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1. 发明专利

JP2016200520A 角速度センサ审中-公开
标题翻译：角速度传感器
公开(公告)号：JP2016200520A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015081385
申请日：2015-04-13
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：高山了一 , 張替貴聖 , 田中良明 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： G01C19/5628 , H01L41/113 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/293 , H01L41/297 , H01L41/332 , G01C19/5621
摘要：【課題】駆動効率を改善した圧電角速度センサを提供することを目的とものであるする。【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられる第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられる第1の圧電層と、前記第1の圧電層の上に設けられる第2の電極と、前記第2の電極の上に設けられる第2の圧電層と、前記第2の圧電層の上に設けられる第3の電極と、回路基板と、を備える。前記第1、第2、第3の電極と前記回路基板とは電気的に接続され、前記第1、前記第3の電極は、前記回路基板からの電気信号が入力され、前記第2の電極は、グランド電位に接続される角速度センサ。【選択図】図2
摘要翻译：本发明公开了这些目标是提供具有改进的压电角速度传感器驱动效率。和基板，设置在所述基板上的第一电极，所述设置在所述第一电极上的第一压电体层，设置在第一压电层上的第二包括电极，设置在所述第二电极，设置在所述第二压电层上的第三电极上的第二压电体层，和一个电路板，所述的。所述第一，第二，和所述电路板和所述第三电极电连接时，第一，第三电极，从所述电路板的电信号被输入时，第二电极角速度传感器被连接到接地电位。 .The

2. 发明专利

JP5887503B2 圧電体膜ならびにその用途有权
标题翻译：压电膜及其用途
公开(公告)号：JP5887503B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2014127975
申请日：2014-06-23
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：橋本和弥 , 田中良明 , 張替貴聖 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/187
CPC分类号： B41J2/1433 , B41J2/14201 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1873 , H01L41/1878

3. 发明专利

JP5914846B2 酸化物膜およびプロトン伝導デバイス有权
标题翻译：氧化膜和质子传导装置
公开(公告)号：JP5914846B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2014194877
申请日：2014-09-25
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：西原孝史 , 銭谷勇磁 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 小森知行 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , C04B41/87 , C01G55/00 , C01G27/00 , C23C14/08 , C01G25/00
CPC分类号： C25B11/04 , C04B41/5027 , C04B41/5032 , C04B41/5042 , C04B41/5045 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2300/0074 , H01M4/9033 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56

4. 发明专利

JP2015134699A 酸化物膜およびプロトン伝導デバイス有权
标题翻译：氧化物膜和导电传导装置
公开(公告)号：JP2015134699A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014194877
申请日：2014-09-25
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：西原孝史 , 銭谷勇磁 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 小森知行 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , C04B41/87 , C01G55/00 , C01G27/00 , C23C14/08 , C01G25/00
CPC分类号： C25B11/04 , C04B41/5027 , C04B41/5032 , C04B41/5042 , C04B41/5045 , C25B13/04 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2300/0074 , H01M4/9033 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：【課題】従来よりも低い温度で高いプロトン伝導性を有する酸化物膜およびプロトン伝導体を提供する。【解決手段】ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物によって構成される酸化物膜であって、酸化物は、A 1-x (E 1-y G y )O z (ただし、AはBa、Sr及びCaから選ばれる少なくとも一つの元素、EはZr、Hf、In、Ga及びAlから選ばれる少なくとも一つの元素、GはY、La、Ce及びGdから選ばれる少なくとも一つの元素、x、y、zは、0.2≦x≦0.5、0.1≦y≦0.7、およびz 0.95≦a/c 【選択図】図2A
摘要翻译：要解决的问题：提供在比传统的较低温度下具有高质子传导性的氧化物膜和质子传导器件。解决方案：提供一种由具有钙钛矿晶体结构的氧化物构成的氧化膜，其中氧化物具有由A （EG）O，其中A为选自Ba，Sr和Ca中的至少一种元素，E为选自Zr，Hf，In，Ga和Al中的至少一种元素，G为选自Y，La， Ce和Gd，x，y和z满足0.2≤x≤0.5,0.1≤y≤0.7且z <3，钙钛矿晶体结构的晶格参数a，b和c满足以下关系式：0.3890≤a≤0.4190和0.95 ≤a/ c <0.98，其中a≤b

5. 发明专利

JP2020024899A 固体電解質およびそれを用いたマグネシウム二次電池审中-公开
公开(公告)号：JP2020024899A
公开(公告)日：2020-02-13
申请号：JP2019037542
申请日：2019-03-01
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：市川和秀 , 西谷雄 , 足立秀明 , 辻田卓司 , 松中大介
IPC分类号： H01M10/054 , H01M10/0566 , H01M4/13 , H01M10/0562
摘要：【課題】マグネシウムイオン伝導性を有する新規な固体電解質およびそれを用いたマグネシウム二次電池を提供する。【解決手段】固体電解質は、一般式Mg x Al 2-y M y O z (MはSi、Ge、Sn、Pb、Ti、及びZrからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、0
【選択図】なし

6. 发明专利

JP2017039987A 酸素を発生させる方法、水の電気分解装置および陽極审中-公开
标题翻译：产生氧气，电解的方法和阳极水
公开(公告)号：JP2017039987A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163389
申请日：2015-08-21
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：豊田健治 , 足立秀明 , 宮田伸弘 , 小澤宜裕 , 谷口麗子
IPC分类号： C25B9/00 , C25B1/10 , C25B11/08
摘要：【課題】陽極として銀デラフォサイト化合物膜を利用する水の電気分解により効率よく酸素を発生する方法を提供する。本発明は、また、その方法に適した水の電気分解装置及び陽極を提供する。【解決手段】酸素を発生させる方法であって、以下の工程を具備する:(a)水の電気分解装置を用意する工程、ここで、前記水の電気分解装置は、電解質水溶液が貯留されている容器と、前記電解質水溶液と接し、かつ化学式AgCoO 2 により表される銀コバルトデラフォサイト化合物膜を含む陽極と、前記電解質水溶液と接している陰極と、電源とを具備し、ここで、前記銀デラフォサイト化合物膜は、前記電解質水溶液と接し、前記銀コバルトデラフォサイト化合物膜は、c面のみに配向しており、(b)前記電源を用いて前記陰極および前記陽極の間に電位差を印加して、前記銀デラフォサイト化合物膜上で生じる水の電気分解を介して前記陽極上に酸素を発生させる工程。【選択図】図1
摘要翻译：通过利用水的银电解产生有效的氧的方法，铜铁矿化合物膜作为阳极。本发明还提供了一种电解装置和阳极水适用于本方法。本发明提供了产生氧气，其包括以下步骤的方法：提供电解装置（a）水，其中，水电解质溶液被储存的水的电解容器是，电解质溶液并与之接触，并且包括阳极，其包括由化学式AgCoO2，在与电解质溶液接触的阴极和电源表示银铜铁矿钴化合物膜，其中，所述银铜铁矿化合物膜，与电解液的接触，银铜铁矿钴化合物膜被定向仅在c面，阴极和与所述电源的阳极之间的电位差（b）中施加到，所述银铜铁矿化合物膜通过在发生水的电解产生在阳极氧的步骤。 1点域

7. 发明专利

JP6814950B2 強誘電体膜を用いた構造体、及びこの構造体を用いたセンサ有权
公开(公告)号：JP6814950B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2018507272
申请日：2017-03-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：高山了一 , 足立秀明 , 張替貴聖 , 田中良明
IPC分类号： H01L41/319 , H01L41/187 , G01C19/5628 , G01J1/02 , H01L41/113

8. 发明专利

JP2019006664A 薄膜構造体およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019006664A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2018038381
申请日：2018-03-05
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：足立秀明 , 高山了一 , 張替貴聖 , 田中良明
IPC分类号： C30B29/16 , C30B29/22 , C30B23/02
摘要：【課題】サファイア基板上に直接的にエピタキシャル酸化物薄膜を成長させる従来の方法では、エピタキシャル酸化物薄膜は、{100}面ではなく、{110}または{111}面の主面を有する。【解決手段】本発明は、薄膜構造体を製造する方法であって、サファイア基板である第1基板の主面上に、第1エピタキシャル薄膜を成長させる工程を具備する。前記サファイア基板の主面が{11−26}面であるので、前記第1エピタキシャル薄膜は、{100}面の主面を有する。【選択図】図1A

9. 发明专利

JP5887502B2 NBT−BT結晶圧電体膜およびそれを具備する圧電積層構造体有权
标题翻译： NBT-BT晶体压电膜和包含它的压电层压结构
公开(公告)号：JP5887502B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2014127974
申请日：2014-06-23
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：田中良明 , 橋本和弥 , 張替貴聖 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/319 , H01L41/187
CPC分类号： G01P9/04 , C23C14/088 , H01L41/0926 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , G01C19/5607

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