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1. 发明专利

JPWO2011125326A1 アルキルナフタレンホルムアルデヒド重合体の精製方法有权
公开(公告)号：JPWO2011125326A1
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2012509315
申请日：2011-04-05
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：悠岡田 , 悠岡田 , 豪東原 , 豪東原
IPC分类号： C08G10/02
CPC分类号： C08G10/02 , C08L61/18
摘要：本発明は、金属含有量の低減されたアルキルナフタレンホルムアルデヒド重合体の工業的に有利な精製方法を提供することを目的とする。解決手段としては、アルキルナフタレンとホルムアルデヒドとを反応させて得られるアルキルナフタレンホルムアルデヒド重合体、及び、有機溶媒を含む溶液を、酸性の水溶液と接触させることを特徴とする。

2. 发明专利

JPWO2014196425A1 レジスト組成物审中-公开
标题翻译：抗蚀剂组合物
公开(公告)号：JPWO2014196425A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015521405
申请日：2014-05-28
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：大晃高須賀 , 雅敏越後 , 悠岡田 , ゆみ落合
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2059 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：本発明に係るレジスト組成物は、レジスト基材を含む固形成分と溶媒とを含有するレジスト組成物である。さらに、本発明に係るレジスト組成物において、前記レジスト組成物中の固形成分が1〜80質量%、溶媒が20〜99質量%の範囲であり、前記レジスト基材が所定の式(1)で表される化合物(ctt体)と所定の式(3)で表される化合物とを含有し、前記レジスト基材に占める所定の式(1)で表される化合物(ctt体)の割合が65〜99質量%であり、かつ、所定の式(1)で表される化合物(ctt体)に対する所定の式(3)で表される化合物の質量比率が0.01〜0.53である。
摘要翻译：根据本发明的抗蚀剂组合物是含有固体成分和含有抗蚀基板溶剂的抗蚀剂组合物。此外，在本发明的抗蚀剂组合物，抗蚀剂在1中的组合物的固体成分，以80重量％，溶剂为20的范围内至99％（重量），抗蚀基板是在预定的等式（1）由（CTT体）所表示的化合物包含给定式（3）表示的化合物，由给定的公式占抗蚀基板所表示的化合物的比例（1）（CTT体）是65 一个99％（重量），由给定的式（3）表示的化合物的相对于的重量比由给定式（1）（CTT体）所表示的化合物为0.01至0.53。

3. 发明专利

JPWO2011065004A1 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JPWO2011065004A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2011543109
申请日：2010-11-25
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：高須賀　大晃 , 大晃高須賀 , 越後　雅敏 , 雅敏越後 , 悠岡田 , 悠岡田
IPC分类号： C07C43/253 , C07C41/30 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , C07C41/30 , C07C43/23 , C07C43/253 , C07C2601/14
摘要：安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度でかつ、得られるレジストパターン形状が良好で、レジストパターン倒れを生じにくい環状化合物、その製造方法、その環状化合物を含む感放射線性組成物、及び該組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。特定構造を有する環状化合物、その製造方法、該化合物を含む感放射性組成物、及び該組成物を用いるレジストパターン形成方法。

4. 发明专利

JPWO2014061710A1 レジスト組成物有权
标题翻译：抗蚀剂组合物
公开(公告)号：JPWO2014061710A1
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2014542162
申请日：2013-10-16
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：高須賀　大晃 , 大晃高須賀 , 越後　雅敏 , 雅敏越後 , 悠岡田 , 悠岡田 , ゆみ落合 , ゆみ落合
IPC分类号： G03F7/038 , C07C39/17 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , C07C39/17 , C07C2601/14 , C07C2603/92 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , H01L21/027
摘要：本発明のレジスト組成物は、レジスト基材と溶媒とを含むレジスト組成物であって、該レジスト基材が特定の立体異性体を含有し、且つ該レジスト基材に占める前記特定の立体異性体の割合が50〜100質量%である。
摘要翻译：本发明的抗蚀剂组合物是含有抗蚀基板和溶剂的抗蚀剂组合物，含有该抗蚀基板是特定的立体异构，并在抗蚀基板所占据的特定立体异构体为50〜100重量％的比例。

5. 发明专利

JPWO2011148603A1 環状化合物の精製方法有权
公开(公告)号：JPWO2011148603A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：JP2012517127
申请日：2011-05-20
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：悠岡田 , 悠岡田 , 宏美林 , 宏美林 , 越後　雅敏 , 雅敏越後
IPC分类号： C07C37/72 , C07C39/17
CPC分类号： C07C29/86 , C07C37/72 , C07C39/15
摘要：特定構造を有する環状化合物を工業的に有利に精製する方法を提供する。特定構造を有する環状化合物と有機溶媒を含む溶液を、水又は酸性の水溶液と接触させる工程を含むことを特徴とする環状化合物の精製方法。

6. 发明专利

JPWO2011037073A1 トランス環状ポリフェノール化合物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011037073A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011532984
申请日：2010-09-16
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：悠岡田 , 悠岡田
IPC分类号： C07C37/20 , C07C39/17 , G03F7/004 , G03F7/038
CPC分类号： C07C37/20 , C07C2601/14 , G03F7/038 , C07C39/17
摘要：下記式(3):【化1】(式中、L、R1、m、およびR’は明細書において定義したとおり)で表される低分子量トランス環状ポリフェノール化合物の選択的製造方法。選択的製造方法は、少なくとも1種のフェノール化合物と少なくとも1種のアルデヒド化合物とを触媒の存在下で、反応開始時の反応系内の水分量をフェノール化合物の仕込量100重量部に対して0〜50重量部の範囲に制御して反応させる工程を含む。

7. 发明专利

JPWO2011037072A1 環状化合物、感放射線性組成物およびレジストパターン形成法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011037072A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011532983
申请日：2010-09-16
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：悠岡田 , 悠岡田 , 宏美林 , 宏美林 , 越後　雅敏 , 雅敏越後 , 小黒　大 , 大小黒
IPC分类号： C07C39/12 , C07C39/17 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： C07C39/17 , G03F7/0382
摘要：下記式(1)で示される環状化合物。【化1】(式中、L、R1、R’およびmは明細書中で定義したとおり)。式(1)で示される環状化合物は高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与えるので、感放射線性組成物の成分として有用である。

8. 发明专利

JPWO2011037071A1 環状化合物、感放射線性組成物およびレジストパターン形成法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011037071A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2011532982
申请日：2010-09-16
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：悠岡田 , 悠岡田 , 宏美林 , 宏美林 , 越後　雅敏 , 雅敏越後 , 小黒　大 , 大小黒
IPC分类号： C07C39/17 , G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： C07C39/17 , G03F7/0382
摘要：下記式(1)で示される環状化合物。【化1】(式中、L、R1、R’、および、mは明細書中で定義したとおり)。式(1)で示される環状化合物は高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与えるので、感放射線性組成物の成分として有用である。

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