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1. 发明专利

JPWO2021024502A1 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2021024502A1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2019044099
申请日：2019-11-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 今井章文 , 綿引達郎
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：本発明は、ヘテロ接合電界効果型トランジスタに関し、第1の窒化物半導体のチャネル層の上層部に、第1の窒化物半導体とヘテロ接合する第2の窒化物半導体のバリア層と、バリア層を間に挟んで互いに間隔を開けて設けられたn型の第1および第2の不純物領域と、第1および第2の不純物領域の上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともバリア層のソース電極側の端縁部を除く領域と接するように設けられた絶縁膜と、バリア層の端縁部に接し、バリア層の端縁部を除く領域に接して設けられた絶縁膜を少なくとも覆うゲート絶縁膜と、縁膜上の一部の領域上と、バリア層の端縁部の領域上を覆うようにゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、バリア層における端縁部のチャネル層とバリア層の界面に発生する2DEGによるシート抵抗が10kΩ/sq以上となっている。

2. 发明专利

JPWO2018220741A1 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018220741A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2017020240
申请日：2017-05-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 林田哲郎 , 吉嗣晃治 , 古川彰彦
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：窒化半導体を用いる電界効果型トランジスタにおいて、十分な大きさのドレイン電流を得る技術を提供する。半導体基板1の上面に、Al x1 In y1 Ga 1−x1−y1 Nであるチャネル層3を形成し、チャネル層3の上面に、チャネル層3のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するAl x2 In y2 Ga 1−x2−y2 Nであるバリア層4を形成する。そして、バリア層4の上面に、バリア層4よりも大きいバンドギャップを有する、絶縁体または半導体であるゲート絶縁膜9を少なくとも部分的に形成し、ゲート絶縁膜9の上面に、ゲート電極10を形成する。そして、ゲート電極10に正の電圧を印加しつつ、熱処理を行う。

3. 发明专利

JP6541879B2 ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6541879B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2018523541
申请日：2017-04-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井章文 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 松田喬 , 倉橋健一郎 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , H01L21/338

4. 发明专利

JP2015115572A ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015115572A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258948
申请日：2013-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 倉橋健一郎
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、コンタクト抵抗を低減することが可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、基板1上に形成されたチャネル層3と、チャネル層3上に形成されたバリア層4と、バリア層4上の予め定められた領域に形成されたゲート電極7と、バリア層4上であって、ゲート電極7の一方側と他方側とに各々形成された生成層8と、生成層8上の各々に形成されたソース電極5およびドレイン電極6とを備え、バリア層4は、少なくともInを含み、生成層8は、Inを含むことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低接触电阻的异质结场效应晶体管，并提供其制造方法。解决方案：由氮化物半导体构成的异质结场效应晶体管包括形成在基板1上的沟道层3，形成在沟道层3上的阻挡层4，形成在阻挡层4上的预定区域中的栅电极7，分别形成在栅电极7的一侧和另一侧上的阻挡层4上的发生层8和形成在发生层8上的源电极5和漏电极6。阻挡层4至少包含In，生成层8包含In。

5. 发明专利

JP6771669B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6771669B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2019521594
申请日：2017-05-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 林田哲郎 , 吉嗣晃治 , 古川彰彦
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

6. 发明专利

JP6765578B1 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6765578B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：JP2020520682
申请日：2019-11-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 今井章文 , 綿引達郎
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：本発明は、ヘテロ接合電界効果型トランジスタに関し、第1の窒化物半導体のチャネル層の上層部に、第1の窒化物半導体とヘテロ接合する第2の窒化物半導体のバリア層と、バリア層を間に挟んで互いに間隔を開けて設けられたn型の第1および第2の不純物領域と、第1および第2の不純物領域の上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、少なくともバリア層のソース電極側の端縁部を除く領域と接するように設けられた絶縁膜と、バリア層の端縁部に接し、バリア層の端縁部を除く領域に接して設けられた絶縁膜を少なくとも覆うゲート絶縁膜と、縁膜上の一部の領域上と、バリア層の端縁部の領域上を覆うようにゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、バリア層における端縁部のチャネル層とバリア層の界面に発生する2DEGによるシート抵抗が10kΩ/sq以上となっている。

7. 发明专利

JP6279164B1 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6279164B1
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2017533356
申请日：2017-02-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：林田哲郎 , 南條拓真 , 綿引達郎 , 古川彰彦
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/47 , H01L29/66212 , H01L29/861 , H01L29/8613 , H01L29/868
摘要：基板(1)は窒化ガリウム系材料からなる。n型層(2)は、基板(1)の第1の面上に設けられている。p型層(31)は、n型層(2)上に設けられており、基板(1)の第1の面上においてn型層(2)とともに、底面(41b)と側面(41s)と天面(41t)とを有するメサ形状(41)が設けられた半導体層を構成している。アノード電極(71)はp型層(31)上に設けられている。カソード電極(6)は基板(1)の第2の面上に設けられている。絶縁膜(8)は、底面(41b)上から天面(41t)上へ延びることによって側面(41s)を覆っている。天面(41t)には少なくとも1つのトレンチ(51)が設けられている。上記少なくとも1つのトレンチ(51)は、絶縁膜(8)によって充填されたトレンチ(51)を含む。

8. 发明专利

JP5899093B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5899093B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2012204438
申请日：2012-09-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 尾上和之 , 今井章文 , 鈴木洋介 , 吹田宗義 , 岡崎拓行 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/3065 , H01L21/338

9. 发明专利

JP5871785B2 ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法有权
标题翻译：异质结型场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP5871785B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2012263981
申请日：2012-12-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 今井章文 , 鈴木洋介 , 吹田宗義 , 岡崎拓行 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338

10. 发明专利

JP2015230972A ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015230972A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014116615
申请日：2014-06-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井章文 , 倉橋健一郎 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 吹田宗義 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、電気特性の劣化を低減することが可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、半絶縁性SiC基板1上に形成されたチャネル層3と、チャネル層3上の予め定められた領域に形成されたゲート電極9と、チャネル層3上であって、ゲート電極9の一方側と他方側とに各々形成されたソース電極7およびドレイン電極8と、チャネル層3上であって、ゲート電極9、ソース電極7、およびドレイン電極8が形成された領域以外の領域に形成された電子供給層4とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低电特性劣化的异质结场效应晶体管，并提供其制造方法。解决方案：公开了一种由氮化物半导体构成的异质结场效应晶体管。该晶体管包括：形成在半绝缘SiC衬底1上的沟道层3; 形成在沟道层3上预定区域中的栅电极9; 源极电极7和漏极电极8，其分别设置在沟道层3上，分别形成在栅电极9的一侧和另一侧; 以及电子供给层4，其设置在沟道层3上并形成在形成有栅电极9，源电极7和漏电极8的区域以外的区域。

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