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1. 发明专利

JP6718540B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6718540B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2019082858
申请日：2019-04-24
申请人：ローム株式会社
发明人：松原弘招 , 糟谷泰正
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50

2. 发明专利

JP6710800B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6710800B2
公开(公告)日：2020-06-17
申请号：JP2019071180
申请日：2019-04-03
申请人：ローム株式会社
发明人：藤井賢治 , 糟谷泰正 , 山上守 , 木下直樹 , 芳我基治
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/603 , H01L23/50 , H01L23/29 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/60

3. 发明专利

JP2019134178A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019134178A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2019071180
申请日：2019-04-03
申请人：ローム株式会社
发明人：藤井賢治 , 糟谷泰正 , 山上守 , 木下直樹 , 芳我基治
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/603 , H01L23/50 , H01L23/29 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/60
摘要：【課題】製造効率を高めるとともに、半導体素子と導通接続部材とをより確実に接合することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】機能回路が形成された機能面310および該機能面310とは反対側を向く裏面320を有する半導体素子300と、半導体素子300を支持し、且つ半導体素子300に導通するリード101と、半導体素子300とリード101の少なくとも一部とを覆う樹脂パッケージ400と、を備える半導体装置A2であって、半導体素子300は、機能面310に形成された機能面側電極330を有しており、リード101は、機能面側電極330に向かって突出する導通支持部材側凸部111を有しており、機能面側電極330とリード101の導通支持部材側凸部111とは、固相接合によって接合されている。【選択図】図20

4. 发明专利

JP6800266B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6800266B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2019075094
申请日：2019-04-10
申请人：ローム株式会社
发明人： ▲芳▼我基治 , ▲吉▼田真悟 , 糟谷泰正 , 永原斗一 , 木村明寛 , 藤井賢治
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/29

5. 发明专利

JP6509602B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6509602B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2015056472
申请日：2015-03-19
申请人：ローム株式会社
发明人：藤井賢治 , 糟谷泰正 , 山上守 , 木下直樹 , 芳我基治
IPC分类号： H01L23/50 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L21/603 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L21/60

6. 发明专利

JP2018022849A パワーモジュール及びモータ駆動回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018022849A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016154932
申请日：2016-08-05
申请人：ローム株式会社
发明人：糟谷泰正 , 松原弘招 , 熊野暢 , 中嶋俊雄 , 平田茂 , 石松祐司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L23/50 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/00 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/50 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/404 , H01L29/42368 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L29/8611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H02P6/12 , H02P6/14 , H02P27/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】回路基板への実装面積を小さくすることができるパワーモジュール及びモータ駆動回路を提供する。【解決手段】パワーモジュール1は、第1ダイパッド21に実装された第1スイッチング素子40Aと、第1ダイパッド21と電気的に絶縁された第2ダイパッド24に実装された第2スイッチング素子40Bと、各スイッチング素子40A,40Bを制御する集積回路素子50と、各スイッチング素子40A,40B及び集積回路素子50を封止する封止樹脂60と、リードフレームの集合体10とを備える。リードフレームの集合体10は、第1ダイパッド21に接続された第1インナリード22、及び第1インナリード22に接続された第1アウタリード23を有する第1リードフレーム11と、第2ダイパッド24に接続された第2インナリード25、及び第2インナリード25に接続された第2アウタリード26を有する第2リードフレーム12とを有する。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2017175131A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017175131A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2017053253
申请日：2017-03-17
申请人：ローム株式会社
发明人：糟谷泰正
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/4842 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L23/49866 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L2924/181
摘要：【課題】実装基板との接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2と、半導体チップ2の周囲に配置された複数のリード4と、リード4の下面18および半導体チップ2とは反対側の外側端面20が露出するように、半導体チップ2およびリード4を封止する封止樹脂5とを含む。リード4の下面18および外側端面20には、半田濡れ性を高めるためのリードめっき層21が形成されている。【選択図】図2

8. 发明专利

JP5702763B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5702763B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2012253597
申请日：2012-11-19
申请人：ローム株式会社
发明人：安永尚司 , 糟谷泰正 , ▲芳▼我基治
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/50
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/181

9. 发明专利

JP2019145829A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019145829A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2019082858
申请日：2019-04-24
申请人：ローム株式会社
发明人：松原弘招 , 糟谷泰正
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
摘要：【課題】絶縁耐圧の向上を図った半導体装置を提供する。【解決手段】第1ダイパッド21、第2ダイパッド22、第1半導体素子(制御素子111)、第2半導体素子(駆動素子112)、絶縁素子12、第1ワイヤ(第2ボンディングワイヤ712)および第2ワイヤ(第3ボンディングワイヤ713)を備え、一方向(第2方向Y)に直交する断面において、絶縁素子12につながる前記第1ワイヤの一端が絶縁素子12に対してなす角度は、前記第1半導体素子につながる前記第1ワイヤの他端が前記第1半導体素子に対してなす角度よりも大であり、前記一方向に対して直交する断面において、絶縁素子12につながる前記第2ワイヤの一端が絶縁素子12に対してなす角度は、前記第2半導体素子につながる前記第2ワイヤの他端が前記第2半導体素子に対してなす角度よりも大であり、前記第1ワイヤが前記第2ワイヤよりも短い。【選択図】図7

10. 发明专利

JP6522402B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6522402B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2015084132
申请日：2015-04-16
申请人：ローム株式会社
发明人：松原弘招 , 糟谷泰正
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50

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