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1. 发明专利

JPWO2016129679A1 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び化合物又は樹脂の精製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016129679A1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016574863
申请日：2016-02-12
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：匠樋田 , 匠樋田 , 越後　雅敏 , 雅敏越後 , 佐藤　隆 , 隆佐藤 , 牧野嶋　高史 , 高史牧野嶋
IPC分类号： C07C43/235 , C07C41/38 , C07C43/205 , C07C43/275 , C08G61/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C07C43/275 , C07C41/38 , C07C43/205 , C07C43/235 , C08G8/00 , C08G8/10 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
摘要：下記式(1)で表される化合物。【化1】(式(1)中、R1は、炭素数1〜30の2n価の基であり、R2〜R5は、各々独立して、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、チオール基又は水酸基であり、但し、R4の少なくとも1つ及び/又はR5の少なくとも1つは炭素数1〜30のアルコキシ基であり、m2及びm3は、各々独立して0〜8の整数であり、m4及びm5は、各々独立して0〜9の整数であり、但し、m4とm5は同時に0となることはなく、nは、1〜4の整数であり、p2〜p5は各々独立して0〜2の整数である。

2. 发明专利

JPWO2015137486A1 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015137486A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016507846
申请日：2015-03-13
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：牧野嶋　高史 , 高史牧野嶋 , 越後　雅敏 , 雅敏越後
IPC分类号： C07C39/15 , C08G8/04 , C08G8/20 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： C07C39/15 , C07C37/68 , C08G8/04 , C08G8/10 , C09D161/06 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/327
摘要：本発明に係る化合物は、特定の式で表される。上記特定の式に係る構造を有するため、本発明に係る化合物は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れる。また、本本発明に係る化合物は特定の構造を有するため、耐熱性が高く、炭素濃度が比較的に高く、酸素濃度が比較的に低く、溶媒溶解性も高い。そのため、本本発明に係る化合物を用いることで、高温ベーク時の膜の劣化が抑制され、酸素プラズマエッチング等に対するエッチング耐性にも優れた下層膜を形成することができる。さらには、レジスト層との密着性にも優れるので、優れたレジストパターンを形成することができる。

3. 发明专利

JPWO2015080240A1 化合物又は樹脂の精製方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015080240A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015551008
申请日：2014-11-28
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：越後　雅敏 , 雅敏越後 , 牧野嶋　高史 , 高史牧野嶋 , 直哉内山 , 直哉内山
IPC分类号： C07D311/82
CPC分类号： C07D311/92
摘要：本発明に係る精製方法は、下記式(1)で表される化合物又は下記式(2)で表される構造を有する樹脂の精製方法であって、水と任意に混和しない有機溶媒及び前記化合物又は前記樹脂を含む溶液(A)と、酸性の水溶液と、を接触させる工程を含む。(上記式中、Xは酸素原子又は硫黄原子、R1は単結合又は炭化水素基、R2はアルキル基又は水酸基等であり、ここで、R2の少なくとも1つは水酸基であり、R3は単結合又はアルキレン基であり、mは1〜6、m2は1〜5、pは0又は1、nは1〜4である。)

4. 发明专利

JPWO2014123032A1 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体有权
标题翻译：抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案用于形成方法和多酚衍生物在其中
公开(公告)号：JPWO2014123032A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2014560727
申请日：2014-01-28
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：越後　雅敏 , 雅敏越後 , 雅子山川 , 雅子山川
IPC分类号： G03F7/004 , C07C69/712 , C07C69/96 , C07D311/82 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： C07D311/78 , C07C69/734 , C07C69/96 , C07C2601/14 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32
摘要：耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ良好なレジストパターン形状を付与できるレジスト組成物を提供する。そのようなレジスト組成物は、下記一般式(1)又は(2)で表される化合物を含有する。
摘要翻译：优异的耐热性，溶解性安全的溶剂是高，提供了高灵敏度和良好的抗蚀剂图案轮廓可以赋予抗蚀剂组合物。这种抗蚀剂组合物包含由以下通式表示的化合物（1）或（2）。

