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1. 发明专利

JP5340508B1 Resistance-change non-volatile memory device and a method for manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5340508B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：JP2013510815
申请日：2012-11-15
申请人：パナソニック株式会社
发明人：巧三河 , 慎一米田
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
摘要： A method for manufacturing a variable resistance nonvolatile storage device in which nonvolatile storage element layers are laminated by repeating a plurality of times steps (S100, S200, ...) of forming a nonvolatile storage element layer. When, right after the completion of the step of forming each nonvolatile storage element layer, the thickness of a second metal oxide layer included in the nonvolatile storage element layer is defined as the thickness at formation and the contact area of the second metal oxide layer included in the nonvolatile storage element layer and a first metal oxide layer is defined as an area at formation, at least either the thickness at formation or the area at formation is different for each of the steps of forming each nonvolatile storage element layer such that the initial resistance values of all nonvolatile storage elements are the same after the uppermost nonvolatile storage element layer is formed.

2. 发明专利

JPWO2011155210A1 不揮発性記憶素子およびそれを備えた不揮発性記憶装置有权
公开(公告)号：JPWO2011155210A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2012519274
申请日：2011-06-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：慎一米田 , 慎一米田 , 三河　巧 , 巧三河 , 早川　幸夫 , 幸夫早川 , 健生二宮 , 健生二宮
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/14 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：初期ブレイクダウンに必要な電気的パルスの電圧を小さくすることができ、かつ不揮発性記憶素子の抵抗値のばらつきを低減することができる不揮発性記憶素子およびそれを備えた不揮発性記憶装置を提供する。第1電極(103)と、第2電極(105)と、第1電極(103)と第2電極(105)との間に介在するように設けられ、第1電極(103)と第2電極(105)との間で与えられる電気的信号に基づいて抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化層(104)とを備え、抵抗変化層(104)は、第1電極(103)に接し、酸素不足型の遷移金属酸化物を含む第1の領域(106)と、第2電極(105)に接し、第1の領域(106)よりも酸素不足度が小さい遷移金属酸化物を含む第2の領域(107)とを有している。第2電極(105)は、イリジウムとイリジウムより低いヤング率を有する少なくとも1つの貴金属との合金で構成されており、イリジウムの含有率が50atm%以上である。

3. 发明专利

JPWO2012046454A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012046454A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012537595
申请日：2011-10-06
申请人：パナソニック株式会社
发明人：三河　巧 , 巧三河 , 早川　幸夫 , 幸夫早川 , 健生二宮 , 健生二宮 , 川島　良男 , 良男川島 , 慎一米田 , 慎一米田
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/34 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要：低電圧で安定して抵抗変化し、大容量化に適し、なおかつ信頼性に優れた抵抗変化型の不揮発性記憶素子およびその製造方法を提供する。不揮発性記憶素子(10)は、第1の電極(106)と、第2の電極(104)と、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(115)とを備え、抵抗変化層(115)はMOxで表される組成を有する第1の遷移金属酸化物層(115x)と、MOy(但し、x>y)で表される組成を有する第2の遷移金属酸化物層(115y)と、MOz(但し、y>z)で表される組成を有する第3の遷移金属酸化物層(115z)とが、この順で積層された積層構造を備える。

4. 发明专利

JP5174282B2 Non-volatile memory element and a non-volatile memory device having a it 有权
公开(公告)号：JP5174282B2
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：JP2012519274
申请日：2011-06-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：慎一米田 , 巧三河 , 幸夫早川 , 健生二宮
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/14 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625

5. 发明专利

JP5571833B2 Method of manufacturing a non-volatile memory element and a non-volatile memory element 有权
公开(公告)号：JP5571833B2
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：JP2013167082
申请日：2013-08-09
申请人：パナソニック株式会社
发明人：慎一米田
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683

6. 发明专利

JP5432423B2 Non-volatile memory device and a method for manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5432423B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2013536739
申请日：2013-01-18
申请人：パナソニック株式会社
发明人：理伊藤 , 覚藤井 , 慎一米田 , 巧三河
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/08 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641

7. 发明专利

JP5241962B2 Non-volatile memory element and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5241962B2
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：JP2012537595
申请日：2011-10-06
申请人：パナソニック株式会社
发明人：巧三河 , 幸夫早川 , 健生二宮 , 良男川島 , 慎一米田
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/145 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要： A variable resistance nonvolatile storage element (10) includes: a first electrode (106); a second electrode (104); and a variable resistance layer (115) having a resistance value that reversibly changes based on an electrical signal applied between the electrodes, wherein the variable resistance layer has a structure formed by stacking a first transition metal oxide layer (115x), a second transition metal oxide layer (115y), and a third transition metal oxide layer (115z) in this order, the first transition metal oxide layer having a composition expressed as MO x (where M is a transition metal and O is oxygen), the second transition metal oxide layer having a composition expressed as MO y (where x > y), and the third transition metal oxide layer having a composition expressed as MO z (where y > z).

