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1. 发明专利

JPWO2013001742A1 不揮発性半導体記憶素子、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法有权
标题翻译：非易失性半导体存储装置，其非易失性半导体存储装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013001742A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013513325
申请日：2012-06-18
申请人：パナソニック株式会社
发明人：藤井　覚 , 覚藤井 , 清孝辻 , 清孝辻 , 三河　巧 , 巧三河
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：微細化しても十分なオン電流を確保できるとともに、漏れ電流を小さくするために高いオン/オフ電流比を持つ双方向型の電流制御素子と高速動作が可能なバイポーラ型の抵抗変化素子とを備えた不揮発性半導体記憶素子を提供する。その不揮発性半導体記憶素子は、第1電極(102)と抵抗変化層(103)と第2電極(104)とで構成され、第1電極(102)と第2電極(104)との間に印加される電気パルスの極性に応じて抵抗値が変化する抵抗変化素子(121)と、抵抗変化素子(121)と電気的に接続され、双方向に電流を流す非線形の電流・電圧特性を有する電流制御素子(122)とを備え、電流制御素子(122)は、第1電流制御素子電極(106)と、第1の半導体層(107)と、第2電流制御素子電極(108)とがこの順で積層された構成を有するとともに、第1電流制御素子電極(106)、第1の半導体層(107)および第2電流制御素子電極(108)の側面を覆う第2の半導体層(109)を有する。
摘要翻译：一起也可以确保充分的导通电流被小型化，并具有高开/关电流比双向电流控制元件和能够进行高速操作双极性可变电阻元件具有以减少泄漏电流并提供一种非易失性半导体存储器件。其非易失性半导体存储装置由德第一电极（102）和电阻变化层（103）和第二电极（104），所述第一电极（102）和所述第二电极之间（104）具有可变电阻元件的电阻取决于电脉冲的极性值被改变（121）被施加，是电连接可变电阻元件（121），在两个方向上非线性电流流动的电流 - 电压特性和电流控制器件（122），所述电流控制装置（122）包括第一电流控制元件电极（106），第一半导体层（107），但第二电流控制元件电极（108）并且它有一个按照该顺序层叠，第一电流控制元件电极（106），所述第一半导体层（107）和覆盖所述控制元件电极（108）的侧表面的第二电流的第二半导体层（109 ）拥有。

3. 发明专利

JPWO2008081742A1 抵抗変化型素子、抵抗変化型記憶装置、および抵抗変化型装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008081742A1
公开(公告)日：2010-04-30
申请号：JP2008552095
申请日：2007-12-20
申请人：パナソニック株式会社
发明人：村岡　俊作 , 俊作村岡 , 小佐野　浩一 , 浩一小佐野 , 藤井　覚 , 覚藤井
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1625 , G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
摘要：第1電極(2)と、第2電極(4)と、第1電極(2)と第2電極(4)との間に配設され第1電極(2)と第2電極(4)とに電気的に接続された抵抗変化層(3)とを備え、抵抗変化層(3)が(NixFe1−x)Fe2O4の化学式で表されるスピネル構造を有する材料を含み、Xが0.35以上0.9以下であり、第1電極(2)と第2電極(4)との間に第1の電圧を有する第1電圧パルスを印加することで第1電極(2)と第2電極(4)との間の電気抵抗が低下し、第1電極(2)と第2電極(4)との間に第1の電圧と極性が異なる第2の電圧を有する第2電圧パルスを印加することで第1電極(2)と第2電極(4)との間の電気抵抗が上昇する性質を有する抵抗変化型素子(10)、抵抗変化型記憶装置、および抵抗変化型装置である。

4. 发明专利

JP4308884B2 Resistance change type storage device, a non-volatile switching device 有权
公开(公告)号：JP4308884B2
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：JP2008535813
申请日：2008-03-27
申请人：パナソニック株式会社
发明人：浩一小佐野 , 俊作村岡 , 覚藤井
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： A resistance variable element comprises a first electrode (2), a second electrode (4), and a resistance variable layer (3) which is disposed between the first electrode and the second electrode, and electrically connected to the first electrode and the second electrode, wherein the resistance variable layer comprises material including TaOX (1.6≦̸X≦̸2.2), an electric resistance between the first electrode and the second electrode is lowered by application of a first voltage pulse having a first voltage between the first electrode and the second electrode, and the electric resistance between the first electrode and the second electrode is increased by application of a second voltage pulse having a second voltage of the same polarity as the first voltage, between the first electrode and the second electrode.

5. 发明专利

JP4252110B2 Nonvolatile memory device, a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element array 有权
公开(公告)号：JP4252110B2
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：JP2008535812
申请日：2008-03-27
申请人：パナソニック株式会社
发明人：浩一小佐野 , 俊作村岡 , 覚藤井
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , Y10S257/904 , Y10S257/924
摘要： A nonvolatile memory apparatus comprises a first electrode (111), a second electrode (112), a variable resistance layer (113) which is disposed between the electrodes, a resistance value of the variable resistance layer reversibly varying between a plurality of resistance states based on an electric signal applied between the electrodes, a first terminal (103) connected to the first electrode, and a second terminal (104) connected to the second electrode. The variable resistance layer comprises at least a tantalum oxide, and is configured to satisfy 0

6. 发明专利

JP5432423B2 Non-volatile memory device and a method for manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5432423B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2013536739
申请日：2013-01-18
申请人：パナソニック株式会社
发明人：理伊藤 , 覚藤井 , 慎一米田 , 巧三河
IPC分类号： H01L27/105 , C23C14/08 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641

8. 发明专利

JPWO2011089682A1 不揮発性半導体記憶素子の製造方法および不揮発性半導体記憶装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011089682A1
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2011550735
申请日：2010-12-28
申请人：パナソニック株式会社
发明人：藤井　覚 , 覚藤井 , 三河　巧 , 巧三河
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625
摘要：抵抗変化素子(17)と非オーミック性素子(20)とを有する不揮発性半導体記憶素子の製造方法であって、抵抗変化素子(17)は、第1電極(15a)と、抵抗変化層(18)と、共用電極(19)とで構成され、非オーミック性素子(20)は、共用電極(19)と、半導体層もしくは絶縁体層(21)と、第2電極(22)とで構成され、基板上に第1電極(15a)を形成する工程と、第1電極(15a)上に抵抗変化層(18)を形成する工程と、抵抗変化層(18)の表面を窒化して共用電極(19)を形成する工程と、共用電極(19)上に半導体層もしくは絶縁体層(21)を形成する工程と、第2電極(22)を形成する工程と、を含み、共用電極(19)を形成する工程は、プラズマ窒化処理により、遷移金属酸化物の表面を窒化することにより、遷移金属窒化物で構成される共用電極(19)を形成する工程である。

9. 发明专利

JPWO2010021134A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置有权
公开(公告)号：JPWO2010021134A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2009554819
申请日：2009-08-20
申请人：パナソニック株式会社
发明人：村岡　俊作 , 俊作村岡 , 神澤　好彦 , 好彦神澤 , 三谷　覚 , 覚三谷 , 幸治片山 , 幸治片山 , 一彦島川 , 一彦島川 , 藤井　覚 , 覚藤井 , 高木　剛 , 剛高木
IPC分类号： H01L27/10 , C23C14/08 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：半導体基板(301)と、下部電極(309a)と上部電極(309c)と両電極間に与えられる極性の異なる電圧信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(309b)とからなる抵抗変化素子(309)と、半導体基板(301)の主面に構成されたN型MOSトランジスタ(317)とを備え、抵抗変化層(309b)は、下部電極(309a)と接してMOxなる組成の酸素不足型の遷移金属の酸化物層(309b−1)と、上部電極(309c)と接してMOy(但し、x

10. 发明专利

JP4757360B2 Non-volatile memory element, a non-volatile storage device, a non-volatile semiconductor device, and a method of manufacturing a non-volatile memory element 有权
公开(公告)号：JP4757360B2
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：JP2010548448
申请日：2010-02-02
申请人：パナソニック株式会社
发明人：巧三河 , 覚三谷 , 浩二有田 , 覚藤井
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273

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