5. 发明专利

JPWO2013047106A1 フルオレン構造を有する樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成材料有权
标题翻译：下层膜形成用的树脂材料和具有芴结构的光刻
公开(公告)号：JPWO2013047106A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013536113
申请日：2012-09-04
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：豪東原 , 豪東原 , 直哉内山 , 直哉内山 , 越後　雅敏 , 雅敏越後
IPC分类号： C08G61/10 , C08G8/02 , C08G10/00 , C08G14/00 , C08G85/00 , C08L61/00 , C08L65/00 , C08L87/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/592 , C08L65/00 , G03F7/0041 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：樹脂中の炭素濃度が比較的に高く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く湿式プロセスが適用可能な、新規なフルオレン構造を有する樹脂及びその製造方法、並びに、多層レジスト用下層膜として耐熱性及びエッチング耐性に優れる新規なレジスト下層膜を形成するために有用な下層膜形成材料及び該材料を用いたパターン形成方法等を提供する。本発明の樹脂は、下記一般式(1)で示される構造を有するものである。【化1】(一般式(1)中、R3及びR4は、各々独立して、ベンゼン環又はナフタレン環であり、フルオレン骨格又は(ジ)ベンゾフルオレン骨格の橋頭位の炭素原子は他の芳香環の炭素原子と結合し、フルオレン骨格又は(ジ)ベンゾフルオレン骨格の芳香環の炭素原子は他のフルオレン骨格又は(ジ)ベンゾフルオレン骨格の橋頭位の炭素原子と結合している。)
摘要翻译：在树脂中的碳浓度相对较高，耐热性比较高，溶剂溶解性也适用相对高的湿处理中，树脂以及它们的具有新颖芴结构的制造方法和多层抗蚀剂它提供了一种使用有用下层膜形成材料的图案形成方法和所述材料以形成新的抗蚀剂下层膜优异的耐热性和耐蚀刻性等中使用下层膜。本发明的树脂是那些具有下述通式（1）表示的结构。 ## STR1（通式（1）中，R3和R4各自独立地为苯环或萘环，芴骨架或（二）个碳原子的桥头位置苯并芴骨架等的芳香族环的键合到碳原子，芴骨架或芳环的碳原子的（二）苯并芴骨架结合到另一个芴骨架或（二）个碳原子的桥头位置苯并芴骨架。）

6. 发明专利

JP5660171B2 感放射線性組成物、化合物、化合物の製造方法およびレジストパターン形成方法有权
标题翻译：辐射敏感组合物，化合物，制造方法，以及该化合物的抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：JP5660171B2
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：JP2013167015
申请日：2013-08-09
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：越後　雅敏 , 雅敏越後 , 小黒　大 , 大小黒
IPC分类号： C07C67/343 , C07C69/63 , C07C69/712 , G03F7/004 , G03F7/039

7. 发明专利

JPWO2011099235A1 下層膜材料及び多層レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JPWO2011099235A1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：JP2011553731
申请日：2011-01-18
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：宏美林 , 宏美林 , 越後　雅敏 , 雅敏越後
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/11
摘要：安全溶媒に対する溶解性が高く、エッチング耐性に優れ、昇華物が実質的に無い、レジスト下層膜を形成するための下層膜材料、及びこれを用いたレジストパターン形成方法の提供を目的とする。2種以上の特定構造を有する環状化合物を含む下層膜材料及び該下層膜材料を用いるレジストパターン形成方法であることを特徴とする。

8. 发明专利

JPWO2011086933A1 ビシクロヘキサン誘導体化合物及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011086933A1
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2011549943
申请日：2011-01-13
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：越後　雅敏 , 雅敏越後 , 小黒　大 , 大小黒
IPC分类号： C07C43/12 , C07C41/09 , C07C43/23 , C07C69/54 , C07C69/712 , C08F20/28
CPC分类号： C07C69/54 , C07C43/12 , C07C43/23 , C07C59/72 , C07C69/712 , C07C2601/14 , C08F20/28 , C08F220/28 , C08K5/04 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F220/20
摘要：フォトレジスト分野、医薬・農薬中間体分野等に有用なビシクロへキサン誘導体化合物及びその製造方法を提供する。下記一般式(II)で表されるビシクロヘキサン誘導体化合物を提供する。

9. 发明专利

JP4815871B2 Resist compound and resist composition 有权
公开(公告)号：JP4815871B2
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：JP2005146515
申请日：2005-05-19
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：大小黒 , 武夫林 , 雅敏越後
IPC分类号： G03F7/004 , C07C271/28 , C07C275/40 , C07D251/34 , C07F9/18 , C07F9/655 , G03F7/027 , G03F7/031 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resist composition which can be used for not only UV rays such as i-line and g-line but for visible rays, excimer laser light such as KrF, extreme UV rays (EUV), electron beams, X rays, and ion beams, to provide a resist compound to be used for the above composition, to provide a nonpolymer-based radiation-sensitive resist composition having high resolution, high heat resistance and solvent solubility in an easy preparation process, and to provide a resist compound to be used for the composition. SOLUTION: The resist composition contains one or more kinds of resist compounds (A) satisfying all of the following conditions. The compound has (a) at least one crosslinking reactive group in the molecule, the group directly or indirectly inducing crosslinking reaction by irradiation with any radiation selected from a group consisting of visible rays, UV rays, excimer laser light, EUV rays, electron beams, X rays and ion beams; (b) one kind or more of functional groups selected from a group consisting of urea groups, urethane groups, amide groups and imide groups in the molecule; (c) 500 to 5,000 molecular weight; and (d) a branched structure. Resist compound satisfying the above conditions are presented. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

10. 发明专利

JP4591669B2 Resist composition 有权
公开(公告)号：JP4591669B2
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：JP2004235548
申请日：2004-08-12
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：武夫林 , 雅敏越後
IPC分类号： G03F7/038 , C07D311/32 , C07D311/62 , G03F7/004 , H01L21/027

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