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1. 发明专利

JP2015005703A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015005703A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013131720
申请日：2013-06-24
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , Micron Technology Inc , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人： TAKESAKO HISAAKI
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/108 , H01L21/76816 , H01L21/76883 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L27/10894
摘要：【課題】給電用のワード線コンタクトプラグと半導体基板とのショートマージンを充分に確保可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】メモリセル領域の半導体基板2内に形成された埋め込みセルビット線5aと、前記メモリセル領域でX方向に延在し、一端が前記周辺回路領域に達すると共に、半導体基板2内で埋め込みセルビット線5aよりも深さ寸法が小さくなるようにゲート絶縁膜を介して半導体基板2内に形成されたゲート電極11と、埋め込みセルビット線5aの底面よりも深さ寸法が大きく、ゲート電極11の前記一端と重なるように前記周辺回路領域の半導体基板2内に形成された絶縁部R3と、埋め込みセルビット線5aに接続して形成されたセルビット線コンタクトプラグと、絶縁部R3内でゲート電極11に接続するように埋設されたセルワード線コンタクトプラグ13と、を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够充分确保用于供电的字线接触插塞与半导体衬底之间的短路裕度的半导体器件，并提供制造半导体器件的方法。解决方案：半导体器件包括：形成在存储单元区域中的半导体衬底2中的掩埋单元位线5a; 在存储单元区域中沿着X方向延伸的栅电极11，其一端到达周边电路区域，并且经由栅极绝缘膜形成在半导体基板2中，使得其深度尺寸小于埋入单元位线 5a; 绝缘部分R3具有比掩埋单元位线5a的底表面更大的深度尺寸并且形成在外围电路区域中的半导体衬底2中以与栅电极11的一端重叠; 与掩埋单元位线5a连接形成的单元位线接触插塞; 以及在绝缘部分R3中被埋入以连接到栅电极11的单元字线接触插头13。

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