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1. 发明专利

JP6369366B2 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6369366B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2015064093
申请日：2015-03-26
申请人：豊田合成株式会社
发明人：田中成明 , 岡徹
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L21/30621 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L29/2003 , H01L29/407 , H01L29/475 , H01L29/66212 , H01L29/872

5. 发明专利

JPWO2015155806A1 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2015155806A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016512493
申请日：2014-04-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：洋介中西 , 洋介中西 , 博明岡部 , 博明岡部 , 基吉田 , 基吉田 , 須賀原　和之 , 和之須賀原 , 貴亮富永 , 貴亮富永
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02529 , H01L21/0485 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/475 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要：製造工程数の増加を抑制するとともに、半導体基板に対する合金層のオーミック特性の劣化を抑制することができる炭化珪素半導体の製造方法を提供する。炭化珪素からなる半導体基板11上に、第一の金属からなる金属層30を形成する工程と、金属層30上に第二の金属を窒化した金属窒化膜40を形成する工程と、金属窒化膜40を介してレーザ光を照射し半導体基板11の炭化珪素と金属層30の第一の金属との合金層31を形成する工程と、金属窒化膜40上に電極20を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法とする。

6. 发明专利

JPWO2014185034A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JPWO2014185034A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015516906
申请日：2014-05-08
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：昇根来 , 直大鶴見 , 大輔柴田
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/318 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L21/0214 , H01L21/02145 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/02274 , H01L21/283 , H01L21/563 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/291 , H01L29/0638 , H01L29/1066 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/475 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：半導体装置は、窒化物半導体からなる半導体層と、半導体層上に形成されたオーミック電極とショットキー電極と、オーミック電極とショットキー電極の間の半導体層上とショットキー電極とを覆う単位体積あたりの水素含有量の少ない第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の上に形成された第1の絶縁膜より単位体積あたりの水素含有量の多い第2の絶縁膜とを備える。
摘要翻译：该半导体器件包括覆盖半导体层和在欧姆电极和肖特基电极之间的肖特基电极由氮化物半导体构成的半导体层，欧姆电极和形成在所述半导体层上的肖特基电极，每单位体积包括第一绝缘膜低的氢含量，并且每单位体积的第一绝缘高的氢含量比形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜的膜。

7. 发明专利

JPWO2014080820A1 ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：肖特基势垒二极管及其制造的方法
公开(公告)号：JPWO2014080820A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014548531
申请日：2013-11-13
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：邦亮石原 , 邦亮石原
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/0254 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/0603 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/475 , H01L29/66212
摘要：本ショットキーバリアダイオードは、第1の主面側から第2の主面側への一方向に順に配置されている、第1の電極(72)と、III族窒化物膜(20)と、開口部を有する絶縁膜(30)と、ショットキーコンタクト金属膜(40)と、接合金属膜(60)と、導電性支持基板(50)と、第2の電極(75)と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜(40)の一部は絶縁膜(30)の一部の上に乗り上げることができる。また、本ショットキーバリアダイオードは、ショットキーコンタクト金属膜(40)の凹部と接合金属膜(60)との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含むことができる。これにより、高耐圧で大電流を流すことができる低コストのショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。
摘要翻译：从第一主面侧向第二主面侧的一个方向本肖特基势垒二极管被布置在该顺序中，第一电极（72），一个III族氮化物膜（20），包括一个具有开口（30）的绝缘膜，所述肖特基接触的金属膜（40），接合金属层（60），导电支撑衬底（50）和第二电极（75），则。在此，一些所述肖特基接触的金属膜（40）的能骑在绝缘膜（30）的至少一部分。另外，肖特基势垒二极管可以进一步包括埋置金属膜设置在肖特基接触的金属层（40）和键合金属层（60）的凹部之间。因此，为了提供肖特基势垒二极管的低成本和制造方法能够以高击穿电压流过大电流的物。

8. 发明专利

JP6053103B2 ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：宽带隙半导体器件及其制造相同的方法
公开(公告)号：JP6053103B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2012091460
申请日：2012-04-12
申请人：富士電機株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：木下明将 , 辻崇 , 福田憲司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47
CPC分类号： H01L27/0766 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/6606 , H01L29/7393 , H01L29/7801 , H01L29/872

9. 发明专利

JP2016181583A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016181583A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015060498
申请日：2015-03-24
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：川口博子 , 熊倉弘道 , 吉江徹 , 大久保秀一
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/475 , H01L29/6606 , H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/452
摘要：【課題】順方向電流による素子破壊を防止しつつ特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】素子領域及び素子領域101の周囲を囲む外周領域102が主面に定義されたn型の半導体基体10と、外周領域102で半導体基体10の上面に素子領域101の周囲を囲んで配置された低濃度p型領域21及び低濃度p型領域21よりも不純物濃度が高く、かつ、低濃度p型領域21の内側に配置された高濃度p型領域22を有する。高濃度p型領域22が側面及び底面を低濃度p型領域21に覆われて半導体基体10のn型領域12と接触していないp型のガードリング20と、高濃度p型領域22とオーミック接合を形成するオーミック接合電極30とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制由于正向电流而导致的元件破坏的特性劣化的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：n型半导体衬底10，其中元件区域101和外围区域 102围绕元件区域被限定在主表面上; 以及以外围区域101配置在外周区域102的半导体衬底10的顶面上的低浓度p型区域21和具有杂质的高浓度p型区域22 浓度高于低浓度p型区域21的浓度，并且配置在低浓度p型区域21的内部。高浓度p型区域22包括：p型保护环20，其具有侧面和底面被低浓度p型区域21覆盖，并且不与半导体衬底10的n型区域12接触; 以及与高浓度p型区域22形成欧姆结的欧姆接合电极30.图示：

10. 发明专利

JP5983999B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5983999B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2012147538
申请日：2012-06-29
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：西沢修一
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/41 , H01L21/288 , H01L29/06 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/417 , H01L29/475 , H01L29/511 , H01L29/66462 , H01L21/28 , H01L21/28587 , H01L29/401 , H01L29/42316 , H01L29/812

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