8. 发明专利

JPWO2013073187A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法有权
标题翻译：可变电阻非易失性存储装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013073187A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013510815
申请日：2012-11-15
申请人：パナソニック株式会社
发明人：三河　巧 , 巧三河 , 慎一米田 , 慎一米田
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1266 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
摘要：不揮発性記憶素子層を形成する工程(S100、S200・・・)を複数回繰り返すことにより不揮発性記憶素子層が積層された抵抗変化型不揮発性記憶装置を製造する方法であって、それぞれの不揮発性記憶素子層を形成する工程が完了した直後において、当該不揮発性記憶素子層に含まれる第2金属酸化物層の厚さを形成時厚さとし、当該不揮発性記憶素子層に含まれる第2金属酸化物層と第1金属酸化物層との接触面積を形成時面積とするとき、最上層の不揮発性記憶素子層が形成された後に全ての不揮発性記憶素子の初期抵抗が同一になるように、形成時厚さ及び形成時面積のいずれか少なくとも一方が、それぞれの不揮発性記憶素子層を形成する工程毎に異なる。
摘要翻译：一种制造可变电阻非易失性存储装置的非易失性存储器元件层的方法通过重复多次层叠的步骤（S100，S200 ...），其形成的非易失性存储元件层，每个非易失性后立即形成性存储器元件层的步骤完成后，形成包括在所述非易失性存储元件的层厚度聪所述第二金属氧化物层的厚度时，包含在非易失性存储元件层中的第二金属当氧化物层和第一金属氧化物层之间的接触区域的面积的形成时间，从而形成所述非易失性存储元件层的最上层毕竟非易失性存储元件的初始电阻是相同的的厚度的成形时间的至少一个，并在区域上形成用于形成各自的非易失性存储器元件层的各处理不同。

9. 发明专利

JPWO2012169198A1 不揮発性記憶素子、及び不揮発性記憶装置有权
标题翻译：非易失性存储元件，和非易失性存储器设备
公开(公告)号：JPWO2012169198A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013504030
申请日：2012-06-07
申请人：パナソニック株式会社
发明人：慎一米田 , 慎一米田 , 早川　幸夫 , 幸夫早川 , 清孝辻 , 清孝辻
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0033 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
摘要：本発明に係る不揮発性記憶素子(60)は、印加電圧に対して双方向の整流特性を有する電流制御素子(50)と、電流制御素子(50)と直列に接続された抵抗変化素子(14)とを備える。電流制御素子(50)は、互いに直列に接続され、それぞれが印加電圧に対して双方向の整流特性を有するMSMダイオード(1)及びMSMダイオード(2)を備える。MSMダイオード(1)及びMSMダイオード(2)は、以下の順に積層された下部電極(5)と、第1の電流制御層(6)と、第1の金属層(7)と、第2の電流制御層(8)と、上部電極(13)とを含む。電流制御素子(50)のブレークダウン電流は、初期ブレークのときに抵抗変化素子(14)に流れる初期ブレーク電流より大きい。
摘要翻译：根据本发明（60）的非易失性存储元件包括：具有相对于所施加的电压的双向整流特性的电流控制元件（50），连接在与电阻变化元件串联的电流控制装置（50）（14 ）和。电流控制元件（50）串联连接彼此，设置有MSM二极管（1）和MSM二极管，每一个具有相对于所施加的电压（2）的双向整流特性。 MSM二极管（1）和MSM二极管（2）小于所述下部电极，其被顺序地堆叠（5），第一电流控制层（6），所述第一金属层（7），所述第二包括电流控制层（8），和上电极（13）。电流控制元件（50）的击穿电流比初始断裂的电流流过可变电阻元件中的初始断裂（14）大。

10. 发明专利

JPWO2012090404A1 不揮発性記憶素子、その製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012090404A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2012523158
申请日：2011-12-12
申请人：パナソニック株式会社
发明人：慎一米田 , 慎一米田 , 三河　巧 , 巧三河
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , H01L45/1233
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極層(103)と、第2電極層(105)と、第1電極層(103)と第2電極層(105)との間に介在し、第1電極層(103)及び第2電極層(105)の間に与えられる電気的信号に基づいて抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化層(104)とを有する抵抗変化素子(104a)と、所定の抵抗値を有し、抵抗変化層(104)に積層される固定抵抗層(108)とを備え、抵抗変化層(104)は、酸素不足型の第1の遷移金属酸化物層(106)と、第1の遷移金属酸化物層(106)よりも高い酸素含有率をもつ第2の遷移金属酸化物層(107)とを有し、所定の抵抗値は、70Ω以上かつ1000Ω以下である。

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