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1. 发明专利

JP5871785B2 ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法有权
标题翻译：异质结型场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP5871785B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2012263981
申请日：2012-12-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 今井章文 , 鈴木洋介 , 吹田宗義 , 岡崎拓行 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338

2. 发明专利

JP2015073073A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015073073A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014098310
申请日：2014-05-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：南條拓真 , 今井章文 , 鈴木洋介 , 吹田宗義 , 倉橋健一郎 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】高速動作時におけるドレイン電流の低下を抑制することにより、より優れた高周波特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】積層体T1は、ゲート電極7が設けられた表面F1を有し、窒化物半導体から作られている。積層体T1は、第1のバンドギャップを有する第1の層2と、第1の層2および表面F1の間に設けられ第1のバンドギャップよりも大きい第2のバンドギャップを有する第2の層3とを含む。第1および第2の層2,3はヘテロ接合による接合面を構成している。表面F1は1.7×10 6 cm -2 以下の表面欠陥密度を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制高速运转时的漏极电流降低而具有优异的高频特性的半导体装置。解决方案：层压体T1具有设置有栅电极7的表面F1，并且是由氮化物半导体制成。层压体T1包括具有第一带隙的第一层2和设置在第一层2和表面F1之间并且具有大于第一带隙的第二带隙的第二层3。第一和第二层2和3通过异质结构成接合面。表面F1的表面缺陷密度为1.7×10cm以下。

3. 发明专利

JPWO2020115852A1 マッハツェンダ型光変調器审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020115852A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2018044855
申请日：2018-12-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 林周作 , 秋山浩一
IPC分类号： G02F1/025
摘要：マッハツェンダ型光変調器の小型化が可能な技術を提供することを目的とする。クラッド層に、複数の第1及び第2ビアホールが光導波路に沿って配設されている。マッハツェンダ型光変調器は、複数の第1ビアホールを介して第1半導体領域と接続され、かつ、平面視にて光導波路に沿って幅及び長さを有して延在する幅が広い第1進行波電極と、複数の第2ビアホールを介して第2半導体領域と接続され、かつ、平面視にて光導波路に沿って幅及び長さを有して延在する幅が広い第2進行波電極とを備える。

4. 发明专利

JP2015115572A ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015115572A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258948
申请日：2013-12-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 倉橋健一郎
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、コンタクト抵抗を低減することが可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、基板1上に形成されたチャネル層3と、チャネル層3上に形成されたバリア層4と、バリア層4上の予め定められた領域に形成されたゲート電極7と、バリア層4上であって、ゲート電極7の一方側と他方側とに各々形成された生成層8と、生成層8上の各々に形成されたソース電極5およびドレイン電極6とを備え、バリア層4は、少なくともInを含み、生成層8は、Inを含むことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低接触电阻的异质结场效应晶体管，并提供其制造方法。解决方案：由氮化物半导体构成的异质结场效应晶体管包括形成在基板1上的沟道层3，形成在沟道层3上的阻挡层4，形成在阻挡层4上的预定区域中的栅电极7，分别形成在栅电极7的一侧和另一侧上的阻挡层4上的发生层8和形成在发生层8上的源电极5和漏电极6。阻挡层4至少包含In，生成层8包含In。

5. 发明专利

JP2017022825A 整流器审中-公开
公开(公告)号：JP2017022825A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137073
申请日：2015-07-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 津留正臣 , 谷口英司
IPC分类号： H02M7/12
摘要：【課題】簡易な回路構成で、広い電力範囲で高いRF−DC変換効率を実現することのできる整流器を得る。【解決手段】直列数nかつ並列数m(n≧2、m≧1)の整流手段を構成する整流素子21,22,23,24の組み合わせを切り替えるための切替手段31,32,41,42を設ける。入力電力計測部7によって整流器に入力される高周波の電力を計測し、制御部8は、この計測された電力に応じて切替手段31,32,41,42のオンとオフを切り替えて整流素子21,22,23,24の直列及び並列接続の組み合わせを制御する。【選択図】図1
摘要翻译：简单的电路结构，以获得整流器能够在宽的功率范围内实现高的RF-DC转换效率。一种开关装置，用于切换整流元件21，22，23，24构成的串联数n和平行数m（N≧2，M≧1）的整流装置的组合31,32,41,42 提供。措施输入由输入功率测量单元7，控制单元8，整流元件21的整流的电力的频率接通和断开开关装置31，32，41，42响应于所测得的功率时，它控制的22，23和24并联连接的串联和组合。点域1

