基本信息:
- 专利标题： 不揮発性記憶素子、及び不揮発性記憶装置
- 专利标题（英）：Non-volatile memory element, and a non-volatile storage device
- 专利标题（中）：非易失性存储元件，和非易失性存储器设备
- 申请号：JP2013504030 申请日：2012-06-07
- 公开(公告)号：JPWO2012169198A1 公开(公告)日：2015-02-23
- 发明人： 慎一 米田 , 慎一 米田 , 早川 幸夫 , 幸夫 早川 , 清孝 辻 , 清孝 辻
- 申请人： パナソニック株式会社
- 专利权人： パナソニック株式会社
- 当前专利权人： パナソニック株式会社
- 优先权： JP2011130474 2011-06-10
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; G11C13/00 ; H01L45/00 ; H01L49/00
Nonvolatile memory element according to the present invention (60) includes a current control element (50) having a two-way rectification characteristics with respect to the applied voltage, the current control element (50) connected in series with a resistor variable element (14 ) and a. Current control element (50) is connected in series with each other, comprises a MSM diode (1) and MSM diodes each having a two-way rectification characteristics with respect to the applied voltage (2). MSM diode (1) and MSM diode (2) is less than the lower electrode, which are sequentially stacked (5), a first current control layer (6), the first metal layer (7), the second comprising a current control layer (8), and an upper electrode (13). Break down current of the current control element (50) is greater than the initial break the current flowing in the resistance change element at the time of the initial break (14).
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |