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1. 发明专利

JP5638225B2 へテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法有权
标题翻译：异质结型场效应晶体管及其制造方法，以
公开(公告)号：JP5638225B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2009257818
申请日：2009-11-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：章文今井 , 章文今井 , 南條　拓真 , 拓真南條 , 阿部　雄次 , 雄次阿部 , 吹田　宗義 , 宗義吹田 , 勝臣塩沢 , 勝臣塩沢 , 柳生　栄治 , 栄治柳生
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812

2. 发明专利

JP5340197B2 Light filter, manufacturing method, and a method of designing the 有权
公开(公告)号：JP5340197B2
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：JP2010032351
申请日：2010-02-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：正和高林 , 智志西川 , 栄治柳生 , 弘幸尾崎 , 政利片山
IPC分类号： G02B6/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress generation of Bragg-reflected beams, even if the shielding performance of light is enhanced by increasing the variation in the refractive index of a core in an optical filter constituted of a tilt grating. SOLUTION: The tilt angle θ of the tilt grating 3 in the optical filter 100 is such that the Bragg-reflected quantity of the optical filter 100 becomes a minimum, in comparison to the Bragg-reflected quantities of other optical filters which is provided with a core on which the tilt grating is formed under a second exposure condition in which only the exposure quantity of ultraviolet light is increased and which is reduced, with reference to a first exposure condition adopted for forming the tilt grating 3 in the optical filter 100. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP4879317B2 Optical fiber sensor 有权
公开(公告)号：JP4879317B2
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：JP2009503913
申请日：2008-01-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：干城三谷 , 喜市吉新 , 栄治柳生 , 祐多郎濱谷 , 智志西川 , 正和高林
IPC分类号： G01N21/41
CPC分类号： G01N21/774

4. 发明专利

JP4611066B2 Avalanche photodiode 有权
公开(公告)号：JP4611066B2
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：JP2005073367
申请日：2005-03-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：雅晴中路 , 信之冨田 , 栄治柳生 , 栄太郎石村
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/107

5. 发明专利

JPWO2006046276A1 アバランシェフォトダイオード有权
公开(公告)号：JPWO2006046276A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：JP2006542153
申请日：2004-10-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：柳生　栄治 , 栄治柳生 , 石村　栄太郎 , 栄太郎石村 , 中路　雅晴 , 雅晴中路
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , Y02E10/50
摘要：第1電極と、これに電気的に接続された第1導電型からなる第1の半導体層を具備する基板とを備えるアバランシェフォトダイオードにおいて、前記基板上に、少なくともアバランシェ増倍層と、光吸収層と、前記光吸収層よりバンドギャップの大きい第2の半導体層とを積層し、前記第2の半導体層内に第2導電型導電領域を形成し、前記第2導電型導電領域を第2電極に電気的に接続するように配置させる構成とした。この構成により、簡易な工程で、低暗電流、かつ長期信頼性の高いアバランシェフォトダイオードを提供できる。また、前記第2導電型導電領域を含むように、前記第2導電型導電領域の周囲の第2の半導体層を残し、その外周の基板上に積層された層のうち、少なくとも光吸収層を除去して前記光吸収層の側面を形成する構成とした。この構成により、さらに暗電流を低減できる。

6. 发明专利

JP5669674B2 半導体光変調器の駆動制御装置有权
标题翻译：的驱动控制装置的半导体光调制器
公开(公告)号：JP5669674B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2011130232
申请日：2011-06-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：泰久島倉 , 泰久島倉 , 柳生　栄治 , 栄治柳生 , 杉原　隆嗣 , 隆嗣杉原 , 斎藤　健 , 健斎藤 , 石村　栄太郎 , 栄太郎石村
IPC分类号： H04B10/516 , G02F1/015

7. 发明专利

JP5341056B2 A method of manufacturing a semiconductor light-receiving element 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5341056B2
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：JP2010279978
申请日：2010-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：栄治柳生 , 栄太郎石村 , 雅晴中路
IPC分类号： H01L31/107
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor light receiving element to suppress dark current and deterioration. SOLUTION: The method for manufacturing the semiconductor light receiving element includes; a step of preparing a first conductive semiconductor substrate; a step of forming a semiconductor layer including orderly, on the first conductive type semiconductor substrate, a first conductive type layer, a light absorbing layer, a diffusion buffer layer and a second conductive type layer; a second conductive type layer removing step of leaving an inner circumference as a light receiving unit by removing part or the whole of an outer circumference of the diffusion buffer layer and the second conductive type layer; and a step of forming an avalanche multiplying layer after forming the first conductive type layer and before forming the light absorbing layer. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造半导体光接收元件以抑制暗电流和劣化的方法。解决方案：半导体光接收元件的制造方法包括：制备第一导电半导体衬底的步骤; 在第一导电型半导体衬底上形成第一导电类型层，光吸收层，扩散缓冲层和第二导电类型层的有序地形成半导体层的步骤; 第二导电型层去除步骤，通过去除扩散缓冲层和第二导电类型层的外周的一部分或全部而留下内周作为光接收单元; 以及在形成第一导电类型层之后并在形成光吸收层之前形成雪崩倍增层的步骤。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP5262293B2 Optical semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5262293B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2008136918
申请日：2008-05-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：栄太郎石村 , 雅晴中路 , 栄治柳生
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/107
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/107
摘要： An optical semiconductor device comprises a distributed Bragg reflector layer of a first conductivity type, an optical absorption layer, and a semiconductor layer of a second conductivity type, sequentially formed on a semiconductor substrate; wherein said Bragg reflection layer of the first conductivity type has first semiconductor layers having a band gap wavelength larger than the wavelength of incident light, and second semiconductor layers having a band gap wavelength smaller than the wavelength of incident light; and an optical layer thickness of each of said first semiconductor layers is larger than the optical layer thickness of each of said second semiconductor layers.

9. 发明专利

JPWO2009072274A1 光ファイバセンサ有权
公开(公告)号：JPWO2009072274A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2009544572
申请日：2008-12-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：智志西川 , 智志西川 , 高林　正和 , 正和高林 , 柳生　栄治 , 栄治柳生 , 吉新　喜市 , 喜市吉新 , 三谷　干城 , 干城三谷 , 祐多郎濱谷 , 祐多郎濱谷
IPC分类号： G01N21/41 , G01N21/27
CPC分类号： G01N21/431 , G01D5/35383 , G01N2021/433 , G02B6/02085
摘要：本発明は、単純な構成で、広い屈折率範囲において被測定媒質の屈折率を感度よく計測できる光ファイバセンサを提供することを目的とする。本発明に係る光ファイバセンサは、短周期グレーティングが形成されたコアとクラッドとを備え、短周期グレーティングが形成されたクラッドの部分でクラッド伝搬モードの漏洩による透過損失が生じるようにした光ファイバと、クラッド伝搬モードの波長範囲の光を光ファイバに入射する光源と、短周期グレーティングが形成された位置のクラッドを経た光の透過光あるいは反射光を受ける受光部とを備え、受光部が受ける総受光強度に基づき、クラッドに接する被測定媒質の屈折率を検出する光ファイバセンサであって、光ファイバは、マルチモード光ファイバであり、短周期グレーティングは、複数の周期を有する。

10. 发明专利

JP4370203B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4370203B2
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：JP2004154437
申请日：2004-05-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：雅晴中路 , 信之冨田 , 栄治柳生 , 栄太郎石村
IPC分类号： H01L31/107 , H01L29/861 , H01L31/0328
CPC分类号： H01L31/107

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