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1. 发明专利

JP6742483B1 半導体圧力センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6742483B1
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2019127355
申请日：2019-07-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：【課題】製造安定性が高く、高精度な半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体圧力センサ100は、一主面1aに基準圧力室10となる凹部3が形成された第一のシリコン基板1、第一のシリコン基板1の一主面1aに酸化膜8を介して接合され、凹部3を覆う第二のシリコン基板2、凹部3の上方に位置する第二のシリコン基板2に形成されたダイヤフラム5と、ダイヤフラム5に形成された感圧素子部であるゲージ抵抗6とを含む圧力検出部20を備えており、基準圧力室10となる凹部3は、第一のシリコン基板1の一主面1aの開口領域の輪郭を構成する縁部31と、その縁部31の内側に位置する基準圧力室10の容積を稼ぐための、縁部31よりも深く形成された主凹部30を有している。【選択図】図2

2. 发明专利

JP5822978B2 半導体圧力センサ有权
公开(公告)号：JP5822978B2
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：JP2014093597
申请日：2014-04-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治 , 出尾晋一
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00

3. 发明专利

JP5692099B2 半導体圧力センサおよびその製造方法有权
标题翻译：一种半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP5692099B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2012005283
申请日：2012-01-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉田幸久 , 出尾晋一 , 吉川英治 , 大路浩
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00

4. 发明专利

JP6425794B1 半導体圧力センサ有权
公开(公告)号：JP6425794B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2017238289
申请日：2017-12-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：【課題】サイズを大きくすることなく、高い信頼性を維持して、高精度に圧力を測定することができる水素透過防止性能を備えた半導体圧力センサを得ること。【解決手段】凹部が形成された第1の半導体基板と、第1の半導体基板に酸化膜を介して接合された第2の半導体基板とを備え、第1の半導体基板の凹部と第2の半導体基板とにより囲まれた空間で形成された基準圧力室と、第2の半導体基板の圧力を受ける面に、基準圧力室の外周に沿って形成されたピエゾ抵抗と、第2の半導体基板の圧力を受ける面と、第2の半導体基板および酸化膜の側面とに形成された保護膜とを備えた。【選択図】図2

5. 发明专利

JP5697535B2 圧力検出素子の製造方法有权
标题翻译：用于产生压力检测元件的方法
公开(公告)号：JP5697535B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011111429
申请日：2011-05-18
申请人：三菱電機株式会社
发明人：出尾晋一 , 吉川英治 , 西川和康
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00

6. 发明专利

JP6385553B1 半導体圧力センサ有权
公开(公告)号：JP6385553B1
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2017238288
申请日：2017-12-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：【課題】異なる圧力帯域においても、高精度に圧力を測定することができる機能安全性を備えた半導体圧力センサを得ること。【解決手段】複数の凹部が形成された第1の半導体基板と、第1の半導体基板に第1の酸化膜を介して接合された中間半導体基板と、中間半導体基板に第2の酸化膜を介して接合された第2の半導体基板とを備え、第1の半導体基板の第1の凹部と中間半導体基板とにより囲まれた空間で形成された第1の基準圧力室と、中間半導体基板は第1の半導体基板に形成された第2の凹部と連通する貫通孔を有し、第1の半導体基板の第2の凹部と中間半導体基板と第2の半導体基板とにより囲まれた空間で形成された第2の基準圧力室と、第2の半導体基板の圧力を受ける面に、第1と第2の基準圧力室の外周に沿って形成されたピエゾ抵抗とを備えた。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2018072229A 半導体差圧センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2018072229A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016214079
申请日：2016-11-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , G01L13/06
CPC分类号： G01L9/0054 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , G01L9/0047 , G01L19/04 , G01L19/0618
摘要：【課題】−40℃から130℃程度の広い温度範囲において安定して高精度な測定を行うことが可能な信頼性の高い半導体差圧センサと、この半導体差圧センサを安価且つ高歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体差圧センサエレメント100Aは、ダイヤフラム5の内側にのみ感歪素子6を配置し、ダイヤフラム5に沿って応力緩和溝13を設けているので、ケースの膨張または収縮による熱応力が感歪素子6へ伝播しにくく、外部の温度変化による特性変動が抑制される。また、凹部3の内部に犠牲柱12を設け、第二の半導体基板2を薄肉化するダイヤフラム形成工程や洗浄工程が繰り返し実施される機能素子形成工程において、ダイヤフラム5を犠牲柱12で保持するようにしたので、ダイヤフラム5の破損を防止することができ、歩留まりが著しく向上する。【選択図】図7

8. 发明专利

JP6293236B1 半導体差圧センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6293236B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2016214079
申请日：2016-11-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , G01L13/06
CPC分类号： G01L9/0054 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , G01L9/0047 , G01L19/04 , G01L19/0618
摘要：【課題】−40℃から130℃程度の広い温度範囲において安定して高精度な測定を行うことが可能な信頼性の高い半導体差圧センサと、この半導体差圧センサを安価且つ高歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体差圧センサエレメント100Aは、ダイヤフラム5の内側にのみ感歪素子6を配置し、ダイヤフラム5に沿って応力緩和溝13を設けているので、ケースの膨張または収縮による熱応力が感歪素子6へ伝播しにくく、外部の温度変化による特性変動が抑制される。また、凹部3の内部に犠牲柱12を設け、第二の半導体基板2を薄肉化するダイヤフラム形成工程や洗浄工程が繰り返し実施される機能素子形成工程において、ダイヤフラム5を犠牲柱12で保持するようにしたので、ダイヤフラム5の破損を防止することができ、歩留まりが著しく向上する。【選択図】図7

9. 发明专利

JP2021012146A 半導体圧力センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2021012146A
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2019127355
申请日：2019-07-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：【課題】製造安定性が高く、高精度な半導体圧力センサを提供する。【解決手段】半導体圧力センサ100は、一主面1aに基準圧力室10となる凹部3が形成された第一のシリコン基板1、第一のシリコン基板1の一主面1aに酸化膜8を介して接合され、凹部3を覆う第二のシリコン基板2、凹部3の上方に位置する第二のシリコン基板2に形成されたダイヤフラム5と、ダイヤフラム5に形成された感圧素子部であるゲージ抵抗6とを含む圧力検出部20を備えており、基準圧力室10となる凹部3は、第一のシリコン基板1の一主面1aの開口領域の輪郭を構成する縁部31と、その縁部31の内側に位置する基準圧力室10の容積を稼ぐための、縁部31よりも深く形成された主凹部30を有している。【選択図】図2

10. 发明专利

JP6300773B2 半導体圧力センサ有权
公开(公告)号：JP6300773B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015208550
申请日：2015-10-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00293 , G01L9/0048

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