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1. 发明专利

JP2018018561A 半導体装置及び電子システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018018561A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2017213747
申请日：2017-11-06
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：元澤篤史 , 奥田裕一
IPC分类号： G05F3/26 , G05F3/30
摘要：【課題】精度の高い電流を生成可能な電流生成回路を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、電流生成回路10は、バイポーラトランジスタQ1,Q2と、バイポーラトランジスタQ1,Q2のそれぞれに電圧V2に応じた電流I1,I2を流す電流分配回路11と、バイポーラトランジスタQ1と電流分配回路11との間に設けられ、ゲートに電圧V1が供給されるMOSトランジスタM1と、バイポーラトランジスタQ2と電流分配回路11との間に設けられ、ゲートに電圧V1が供給されるMOSトランジスタM2と、MOSトランジスタM2とバイポーラトランジスタQ2との間に設けられた抵抗素子R1と、MOSトランジスタM1のドレイン電圧と基準バイアス電圧とに応じた電圧V1を生成するオペアンプA1と、MOSトランジスタM2のドレイン電圧と基準バイアス電圧とに応じた電圧V2を生成するオペアンプA2と、を備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017139810A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017139810A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2017091920
申请日：2017-05-02
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：小澤治 , 堀口真志 , 奥田裕一 , 安在亮人
IPC分类号： H03B5/32
摘要：【課題】低負荷容量値対応の水晶振動子を十分に適用することが可能な水晶発振装置を提供する。【解決手段】例えば、配線基板PCB上に、発振入力信号XIN用の配線パターンLN_XINと、発振出力信号XOUT用の配線パターンLN_XOUTを設け、その間の領域に接地電源電圧VSS用の配線パターンLN_VSS1bを配置する。LN_XINとLN_XOUTの間には水晶振動子XTALを接続し、その負荷容量となる容量Cg,Cdの一端をLN_VSS1bに接続する。更に、これらの配線パターンを囲むようにVSS用の配線パターンLN_VSS1aを配置し、加えて、下層にもVSS用の配線パターンLN_VSSnを配置する。これらによって、XINノードとXOUTノード間の寄生容量の低減や、当該ノードのノイズ耐性の向上等が可能になる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6230417B2 A/D変換回路および半導体集積回路有权
公开(公告)号：JP6230417B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2013272727
申请日：2013-12-27
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：木村圭助 , 奥田裕一 , 中根秀夫 , 山本崇也
IPC分类号： H03M1/10
CPC分类号： H03M1/0634 , H03M1/002 , H03M1/0617 , H03M1/1009 , H03M1/1215 , H03M1/1225 , H03M1/12

4. 发明专利

JP6205261B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6205261B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013258486
申请日：2013-12-13
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：木村圭助 , 奥田裕一 , 中根秀夫 , 山本崇也
IPC分类号： H03M1/12 , H03M1/10
CPC分类号： H03M1/0607 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H03M1/0604 , H03M1/1023 , H03M1/124 , H03M1/1245 , H03M1/442 , H03M1/462 , H03M1/468 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H03M1/46

5. 发明专利

JP2015115883A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015115883A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258486
申请日：2013-12-13
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：木村圭助 , 奥田裕一 , 中根秀夫 , 山本崇也
IPC分类号： H03M1/12 , H03M1/10
CPC分类号： H03M1/0607 , H03M1/0604 , H03M1/1023 , H03M1/124 , H03M1/442 , H03M1/462 , H03M1/468 , H01L23/5225 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H03M1/46
摘要：【課題】従来の半導体装置では、AD変換器中の比較器のオフセットを補正できる比較器の方式が制限される問題があった。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置は、比較器を用いてアナログ信号の信号レベルをデジタル値に変換するAD変換器に関し、変換結果として出力するデジタル値のLSB(least significant bit)を変換した直後の比較器のオフセット判定結果に基づき比較器のオフセット電圧の調整量を決定する。【選択図】図11
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在过去在半导体器件中的AD转换期间可以补偿比较器的偏移的比较器的系统限制的问题。解决方案：根据一个实施例，半导体器件是相关的涉及一种用于通过使用比较器将模拟信号的信号电平转换为数字值的AD转换器，并且基于在转换之后立即获得的偏移确定结果来确定比较器的偏置电压的调整量的LSB（最低有效位）。

6. 发明专利

JP6420035B2 パッシブ増幅回路审中-公开
公开(公告)号：JP6420035B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2013259954
申请日：2013-12-17
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：大島俊 , 奥田裕一 , 中根秀夫 , 山本崇也 , 木村圭助 , 松浦達治
IPC分类号： H03M1/12 , H03M1/38 , H03F3/45 , H03F3/70
CPC分类号： H03M1/1009 , G11C27/02 , H03F1/02 , H03F1/3211 , H03F3/005 , H03F3/45071 , H03F3/45475 , H03F2203/45171 , H03F2203/45544 , H03H7/004 , H03M1/002 , H03M1/124 , H03M1/38 , H03M1/44

