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1. 发明专利

JP2018536150A 過圧保護付き圧力送信器审中-公开
公开(公告)号：JP2018536150A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2018516520
申请日：2015-09-30
申请人：ローズマウントインコーポレイテッド
发明人：フェティソフ,アレクサンドル・ウラジミロヴィチ , ペトゥホフ,パヴェル・アレクサンドロヴィッチ , チャルカシナ,ガリーナ・ウラジミロフナ , ウィルコックス,チャールズ・アール
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L19/0618 , G01L9/0064 , G01L9/0072 , G01L19/0046 , G01L19/06
摘要：プロセス流体圧力送信器が提供される。プロセス流体圧力送信器は、圧力に応答する圧力センサの変形に応じて変化する電気的特性を有する圧力センサを含む。測定回路は、圧力センサに連結され、電気的特性の指示を提供するように構成されている。分離ダイアフラムは、プロセス流体に接触し、プロセス流体圧に応答して変形するように構成されている。実質的に非圧縮性の充填流体は、分離ダイアフラムを圧力センサに流体的に連結する。過圧適合構造体は、充填流体に連結され、選択された閾値未満の圧力では実質的に剛体であるが、選択された閾値を超える圧力に応答して変形するように構成されている。

2. 发明专利

JP2018072229A 半導体差圧センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP2018072229A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2016214079
申请日：2016-11-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , G01L13/06
CPC分类号： G01L9/0054 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , G01L9/0047 , G01L19/04 , G01L19/0618
摘要：【課題】−40℃から130℃程度の広い温度範囲において安定して高精度な測定を行うことが可能な信頼性の高い半導体差圧センサと、この半導体差圧センサを安価且つ高歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体差圧センサエレメント100Aは、ダイヤフラム5の内側にのみ感歪素子6を配置し、ダイヤフラム5に沿って応力緩和溝13を設けているので、ケースの膨張または収縮による熱応力が感歪素子6へ伝播しにくく、外部の温度変化による特性変動が抑制される。また、凹部3の内部に犠牲柱12を設け、第二の半導体基板2を薄肉化するダイヤフラム形成工程や洗浄工程が繰り返し実施される機能素子形成工程において、ダイヤフラム5を犠牲柱12で保持するようにしたので、ダイヤフラム5の破損を防止することができ、歩留まりが著しく向上する。【選択図】図7

3. 发明专利

JP6293236B1 半導体差圧センサおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6293236B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2016214079
申请日：2016-11-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉川英治
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , G01L13/06
CPC分类号： G01L9/0054 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , G01L9/0047 , G01L19/04 , G01L19/0618
摘要：【課題】−40℃から130℃程度の広い温度範囲において安定して高精度な測定を行うことが可能な信頼性の高い半導体差圧センサと、この半導体差圧センサを安価且つ高歩留まりで製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】半導体差圧センサエレメント100Aは、ダイヤフラム5の内側にのみ感歪素子6を配置し、ダイヤフラム5に沿って応力緩和溝13を設けているので、ケースの膨張または収縮による熱応力が感歪素子6へ伝播しにくく、外部の温度変化による特性変動が抑制される。また、凹部3の内部に犠牲柱12を設け、第二の半導体基板2を薄肉化するダイヤフラム形成工程や洗浄工程が繰り返し実施される機能素子形成工程において、ダイヤフラム5を犠牲柱12で保持するようにしたので、ダイヤフラム5の破損を防止することができ、歩留まりが著しく向上する。【選択図】図7

4. 发明专利

JP2017102042A 圧力センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2017102042A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015236297
申请日：2015-12-03
申请人：アズビル株式会社
发明人：津嶋鮎美 , 石倉義之 , 東絛博史 , 田中達夫 , 小笠原里奈
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： G01L9/0051 , G01L19/0046 , G01L19/0618 , G01L19/148
摘要：【課題】圧力伝達媒体(封入液)の使用量を極小化するとともに、ハーメチックシールレス構造とし、小型化および低コスト化を図る。【解決手段】センサチップ24を被測定流体の圧力を導入する側の面(第1の保持部材24−2の下面)24aを接合面としてセンサ室20の底面(ベースボディ21−1の内壁面)20aに接合し、受圧ダイアフラム22とセンサチップ24の接合面24aとの間の封入室23(受圧室23−1+導圧路23−2)と第1の保持部材24−2の導圧孔24−2bとを連通させる。センサ室20は大気に解放する。これにより、センサダイアフラム24−1からのワイヤ29の導出部(ワイヤボンディング面)が封入室23の外側に位置し、電極ピン25と封入室23中の封入液27とが分離した構造となる。した構造となる。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6093035B2 圧力センサ装置並びに圧力センサ装置を組み立てる方法有权
标题翻译：组装压力传感器装置的方法和一种压力传感器装置
公开(公告)号：JP6093035B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2015550047
申请日：2013-12-20
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：ローラントザイツ , ヴォルフガングヴェアンレ
IPC分类号： G01L19/06
CPC分类号： G01L19/0618 , G01D11/245 , G01L19/0645 , G01L19/143 , G01L19/0038

6. 发明专利

JP6034818B2 圧力センサチップ有权
公开(公告)号：JP6034818B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2014041266
申请日：2014-03-04
申请人：アズビル株式会社
发明人：瀬戸祐希
IPC分类号： H01L29/84 , G01L13/00 , G01L19/06
CPC分类号： G01L19/0627 , G01L13/025 , G01L19/0618 , G01L9/0051

7. 发明专利

JP2005069736A Pressure sensor device 有权
标题翻译：压力传感器装置
公开(公告)号：JP2005069736A
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：JP2003296695
申请日：2003-08-20
申请人： Yamatake Corp , 株式会社山武
发明人： YONEDA MASAYUKI , MIZOGUCHI JUN , KAJIO TAKAHIRO , ISHIKAWA MASAYA , AZUMA YOICHI , TSUCHIYA NAOHISA
IPC分类号： G01L9/04 , G01L9/00 , G01L19/06 , H01L29/84
CPC分类号： G01L19/0618 , G01L9/0051 , G01L13/026 , G01L19/0092 , G01L19/0645
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor device having a simple structure and capable of being miniaturized, in which the excessive pressure protection operational pressure for a sensor chip can be made sufficiently high. SOLUTION: The pressure sensor device is provided with a sheet-like diaphragm on whose surface a strain resistance gauge is formed and a stopper member having a recessed part consisting of a curved surface along the displacement of the diaphragm, in which the recessed part is provided so as to be disposed opposite the diaphragm. In particular, the curved surface of the recessed part is formed as the recessed surface in which the depth (y) at the distance (x) from the center of the diaphragm, with respect to the excessive pressure protection operational pressure (p), is expressed by a quartic function of [y=pr 4 (1-x 2 /r 2 ) 2 /64D], where (r) is the radius of the diaphragm, (t) is the thickness, and D is flexural stiffness. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有简单结构并能够小型化的压力传感器装置，其中传感器芯片的过压保护操作压力可以足够高。解决方案：压力传感器装置在其表面上形成有应变阻力计，并具有一个止动件，该片状隔膜具有沿着隔膜的位移由弯曲表面构成的凹部，其中凹入部分设置成与隔膜相对设置。特别地，凹部的弯曲表面形成为凹部表面，其中相对于过压保护操作压力（p），距隔膜中心距离（x）的深度（y）为由[y = pr 4 （1-x 2 / r 2 ）的四次函数表示。 64D]，其中（r）是隔膜的半径，（t）是厚度，D是挠曲刚度。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

8. 发明专利

JPS5737019B2 JPS5737019B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5737019B2
公开(公告)日：1982-08-07
申请号：JP4861577
申请日：1977-04-28
IPC分类号： G01L13/06 , G01L7/08 , G01L9/00 , G01L13/02
CPC分类号： G01L19/148 , G01L9/0054 , G01L13/025 , G01L19/0038 , G01L19/0618 , G01L19/0645

9. 发明专利

JP2018526643A 高過度圧力に耐えることができ、拡張された圧力信号出力を有するシリコン片圧力センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2018526643A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2018510709
申请日：2016-08-29
申请人：ローズマウントインコーポレイテッド
发明人：ウィルコックス,チャールズ,レイ , ブロジェット,ジェニファー,アン , ロモ,マーク,ジョージ
IPC分类号： G01L9/00 , G01L19/06
CPC分类号： G01L9/0041 , G01L9/0042 , G01L9/0047 , G01L9/0052 , G01L9/0072 , G01L19/0618
摘要：圧力センサ200は、高圧力コンタクト部205,207を有する基部203、基部203上に位置され、基部203と反対側の外側上部表面218を有するダイアフラム202を含む。外側上部表面218は、閉周囲と閉周囲から基部203の方に延びる外側側部表面206,208の内側に定められる。ダイアフラム202の高圧力コンタクト部は、基部の高圧力コンタクト部と整列し、ギャップによって隔離される。感知素子は、ダイアフラムに結合され、ダイアフラムの変化に基づいて出力を提供する。ダイアフラム202の外側上部表面218および外側側部表面206,208に閾値の上の静水圧が加えられると、静水圧負荷は、ダイアフラムの高圧力コンタクト部を基部の高圧力コンタクト部に接触させる。

10. 发明专利

JP2017211375A 差圧センサ最大過剰圧保護機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017211375A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017094380
申请日：2017-05-11
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド , Honeywell International Inc.
发明人：グレゴリー・シー.ブラウン
IPC分类号： G01L19/06 , G01L9/00 , H01L41/113 , G01L13/06
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L13/025 , G01L19/0618 , G01L9/0048 , G01L9/0052 , G01L9/0055
摘要：【課題】第1の過剰圧停止構造を第1の表面上に含むベース基板と、第1の表面に結合されたダイアフラム構造とを備える差圧センサのための圧力センサダイアセンブリを提供すること。【解決手段】ダイアフラム構造は、第1の空洞および第1の空洞を囲む第2の空洞を含む空洞区画を有する第1の側と、第1の側と反対側の第2の側と、を備える。感圧ダイアフラム部分は、第1の空洞によって画定され、そして第1の過剰圧停止構造の上方にある。過剰圧ダイアフラム部分は、第2の空洞によって画定される。ダイアフラム構造の第2の側に結合された最上部キャップは、第2の過剰圧停止構造を含む。ダイアフラム構造の第1または第2の側で過剰圧が増加した際に過剰圧停止構造は、感圧ダイアフラム部分の歪み領域の概ね全てを支持するよう寸法設定される。【選択図】図1B

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