6. 发明专利

JP2015079806A へテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相结场场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015079806A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013215167
申请日：2013-10-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吹田宗義 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 倉橋健一郎 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、耐圧を向上させ、ドレイン電流−電圧特性およびパルス特性を改善できる、ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1窒化物半導体層2上の第2窒化物半導体層3と、第2窒化物半導体層上の第3窒化物半導体層4と、第3窒化物半導体層上の第4窒化物半導体層5と、一端が第2窒化物半導体層と接触し、かつ、他端が外部まで延設された電極11とを備える。第3窒化物半導体層が、第1窒化物半導体層および第2窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种异质结场效应晶体管及其制造方法，其可以提高耐压并提高漏极电流 - 电压特性和脉冲特性。解耦：异质结场效应晶体管包括：第二氮化物第一氮化物半导体层2上的半导体层3; 第二氮化物半导体层上的第三氮化物半导体层4; 在第三氮化物半导体层上的第四氮化物半导体层5; 以及电极11，其一端接触第二氮化物半导体层，另一端延伸到外部。第三氮化物半导体层的带隙小于第一氮化物半导体层或第二氮化物半导体层的带隙。

7. 发明专利

JP6410680B2 整流器审中-公开
公开(公告)号：JP6410680B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2015137073
申请日：2015-07-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 津留正臣 , 谷口英司
IPC分类号： H02M7/12

8. 发明专利

JP2015198210A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015198210A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014076707
申请日：2014-04-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 倉橋健一郎 , 本谷宗
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/338
摘要：【課題】窒化物半導体のヘテロ接合を用いる場合において、より高い耐圧を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル層3およびバリア層4は、窒化物半導体からなり、ヘテロ接合をなしている。ソース電極5およびドレイン電極6はバリア層4上に互いに離れて配置されている。ゲート電極7は、バリア層4上でソース電極5およびドレイン電極6の間に配置されている。保護膜8はソース電極5およびドレイン電極6の間でバリア層4を被覆している。保護膜8は、結合エネルギーE Al2p の2p3/2軌道を有するAl原子と結合エネルギーE O1s の1s軌道を有するO原子とを含む化合物から作られ、結合エネルギーE Al2p およびE O1s の差異が456.82eV以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件及其制造方法，其可以在使用氮化物半导体的异质结的情况下确保更高的耐压性。解决方案：半导体器件包括：沟道层3和栅极层4，其由氮化物半导体构成，形成异质结; 源极5和漏极6，它们彼此间隔一定距离设置在阻挡层4上; 布置在源电极5和漏电极6之间的阻挡层4上的栅电极7; 以及保护膜8，其覆盖源极电极5和漏极电极6之间的阻挡层4.保护膜8由包含具有2p3 / 2的键能分子轨道的Al原子的化合物组成，并且具有 1分子轨道的键能E.键能E和键能Eis之间的差异等于或小于456.82 eV。

9. 发明专利

JP2015167220A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015167220A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014244629
申请日：2014-12-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：倉橋健一郎 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28581 , H01L29/475 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】窒化物半導体からなる半導体装置において逆方向リーク電流をより低減するとともに、製造方法の自由度を高めることが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4と、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面上に配設され、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面とショットキー接合を成すNi単層構造からなるゲート電極6aとを備える。窒素雰囲気中でゲート電極6aに500℃以上のアニーリング処理が行われたことによって、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面とゲート電極6aとの間に反応層7が形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够进一步减少包括氮化物半导体的半导体器件中的反向泄漏电流以及其制造方法的自由度的增加的技术。解决方案：半导体器件包括：屏障 AlGaN层4（0≤x≤1）; 和由AlGaN（0≤x≤1）的阻挡层4的表面形成的与AlGaN的阻挡层4的表面形成肖特基接合的由Ni单层结构构成的栅电极6a（0≤x≤1） 1）。半导体器件还包括通过在氮气气氛中在500℃以上退火栅极6a而形成在AlGaN（0≤x≤1）的势垒层4的表面与栅电极6a之间的反应层7 。

10. 发明专利

JP2015165530A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015165530A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2014040038
申请日：2014-03-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木洋介 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 今井章文 , 倉橋健一郎 , 中村茉里香
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、電流コラプスを抑制することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体基板1上に形成されたチャネル層3と、チャネル層3上に形成された、Inを含む窒化物半導体からなるバリア層4と、バリア層4上に部分的に形成されたゲート電極8と、バリア層4上に部分的に形成された、窒化物半導体からなるキャップ層5と、キャップ層5上に部分的に形成されたドレイン電極7とを備える。ゲート電極8のドレイン電極7に近い側の端部とキャップ層5とは、互いに離間して形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以抑制电流崩溃的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件包括：形成在半导体衬底1上的沟道层3; 阻挡层4，其形成在沟道层3上并且由含In氮化物半导体构成; 部分地形成在阻挡层4上的栅电极8; 第一层5，其部分地形成在阻挡层4上并由氮化物半导体构成; 以及部分地形成在盖层5上的漏极电极7.在漏极电极7和盖层5的一侧上的栅电极8的一端形成为彼此间隔开。

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