
摘要：【課題】調整が簡単で、アンクールド動作を実現できる温度範囲がより広い半導体レーザー装置を得る。【解決手段】発振波長が異なる複数のDFBレーザーと、複数のDFBレーザーの出力を結合する合波器と、合波器から出力された光を変調するEAMと、温度を測定する温度検出器と、温度検出器により検出された温度に基づいて、複数のDFBレーザーのうち動作させるDFBレーザーを選択して切替えるレーザー選択制御器とを備えるようにした。【選択図】図1

3. 发明专利

JPWO2019069359A1 半導体光集積素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019069359A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2017035920
申请日：2017-10-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松本啓資 , 森田佳道
IPC分类号： H01L31/10 , H01S5/026 , H01L31/0232 , G02F1/025 , G02B6/12
摘要：本願の発明に係る半導体光集積素子は、導電性基板と、導電性基板に設けられたレーザと、導電性基板の上に設けられた半絶縁性半導体層と、半絶縁性半導体層の上に設けられたフォトダイオードと、導電性基板の上に設けられ、レーザの出力光をフォトダイオードに導く導波路と、を備え、フォトダイオードのアノードと、フォトダイオードのカソードは、フォトダイオードの上面側から引き出され、導波路とフォトダイオードとは、半絶縁性半導体層で分離されている。

4. 发明专利

JP2018005079A 光半導体集積素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018005079A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016134306
申请日：2016-07-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森田佳道
IPC分类号： H01S5/026 , G02B6/12 , G02F1/017
摘要：【課題】本発明は、基板サイズを拡大することなく変調器部間の電気的クロストークを低減できる光半導体集積素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1長辺、第2長辺、第1短辺、及び第2短辺を有する基板と、該基板に形成された第1光源及び第2光源と、該第1光源と該第2光源の出力光を合波する光合波器と、を備え、該第1光源は、該第1短辺側から順に第1レーザ部と、第1導波路と、第1変調器部と、第1曲がり導波路とを有し、該第2光源は、該第1短辺側から順に第2レーザ部と、第2曲がり導波路と、第2変調器部と、第2導波路とを有し、該第1変調器は該第2変調器よりも該第1短辺側にある。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6335609B2 スポットサイズ変換素子および半導体装置有权
公开(公告)号：JP6335609B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014088911
申请日：2014-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：西川智志 , 秋山浩一 , 柳生栄治 , 森田佳道
IPC分类号： G02B6/30 , H01S5/022 , G02F1/025 , G02B6/122

6. 发明专利

JP2015206969A スポットサイズ変換素子および半導体装置有权
标题翻译：点尺寸转换元件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015206969A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014088911
申请日：2014-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：西川智志 , 秋山浩一 , 柳生栄治 , 森田佳道
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/30 , G02F1/025 , G02B6/122
摘要：【課題】結合効率が高く、素子の製造ばらつきによる結合効率のばらつきが小さく、かつ、出射端面で反射されて戻る戻り光が低減されたスポットサイズ変換素子を提供する。【解決手段】スポットサイズ変換素子は、基板と、入射端側から先端に向けて幅が小さくなる先端部113を備える第1コア111と、第1コア111の先端部113と、先端部113を基板との間で囲む第1クラッド112と、を備えるスポットサイズ変換光導波路と、第1コア111の先端部113の先端および第1クラッド112の終端と接し、第1コア111の入射端における幅よりも幅の広い第2コア121と、第2コア121を基板との間で囲む第2クラッド122と、を備える拡大スポット光導波路と、第2コア121の終端および第2クラッド122の終端と接するスラブ導波路を備える窓領域130と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供耦合效率高的光斑尺寸转换元件，由于元件制造的变化引起的耦合效率的变化小，并且在发射端面反射并返回的返回光减小。解决方案：光斑尺寸转换元件包括：基板; 光斑尺寸转换光波导，其具有第一芯体111，第一芯体111具有顶端部分113，其顶端部分113的宽度从发射端侧朝向尖端;第一芯体111的尖端部分113;以及包围尖端的第一包层112 衬底与本身之间的部分113; 与第一芯111的尖端部分113的尖端和第一包层112的端部边缘接触的放大的点光波导，并且设置有比第一芯部的凹陷端的宽度更大的第二芯121 111和第二包层122，其将第二芯121包围在基板和其本身之间; 以及窗口区域130，其设置有与第二芯体121的端边缘和第二包层122的端边缘接触的平板波导。

