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1. 发明专利

JPWO2019167827A1 信号伝達回路、スイッチ駆動装置、及びパワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019167827A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019006733
申请日：2019-02-22
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K5/12 , H02M1/08 , H03K17/16
摘要：フィルタ回路(80)は、第1シフト済み信号の立上りタイミングを所定時間遅延させて出力する第1立上り遅延回路(82a)と、第2シフト済み信号の立下りタイミングを所定時間遅延させて出力する第1立下り遅延回路(82b)とを有する。第1立上り遅延回路(82a)は、第2立上り遅延信号が第1電圧が下降する側への変動に追従せず、第1電圧が上昇する側への変動に追従するように構成されている。第1立下り遅延回路(82b)は、第2立下り遅延信号が第1電圧が下降する側への変動に追従せず、第1電圧が上昇する側への変動に追従するように構成されている。

2. 发明专利

JPWO2020095738A1 電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020095738A1
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2019042090
申请日：2019-10-28
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 古谷竜一
IPC分类号： H02M7/48
摘要：電力変換装置A1は、1次側制御回路を構成する制御チップ、2次側電力回路を構成する半導体チップおよび前記1次側制御回路と前記2次側電力回路とを電気的に絶縁し且つ前記1次側制御回路と前記2次側電力回路との信号伝達機能を有する伝達回路、を備える半導体装置B1と、半導体装置B1が搭載された基板Hと、を備える。基板Hは、導電部Kを有する。電力変換装置A1は、基板Hに設けられ且つ導電部Kに導通する接続端子T1を備える。電力変換装置A1は、少なくとも一部が基板Hの導電部Kによって構成され且つ半導体装置B1の前記1次側制御回路と接続端子T1とを電気的に導通させる導通経路D1を備える。このような構成により、電力変換装置A1の小型化を図ることができる。

3. 发明专利

JP2016082281A パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置审中-公开
标题翻译：功率半导体驱动电路，功率半导体电路和功率模块电路设备
公开(公告)号：JP2016082281A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014208662
申请日：2014-10-10
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 安東基浩
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/155 , H03K17/16
CPC分类号： H03K19/0016 , H03K17/162
摘要：【課題】消費電力の省力化とスイッチング速度の高速化が実現できるパワー半導体駆動回路を提供する。【解決手段】パワー半導体駆動回路10は、トランジスタPT1のゲートG側に設けたトランジスタM4とトランジスタM3との並列回路と、トランジスタPT1のゲート電圧Vhoを監視するゲート電圧監視回路5と、ゲート電圧監視回路5からの出力信号を遅延させる信号遅延回路6と、信号遅延回路6からの出力信号が入力されるゲートコントロール回路7とを備える。ゲートコントロール回路7の出力に基づきトランジスタM4がオンすると、トランジスタM3とトランジスタM4とが同時にオンされ、トランジスタPT1のゲート抵抗値が小さくなりトランジスタPT2のスイッチングの高速化を実現する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现功率消耗降低和切换速度加快的功率半导体驱动电路。解决方案：功率半导体驱动电路10包括：晶体管M4和晶体管M3的并联电路，其设置在晶体管PT1的栅极G侧; 用于监视晶体管PT1的栅极电压Vho的栅极电压监视电路5; 用于延迟来自栅极电压监视电路5的输出信号的信号延迟电路6; 以及输入来自信号延迟电路6的输出信号的门控制电路7。当基于栅极控制电路7的输出使晶体管M4导通时，晶体管M3和晶体管M4同时导通，晶体管PT1的栅极电阻值降低，从而实现晶体管PT2的开关加速图1

4. 发明专利

JPWO2019244372A1 半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2019244372A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2018044138
申请日：2018-11-30
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 古谷竜一
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
摘要：半導体装置A1は、基板3と、基板3上に形成された導電性材料からなる導電部5と、基板3上に配置されたリード1Aと、リード1A上に配置された半導体チップ4Aと、導電部5と半導体チップ4Aとに電気的に接続されて基板3上に配置された、半導体チップ4Aの駆動を制御する制御チップ4Gと、半導体チップ1Aおよび制御チップ4Gと、基板3の少なくとも一部と、リード1Aの一部と、を覆う樹脂7と、を備える。このような構成により、半導体装置の高集積化を促進することができる。

5. 发明专利

JP6832094B2 パワーモジュール及びモータ駆動回路有权
公开(公告)号：JP6832094B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2016154932
申请日：2016-08-05
申请人：ローム株式会社
发明人：糟谷泰正 , 松原弘招 , 熊野暢 , 中嶋俊雄 , 平田茂 , 石松祐司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L23/50 , H02M7/48 , H01L25/07

6. 发明专利

JPWO2019235267A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019235267A1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：JP2019020747
申请日：2019-05-24
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司
IPC分类号： H03K17/687 , H02M7/48 , H02M1/08 , H01L25/07 , H01L25/18 , H03K17/16
摘要：半導体装置は、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子を含むインバータ回路と、第1制御回路と、第2制御回路と、制限部と、を含む。第1スイッチング素子には電源電圧が供給される。第2スイッチング素子は、第1スイッチング素子に接続される第1端子、グランドに接続される第2端子、及び制御端子を有する。第1制御回路は、第1スイッチング素子を制御する。第2制御回路は、前記第2スイッチング素子を制御する。制限部は、第2スイッチング素子の第2端子の電圧変動に基づく第2端子と制御端子との間の電圧の変動を抑制する。

7. 发明专利

JP2019080359A パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019080359A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2019025173
申请日：2019-02-15
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 安東基浩
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/567 , H02M1/08 , H03K17/16
摘要：【課題】消費電力の省力化とスイッチング速度の高速化を実現する。【解決手段】パワー半導体駆動回路10は、VPP・GND間に直列接続されたトランジスタPT1及びPT2を駆動するものであって、トランジスタPT1のゲートG側に設けられてトランジスタPT1のゲート抵抗を設定するトランジスタM3及びM4から成る並列回路と、トランジスタPT1のゲート電圧Vhoを監視するゲート電圧監視回路5と、ゲート電圧監視回路5からの出力信号を遅延させる信号遅延回路6と、信号遅延回路6からの出力信号が入力されるゲートコントロール回路7とを備える。ゲートコントロール回路7の出力に基づきトランジスタM4がオンすると、トランジスタM3とトランジスタM4とが同時にオンされ、トランジスタPT1のゲート抵抗値が小さくなりトランジスタPT2のスイッチングの高速化を実現する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2018022849A パワーモジュール及びモータ駆動回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018022849A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016154932
申请日：2016-08-05
申请人：ローム株式会社
发明人：糟谷泰正 , 松原弘招 , 熊野暢 , 中嶋俊雄 , 平田茂 , 石松祐司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L23/50 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/00 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/50 , H01L29/0634 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/404 , H01L29/42368 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , H01L29/8611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H02P6/12 , H02P6/14 , H02P27/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：【課題】回路基板への実装面積を小さくすることができるパワーモジュール及びモータ駆動回路を提供する。【解決手段】パワーモジュール1は、第1ダイパッド21に実装された第1スイッチング素子40Aと、第1ダイパッド21と電気的に絶縁された第2ダイパッド24に実装された第2スイッチング素子40Bと、各スイッチング素子40A,40Bを制御する集積回路素子50と、各スイッチング素子40A,40B及び集積回路素子50を封止する封止樹脂60と、リードフレームの集合体10とを備える。リードフレームの集合体10は、第1ダイパッド21に接続された第1インナリード22、及び第1インナリード22に接続された第1アウタリード23を有する第1リードフレーム11と、第2ダイパッド24に接続された第2インナリード25、及び第2インナリード25に接続された第2アウタリード26を有する第2リードフレーム12とを有する。【選択図】図3

9. 发明专利

JP6744935B2 パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置有权
公开(公告)号：JP6744935B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2019025173
申请日：2019-02-15
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 安東基浩
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/567 , H02M1/08 , H03K17/16

10. 发明专利

JP6483997B2 パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置有权
公开(公告)号：JP6483997B2
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：JP2014208662
申请日：2014-10-10
申请人：ローム株式会社
发明人：石松祐司 , 安東基浩
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/155 , H03K17/16

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