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1. 发明专利

JP6610917B2 水蒸気電解水素化装置有权
公开(公告)号：JP6610917B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2014022703
申请日：2014-02-07
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：銭谷勇磁 , 西原孝史 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 竹内宏樹
IPC分类号： B01J23/34 , B01J23/78 , B01J37/02 , B01J37/34 , C25B9/00

2. 发明专利

JP5914846B2 酸化物膜およびプロトン伝導デバイス有权
标题翻译：氧化膜和质子传导装置
公开(公告)号：JP5914846B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2014194877
申请日：2014-09-25
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：西原孝史 , 銭谷勇磁 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 小森知行 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , C04B41/87 , C01G55/00 , C01G27/00 , C23C14/08 , C01G25/00
CPC分类号： C25B11/04 , C04B41/5027 , C04B41/5032 , C04B41/5042 , C04B41/5045 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2300/0074 , H01M4/9033 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56

3. 发明专利

JP5838306B2 情報記録媒体とその製造方法有权
标题翻译：信息记录介质及其制造方法的
公开(公告)号：JP5838306B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2012542053
申请日：2012-02-24
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：槌野晶夫 , 西原孝史 , 草田英夫 , 児島理恵 , 山田昇
IPC分类号： G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/24038
CPC分类号： G11B7/24 , G11B7/2403 , G11B7/24041 , G11B7/252 , G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/266

4. 发明专利

JP5776024B2 プロトン伝導体有权
标题翻译：质子导体
公开(公告)号：JP5776024B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2014518453
申请日：2014-01-24
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：銭谷勇磁 , 西原孝史
IPC分类号： C01G25/00 , C25B13/04 , C04B35/00 , H01B1/08
CPC分类号： H01M8/1016 , C04B35/01 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C23C14/088 , H01M8/1246 , C04B2235/3205 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/81 , H01B1/08 , H01M2300/0071 , H01M2300/0074 , Y02E60/525 , Y02P70/56

5. 发明专利

JP2015148563A 水素センサ审中-公开
标题翻译：氢传感器
公开(公告)号：JP2015148563A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014022706
申请日：2014-02-07
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：銭谷勇磁 , 西原孝史 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 竹内宏樹
IPC分类号： C01G25/00 , B01J35/00 , G01N27/406
摘要：【課題】より実用的な水素センサを提供する。【解決手段】水素センサは、組成式A a B 1-x B’ x O 3-δ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有するプロトン伝導体と、プロトン伝導体に接して配置され、水素ガスを透過し、水素を酸化して、プロトンを生成する触媒作用を有する検出電極と、プロトン伝導体に接して配置された基準電極とを備え、Aの元素はアルカリ土類金属であって、その元素の組成比率を示すaの値が、0.4
【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供更实用的氢传感器。解决方案：氢传感器包括：质子导体，其具有由组成式ABB'O表示的钙钛矿晶体结构; 检测电极，其设置成与所述质子导体接触并且具有其中氢气被传输，氢被氧化并产生质子的催化作用; 以及与质子导体接触地设置的参考电极。 A的元素是碱土金属，并且表示元素的组成比的a的值包括在0.4

6. 发明专利

JP2015134699A 酸化物膜およびプロトン伝導デバイス有权
标题翻译：氧化物膜和导电传导装置
公开(公告)号：JP2015134699A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014194877
申请日：2014-09-25
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：西原孝史 , 銭谷勇磁 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 小森知行 , 足立秀明 , 藤井映志
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , C04B41/87 , C01G55/00 , C01G27/00 , C23C14/08 , C01G25/00
CPC分类号： C25B11/04 , C04B41/5027 , C04B41/5032 , C04B41/5042 , C04B41/5045 , C25B13/04 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2300/0074 , H01M4/9033 , Y02E60/521 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要：【課題】従来よりも低い温度で高いプロトン伝導性を有する酸化物膜およびプロトン伝導体を提供する。【解決手段】ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物によって構成される酸化物膜であって、酸化物は、A 1-x (E 1-y G y )O z (ただし、AはBa、Sr及びCaから選ばれる少なくとも一つの元素、EはZr、Hf、In、Ga及びAlから選ばれる少なくとも一つの元素、GはY、La、Ce及びGdから選ばれる少なくとも一つの元素、x、y、zは、0.2≦x≦0.5、0.1≦y≦0.7、およびz 0.95≦a/c 【選択図】図2A
摘要翻译：要解决的问题：提供在比传统的较低温度下具有高质子传导性的氧化物膜和质子传导器件。解决方案：提供一种由具有钙钛矿晶体结构的氧化物构成的氧化膜，其中氧化物具有由A （EG）O，其中A为选自Ba，Sr和Ca中的至少一种元素，E为选自Zr，Hf，In，Ga和Al中的至少一种元素，G为选自Y，La， Ce和Gd，x，y和z满足0.2≤x≤0.5,0.1≤y≤0.7且z <3，钙钛矿晶体结构的晶格参数a，b和c满足以下关系式：0.3890≤a≤0.4190和0.95 ≤a/ c <0.98，其中a≤b

7. 发明专利

JP5720001B1 プロトン伝導体およびプロトン伝導デバイス有权
标题翻译：质子导体和质子导体器件
公开(公告)号：JP5720001B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2014540246
申请日：2014-04-28
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：小森知行 , 銭谷勇磁 , 西原孝史
IPC分类号： H01B13/00 , H01M8/02 , H01M4/92 , H01M8/12 , H01M8/06 , H01B1/06
CPC分类号： H01M8/1004 , C23C14/08 , C23C14/185 , C25B13/04 , C25B9/08 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B29/22 , H01B1/122 , H01M4/86 , H01M4/881 , H01M4/92 , H01M8/1016 , H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1253 , H01M2008/1293 , H01M2300/0071 , H01M2300/0074 , Y02E60/521 , Y02E60/525
摘要：プロトン伝導体は、第1および第2の主面を有する電解質層(102)と、複数の触媒粒子(103)とを備える。電解質層の第1の主面(102a)は平坦部(102d)および複数の凹部(102c)を有し、複数の凹部(102c)内に複数の触媒粒子103がそれぞれ位置している。第1の主面(102a)の平坦部(102d)および複数の凹部から露出した複数の触媒粒子の表面の一部(103a)とが第3の主面(102e)を構成している。電解質層(102)は、プロトン伝導性を備えたペロブスカイト型酸化物の単結晶によって構成され、触媒粒子(103)は、貴金属の単結晶によって構成され、電解質層(102)のペロブスカイト型酸化物および複数の触媒粒子(103)の貴金属の結晶方位が一致している。
摘要翻译：质子导体包括具有第一和第二主表面（102）的电解质层，以及多个催化剂颗粒的（103）。电解质层（102A）的第一主表面上具有平坦部（102D）和多个凹槽（102C），多个催化剂颗粒103为多个凹部（102C）分别位于。催化剂的表面的一部分（103A）从颗粒的第一主表面（102A）平面部分（102D）和多个凹部构成的第三主面（102E）露出。电解质层（102）是由钙钛矿型氧化物的单晶具有质子传导性，催化剂颗粒（103）是由贵金属，电解质层（102）的钙钛矿型氧化物的单晶构成和构成所述多个催化剂颗粒（103）的所述贵金属的结晶方位是相同的。

8. 发明专利

JP2016102680A 混合液体の濃度測定装置、水素生成システムおよび濃度測定方法审中-公开
标题翻译：混合液体浓度测量装置，氢气发生系统和浓度测量方法
公开(公告)号：JP2016102680A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014240066
申请日：2014-11-27
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：西原孝史 , 銭谷勇磁 , 伊藤彰宏 , 浅野哲也 , 竹内宏樹 , バダルサイフッラー
IPC分类号： G01N27/22
摘要：【課題】芳香族化合物および有機ハイドライドを含む混合液体の少なくとも一方の濃度を決定する混合液体の濃度測定装置、水素生成システムおよび濃度測定方法を提供する。【解決手段】混合液体の濃度測定装置は、芳香族化合物および有機ハイドライドの混合液体中に配置される一対の第1の電極102を有し、混合液体の静電容量を測定する第1の静電容量測定器110と、混合液体中に配置され、芳香族化合物または有機ハイドライドを貯蔵する参照容器205と、参照容器205内に配置された一対の第2の電極202を有し、参照容器内の芳香族化合物または有機ハイドライドの静電容量を測定する第2の静電容量測定器210と、混合液体の静電容量と、参照容器内の芳香族化合物または有機ハイドライドの静電容量とに基づき、混合液体中の芳香族化合物および有機ハイドライドの少なくとも一方の濃度を決定する演算器104とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供混合液体浓度测量装置，氢气产生系统和用于确定混合液体中包含的芳族化合物和有机氢化物中的至少一种的浓度的浓度测量方法。溶液：混合液体浓度测量装置包括：第一静电电容测量单元110，用于测量芳族化合物和有机氢化物的混合液体的静电电容，并具有设置在混合液体中的一对第一电极102; 用于储存芳族化合物或有机氢化物并置于混合液中的参考容器205; 第二静电电容测量单元210，用于测量参考容器中的芳族化合物和有机氢化物的静电电容，并具有设置在参考容器205内的一对第二电极202; 以及用于基于混合液体的静电电容和芳族化合物或有机氢化物的静电电容来确定混合液体中的至少一种芳族化合物和有机氢化物的浓度的运算单元104 参考容器。图1：图1

