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1. 发明专利

JP6674699B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6674699B2
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：JP2015168893
申请日：2015-08-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：竹内幹 , 五十嵐満彦 , 小笠原誠
IPC分类号： H03K19/00 , G06F1/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/00

2. 发明专利

JP2018091804A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018091804A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016237421
申请日：2016-12-07
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：竹内幹 , 土屋文男 , 小西信也
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/26 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/30
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/2628 , G01R31/2817 , G01R31/2856 , G01R31/2874 , G01R31/30 , G06F12/16 , G11C7/04 , G11C16/349 , G11C29/12015 , G11C2029/5002 , H03K3/0315
摘要：【課題】半導体装置が受けた電源電圧や環境温度の劣化ストレス累積値に基づいて摩耗故障を精度よく予測することが可能な半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、第1累積劣化ストレスカウント値を保持する第1回路と、第2累積劣化ストレスカウント値を保持する第2回路と、累積動作時間のカウント値ないしはそれに相当する値を保持する第3回路と、前記第1累積劣化ストレスカウント値、前記第2累積劣化ストレスカウント値、および前記累積動作時間のカウント値ないしはそれに相当する値と、を受ける第4回路ないし演算手段と、を具備する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017046276A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017046276A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015168893
申请日：2015-08-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：竹内幹 , 五十嵐満彦 , 小笠原誠
IPC分类号： G06F1/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/00
CPC分类号： H02H3/16 , G01R31/025 , H02H3/04
摘要：【課題】半導体装置の異常リーク電流故障を検出するために電源電圧の供給経路へ抵抗を挿入しなければならないので、通常動作時において、挿入された抵抗によって不要な電圧降下を招くという問題がある。【解決手段】異常監視部706は、第1の電源スイッチ703がオフのときの第1の機能モジュール701と第1の電源スイッチ703との間の第1のノードNDAの電圧の変化と、第2の電源スイッチ704がオフのときの第2の機能モジュール702と第2の電源スイッチ704との間の第2のノードNDBの電圧の変化の比較に基づいて、第1の機能モジュール701または第2の機能モジュール702の異常リーク電流の発生の有無を検出する。【選択図】図1
摘要翻译：甲所以必须插入的异常的漏电流的电阻故障，以便检测的半导体器件提供电源电压的路径，存在一个问题，即在正常的操作中，通过插入电阻器，导致不希望的电压降。的故障监视部706，在第一电源开关703和的第一功能模块701断开的第一电源开关703之间的第一个节点NDA的电压的变化，第一电源开关704和第二功能模块702的2时，基于所述第二个节点NDB电压的第二电源开关704，或所述第一功能模块之间的变化的比较，关701 检测异常的漏电流的第二功能模块702的发生。点域1

4. 发明专利

JP6962795B2 半導体装置および半導体システム有权
公开(公告)号：JP6962795B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2017224143
申请日：2017-11-22
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：竹内幹 , 小西信也 , 土屋文男 , 島田将樹
IPC分类号： G01K7/01 , G01R19/165 , G01K7/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28

5. 发明专利

JP2020042398A 半導体装置及び解析システム审中-公开
公开(公告)号：JP2020042398A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018167794
申请日：2018-09-07
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：太田直矢 , 竹内幹 , 土屋文男 , 島田将樹 , 小西信也 , 押田大介
IPC分类号： G01R31/28 , G06F11/34 , G06F11/22
摘要：【課題】装置の故障の予知保全のための、より有益な解析が可能となるデータを得る。【解決手段】半導体装置1は、所定の機能を有するモジュール2と、前記モジュール2で発生したエラーについてのエラー情報を取得するエラー情報取得部3と、前記半導体装置1にかかるストレスの累積値であるストレス累積値を取得するストレス取得部4と、前記半導体装置1の状態を解析するためのデータとして、前記エラー情報と、前記エラーが発生した時点の前記ストレス累積値とを関連づけたデータである解析用データを保存する解析用データ保存部5とを有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2016188825A 半導体装置及びシステム审中-公开
标题翻译：半导体器件和系统
公开(公告)号：JP2016188825A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2015069427
申请日：2015-03-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：島田将樹 , 竹内幹
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/2834
摘要：【課題】動作が保証される条件より厳しい条件を、回路規模を増大させずに実現することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置10は、半導体回路11と、半導体回路11が正常に動作する通常電圧と、通常電圧より低い低電圧との少なくとも2種類の電圧のいずれかの電圧を選択して、電源電圧を印加する電圧生成器12と、電源電圧によらず一定の周波数のクロック信号を半導体回路11に供給するクロック生成器13と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以实现比确保操作的条件更严格的半导体器件，而不增加电路尺寸。解决方案：半导体器件10包括：半导体电路11; 电压发生器12从包括半导体电路11正常工作的正常电压和低于正常电压的低电压的至少两种电压中选择一个，并施加电源电压; 以及时钟发生器13，其向半导体电路11提供独立于电源电压的恒定频率的时钟信号。选择的图示：图1

7. 发明专利

JP6545564B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6545564B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2015155857
申请日：2015-08-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：五十嵐満彦 , 竹内幹 , 岡垣健
IPC分类号： H01L27/04 , H03K3/03 , G01R31/28 , H01L21/822

8. 发明专利

JP2017034207A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017034207A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015155857
申请日：2015-08-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：五十嵐満彦 , 竹内幹 , 岡垣健
IPC分类号： H01L27/04 , H03K3/03 , G01R31/28 , H01L21/822
CPC分类号： G01R31/2607 , H03K3/0315 , H03L1/00
摘要：【課題】簡易な構成でHCIによる半導体素子の劣化を検出することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、トランジスタで構成される直列に接続された駆動力が異なる複数の論理ゲートを含む発振回路と、発振回路の発振周波数を測定する周波数カウンタと、周波数カウンタで測定された発振回路の発振周波数と所定値とを比較する比較器とを備える。【選択図】図5
摘要翻译：一种半导体装置，能够检测根据HCI以简单的结构的半导体器件的劣化。一种半导体器件，包括：被不同组成的晶体管的振荡电路，其包括串联连接的多个逻辑门的驱动力的，用于测量所述振荡电路的振荡频率的频率计数器，在一个频率计数器测定以及用于比较振荡频率和振荡电路的所述预定值的比较器。点域5

9. 发明专利

JP2016045886A 半導体装置の設計方法、設計装置及び設計プログラム审中-公开
标题翻译：半导体器件设计方法，设计器件和设计程序
公开(公告)号：JP2016045886A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014171902
申请日：2014-08-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：澁谷宏治 , 五十嵐満彦 , 竹内幹 , 高沢義生
IPC分类号： G06F17/50
摘要：【課題】高速性を保ちながらリーク電力を削減すること。【解決手段】半導体装置の設計装置は、記憶部と、設定部と、論理合成部と、を備える。記憶部は、異なる閾値電圧が定義された複数のセルライブラリを記憶する。設定部は、複数のセルライブラリのうち閾値電圧がより高い第1の閾値電圧が定義された第1のセルライブラリに、複数のセルライブラリに共通する規定の電源電圧より高い高電源電圧を供給するように設定する。論理合成部は、第1のセルライブラリ及び高電源電圧を用いて論理合成を行う。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：在保持高速的同时降低泄漏功率。解决方案：半导体器件设计装置包括存储部分，设置部分和逻辑合成部分。存储部分存储定义了不同阈值电压的多个单元库。设置部设置从多个单元库中定义了较高阈值电压的第一阈值电压的第一单元库，以提供高于多个单元库中公共的规定电源电压的高电源电压的细胞库。逻辑合成部分使用第一个单元库和大电源电压进行逻辑合成。图9

10. 发明专利

JP2021047058A 半導体装置、電子装置および電子システム审中-公开
公开(公告)号：JP2021047058A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019168868
申请日：2019-09-17
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：竹内幹 , 高沢義生 , 土屋文男 , 押田大介 , 太田直矢 , 島田将樹 , 小西信也
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28
摘要：【課題】消費電力を低減しつつ、累積熱ストレス情報を無線送信することが可能な技術を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、温度依存性が顕著な熱ストレス情報を所定期間ごとに計測するバッファと、バッファの前記熱ストレス情報を累積して、累積ストレスカウント値として保持する累積ストレスカウンタと、を含む保持回路と、動作判定しきい値を含む制御回路と、無線通信回路と、を有する。制御回路は、バッファから与えられる熱ストレス情報が動作判定しきい値より大きい第1状態から小さい第2状態へ遷移したことに基づいて、無線通信回路による累積ストレスカウント値から算出された累積熱ストレス情報の送信を開始させる。【選択図】図1

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