基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2019082858 申请日：2019-04-24
- 公开(公告)号：JP2019145829A 公开(公告)日：2019-08-29
- 发明人： 松原 弘招 , 糟谷 泰正
- 申请人： ローム株式会社
- 申请人地址： 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地
- 专利权人： ローム株式会社
- 当前专利权人： ローム株式会社
- 当前专利权人地址： 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地
- 代理人： 吉田 稔; 臼井 尚
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/50
摘要：
【課題】 絶縁耐圧の向上を図った半導体装置を提供する。 【解決手段】 第1ダイパッド21、第2ダイパッド22、第1半導体素子(制御素子111)、第2半導体素子(駆動素子112)、絶縁素子12、第1ワイヤ(第2ボンディングワイヤ712)および第2ワイヤ(第3ボンディングワイヤ713)を備え、一方向(第2方向Y)に直交する断面において、絶縁素子12につながる前記第1ワイヤの一端が絶縁素子12に対してなす角度は、前記第1半導体素子につながる前記第1ワイヤの他端が前記第1半導体素子に対してなす角度よりも大であり、前記一方向に対して直交する断面において、絶縁素子12につながる前記第2ワイヤの一端が絶縁素子12に対してなす角度は、前記第2半導体素子につながる前記第2ワイヤの他端が前記第2半導体素子に対してなす角度よりも大であり、前記第1ワイヤが前記第2ワイヤよりも短い。 【選択図】 図7
公开/授权文献:
- JP6718540B2 半導体装置 公开/授权日：2020-07-08
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |