专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2015088652A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015088652A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013226697
申请日：2013-10-31
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：岩渕勝
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/82 , G05F1/56 , H01L21/822
摘要：【課題】オンチップレギュレータが生成し、半導体装置の内部回路に供給する電源電圧を安定して供給する。【解決手段】半導体装置は、電源回路PDC、およびコンデンサCap1を有する。電源回路PDCは、電源電圧VCCから、内部回路の動作電源として供給される電源電圧VDDを生成する。コンデンサCap1は、電源電圧VDDが出力される電源回路PDCの出力部に第1の電極が接続され、基準電位VSSに第2の電極が接続される。このコンデンサCap1は、電源回路PDCの4辺の外側に配置される。また、内部回路は、コンデンサCap1の外側に配置される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：稳定地提供由片上调节器产生的电源电压并提供给半导体器件的内部电路。解决方案：半导体器件具有电源电路PDC和电容器Cap1。电源电路PDC从电源电压VCC生成作为内部电路的工作电源供给的电源电压VDD。电容器Cap1具有连接到输出电源电压VDD的电源电路PDC的输出部分的第一电极和连接到参考电位VSS的第二电极。电容器Cap1设置在电源电路PDC的四边的外侧。内部电路设置在电容器Cap1的外部。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式