9. 发明专利

JP5828099B1 プロトン伝導体有权
标题翻译：质子导体
公开(公告)号：JP5828099B1
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2014519326
申请日：2014-01-31
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：銭谷勇磁 , 西原孝史 , 浅野哲也
IPC分类号： H01B1/08 , C04B35/50 , H01B1/06
CPC分类号： H01B1/00 , C01G25/00 , C01G25/006 , H01B1/08 , H01M8/00 , C01P2002/34 , C01P2006/40
摘要：プロトン伝導体は、組成式A a B 1-x B’ x O 3- δで表されるペロブスカイト型結晶構造を有し、Aは、2族元素から選択される少なくとも1つであり、Bは、4族の元素またはCeであり、B’は、3族元素、13族元素またはランタノイド元素であり、0.5

(72)発明者銭谷勇磁大阪府門真市大字門真1006番地パナソニック株式会社内 (72)発明者西原孝史大阪府門真市大字門真1006番地パナソニック株式会社内 (72)発明者浅野哲也大阪府門真市大字門真1006番地パナソニック株式会社内審査官 ▲高▼橋真由 (56)参考文献特開2009−231075(JP,A) 特開2008−021466(JP,A) 特開2011−029149(JP,A) 特開2008−243627(JP,A) 特開2005−336022(JP,A) 特表2010−529291(JP,A) 国際公開第2015/008407(WO,A1) (58)調査した分野(Int.Cl.,DB名) H01B 1/06 H01B 1/08 C04B 35/50 H01M 8/02 H01M 8/12
摘要翻译：质子导体具有由组成式AaB1-xB'xO3-δ表示的钙钛矿晶体结构，A是至少一种选自2族元素中，B是IV族元素或一个CE，B“是一个3族元素，13族元素，或镧系元素，0.5

10. 发明专利

JP2015165042A 脱水素化装置有权
标题翻译：脱水装置
公开(公告)号：JP2015165042A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2015019340
申请日：2015-02-03
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：銭谷勇磁 , 西原孝史 , 浅野哲也 , 伊藤彰宏 , 竹内宏樹
IPC分类号： C25B11/06 , C25B11/08 , C25B15/08 , C25B3/02 , C25B9/00 , C25B1/02 , C04B35/00 , C04B41/87 , C25B13/04
CPC分类号： C25B1/02 , C25B13/04 , C25B9/08 , C01B3/505
摘要：【課題】実用的な脱水素化装置を提供する。【解決手段】本開示の実施形態による脱水素化装置は、脱水素化触媒を含むアノードと、プロトンを還元する触媒を含むカソードと、アノード及びカソードの間に配置されたプロトン伝導体とを備える。プロトン伝導体は、組成式A a B 1-x B' x O 3-δ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有し、Aの元素はアルカリ土類金属であって、その元素の組成比率を示すaの値が、0.4
【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供实用的脱氢装置。解决方案：示例性脱氢装置包括：含有脱氢催化剂的阳极; 含有能够还原质子的催化剂的阴极; 以及布置在阳极和阴极之间的质子导体。质子导体具有由组成式ABB'O表示的钙钛矿晶体结构。 A元素是碱土金属，其含量在0.4

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