7. 发明专利

JP2017038200A 半導体装置及び故障検出方法审中-公开
标题翻译：该半导体装置和故障检测方法
公开(公告)号：JP2017038200A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015157914
申请日：2015-08-10
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：奥田裕一 , 中根秀夫 , 山本崇也 , 木村圭助 , 大島俊
IPC分类号： H03M1/38 , H03M1/10
CPC分类号： G01R31/3163
摘要：【課題】アナログ回路を構成する素子の過度なばらつきを故障として検出することが可能な半導体装置及び故障検出方法を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置1は、ADコンバータ11と、ADコンバータ11によって処理されるアナログ信号Ain、に対応するディジタル信号Doの誤差を補正するディジタルアシスト回路12と、ディジタルアシスト回路による補正量に基づいて、ADコンバータ11が故障しているか否かを検出する故障検出回路13と、を備える。それにより、半導体装置1は、ADコンバータ11を構成する素子の過度なばらつきを故障として検出することができる。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种半导体器件和能够检测过度变化在构成模拟电路元件的故障的故障检测方法。甲根据一个实施例，半导体器件1包括：AD转换器11，数字辅助电路12用于校正数字信号的误差别对应于所述模拟信号AIN，由AD转换器11处理，由数字辅助电路基于所述校正量包括用于检测AD转换器11是否发生故障时，故障检测电路13。由此，半导体装置1可以在构成AD转换器11作为故障元件检测过度变化。点域1

8. 发明专利

JP2016012944A 水晶発振装置および半導体装置有权
标题翻译：晶体振荡器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2016012944A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015206446
申请日：2015-10-20
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：小澤治 , 堀口真志 , 奥田裕一 , 安在亮人
IPC分类号： H03B5/32
摘要：【課題】低負荷容量値対応の水晶振動子を十分に適用することが可能な水晶発振装置を提供する。【解決手段】例えば、配線基板PCB上に、発振入力信号XIN用の配線パターンLN_XINと、発振出力信号XOUT用の配線パターンLN_XOUTを設け、その間の領域に接地電源電圧VSS用の配線パターンLN_VSS1bを配置する。LN_XINとLN_XOUTの間には水晶振動子XTALを接続し、その負荷容量となる容量Cg,Cdの一端をLN_VSS1bに接続する。更に、これらの配線パターンを囲むようにVSS用の配線パターンLN_VSS1aを配置し、加えて、下層にもVSS用の配線パターンLN_VSSnを配置する。これらによって、XINノードとXOUTノード間の寄生容量の低減や、当該ノードのノイズ耐性の向上等が可能になる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够完全施加与低负载能力值对应的晶体振荡器的晶体振荡器。解决方案：例如，用于振荡输入信号XIN的布线图案LN_XIN和用于振荡输出信号的布线图案LN_XOUT XOUT设置在印刷电路板PCB上，并且布线图案LN_XIN和布线图案LN_XOUT之间的区域中布置有用于接地电源电压VSS的布线图案LN_VSS 1b。晶体振荡器XTAL连接在LN_XIN和LN_XOUT之间，负载容量的容量Cg，Cd的一端连接到LN_VSS 1b。此外，为了包围这些布线图案，布置了用于VSS的布线图案LN_VSS 1a，另外，在下层布置有用于VSS的布线图案LN_VSSn，从而降低了XIN节点和XOUT节点之间的寄生电容，提高节点的抗噪声能力。

9. 发明专利

JP2015203945A 電流生成回路、それを備えたバンドギャップリファレンス回路及び半導体装置有权
标题翻译：电流产生电路，带对基准电路和包括其的半导体器件
公开(公告)号：JP2015203945A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014082566
申请日：2014-04-14
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：元澤篤史 , 奥田裕一
IPC分类号： G05F3/30
CPC分类号： G05F3/30 , G05F3/245 , G05F3/267
摘要：【課題】精度の高い電流を生成可能な電流生成回路を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、電流生成回路10は、バイポーラトランジスタQ1,Q2と、バイポーラトランジスタQ1,Q2のそれぞれに電圧V2に応じた電流I1,I2を流す電流分配回路11と、バイポーラトランジスタQ1と電流分配回路11との間に設けられ、ゲートに電圧V1が供給されるMOSトランジスタM1と、バイポーラトランジスタQ2と電流分配回路11との間に設けられ、ゲートに電圧V1が供給されるMOSトランジスタM2と、MOSトランジスタM2とバイポーラトランジスタQ2との間に設けられた抵抗素子R1と、MOSトランジスタM1のドレイン電圧と基準バイアス電圧とに応じた電圧V1を生成するオペアンプA1と、MOSトランジスタM2のドレイン電圧と基準バイアス電圧とに応じた電圧V2を生成するオペアンプA2と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够产生高精度电流的电流产生电路。解决方案：根据一个实施例，电流产生电路10包括：双极晶体管Q1，Q2; 根据电压V2使电流I1，I2分别流过双极晶体管Q1，Q2的电流分配电路11; 设置在双极晶体管Q1和电流分配电路11之间的MOS晶体管M1，并具有供给电压V1的栅极; 设置在双极晶体管Q2与电流分配电路11之间的MOS晶体管M2，具有供给电压V1的栅极; 设置在MOS晶体管M2和双极晶体管Q2之间的电阻元件R1; 运算放大器A1，响应于MOS晶体管M1的漏极电压和基准偏置电压产生电压V1; 以及响应于MOS晶体管M2的漏极电压和基准偏置电压产生电压V2的运算放大器A2。

10. 发明专利

JP6242274B2 バンドギャップリファレンス回路及びそれを備えた半導体装置有权
公开(公告)号：JP6242274B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2014082566
申请日：2014-04-14
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：元澤篤史 , 奥田裕一
IPC分类号： G05F3/30
CPC分类号： G05F3/30 , G05F3/245 , G05F3/267

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