7. 发明专利

JP6414365B1 半導体光集積素子有权
公开(公告)号：JP6414365B1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2018512441
申请日：2017-10-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：松本啓資 , 森田佳道
IPC分类号： H01L31/0232 , H01S5/026 , G02B6/12
摘要：本願の発明に係る半導体光集積素子は、導電性基板と、導電性基板に設けられたレーザと、導電性基板の上に設けられた半絶縁性半導体層と、半絶縁性半導体層の上に設けられたフォトダイオードと、導電性基板の上に設けられ、レーザの出力光をフォトダイオードに導く導波路と、を備え、フォトダイオードのアノードと、フォトダイオードのカソードは、フォトダイオードの上面側から引き出され、導波路とフォトダイオードとは、半絶縁性半導体層で分離されている。

8. 发明专利

JP2017102251A 光変調器モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017102251A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015234932
申请日：2015-12-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森田佳道 , 加茂芳幸
IPC分类号： G02F1/015
摘要：【課題】光変調器集積半導体レーザ、高周波信号を伝送するための信号線路、および終端抵抗を基板上に実装した光変調器モジュールにおいて、光変調器モジュールの小型化とパッド面積拡大による周波数帯域劣化の回避を同時に満足する。【解決手段】光変調器4の導波路延伸方向に対して、信号線路6と終端抵抗8とを、同じ側に配置することにより、光変調器モジュール1を小型化できる。光変調器4のボンディングパッド10にワイヤ11(a)とワイヤ11(b)を重ねて打つので、パッド面積を拡大する必要がなく周波数帯域を維持できる。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2015068918A 半導体光素子、光モジュールおよび半導体光素子の製造方法有权
标题翻译：半导体光学元件，光学模块和半导体光学元件的制造方法
公开(公告)号：JP2015068918A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013201572
申请日：2013-09-27
申请人：三菱電機株式会社
发明人：内山麻美 , 秋山浩一 , 東祐介 , 森田佳道 , 大和屋武
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/022 , G02F1/017
CPC分类号： H04J14/02 , H01S5/0265 , H01S5/4087 , H04B10/70 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/4012
摘要：【課題】複数の集積型光変調素子間での消光比のばらつきが抑制された半導体光素子および光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュール10は、波長合波器12を備えている。波長合波器12は、複数の集積型光変調素子21、22、23、24のEAM部122a、122b、122c、122dそれぞれの出射光を合波し、その合波光を出力する。集積型光変調素子21は、信号入力端子31と、レーザ素子部121と、EAM部122と、を備えている。LDBG波長差Δλ LDBG は、集積型光変調素子21、22、23、24それぞれにおいて、各素子の発振波長λ LD とバリア層バンドギャップ波長λ BG との差の絶対値である。Δλ LDBG 1、Δλ LDBG 2、Δλ LDBG 3、およびΔλ LDBG 4の値のばらつきを、±1nmの範囲内に収める。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制多个集成光调制元件之间的消光比的变化的半导体光学元件和光学模块。解决方案：光学模块10包括波长多路复用器12.波长多路复用器12将发射的分别从多个集成光调制元件21,22,23,24的EAM部122a，122b，122c，122d发射的光，以输出多路复用的光。集成光调制元件21包括：信号输入端子31; 激光元件部121; 和EAM部分122.对于每个集成光调制元件21,22,23,24，LDBG波长差＆Dgr;λ是每个元件的振荡波长λ与势垒层带隙波长λ之间的差的绝对值。＆Dgr;λ1，＆Dgr;λ2，＆Dgr;λ3和＆Dgr;λ4的值的变化保持在±1nm的范围内。

10. 发明专利

JPWO2020144752A1 光半導体集積素子有权
公开(公告)号：JPWO2020144752A1
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2019000277
申请日：2019-01-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森田佳道
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/20 , H01S5/026
摘要： n型InP基板(10)の表面に設けられたレーザダイオード部(20)と、出射されたレーザ光を伝搬し、両側がレーザ光の伝搬方向に先細りするテーパー形状のコア層(32)、コア層(32)の表面側のp型InPクラッド層(33)、コア層(32)の裏面側のn型InPクラッド層(31)、コア層(32)の両側に設けられた第一クラッド層のn型InPクラッド層(34a、34b)、およびp型InPクラッド層(33)と第一クラッド層の各表面に設けられた第二クラッド層のp型InPクラッド層(27)からなり、n型InP基板(10)の表面に設けられたスポットサイズ変換部(30)と、コア層(32)の先端側のn型InP基板(10)の表面に設けられた窓領域(40)と、窓領域(40)の表面に設けられたモニタ部のモニタPD(50)とを備え、第一クラッド層の屈折率を第二クラッド層の屈折率よりも低くする。

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