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1. 发明专利

JP5649720B2 薄膜半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5649720B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2013508627
申请日：2011-04-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678

2. 发明专利

JPWO2012137251A1 表示装置用薄膜半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012137251A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013508627
申请日：2011-04-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678
摘要：本発明に係る表示装置用薄膜半導体装置(10)は、基板(1)と、基板上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜上に形成され、表面に凸形状を持つチャネル層(4)と、チャネル層の凸形状の上に形成され、シリコン、酸素及びカーボンを含む有機材料を含有するチャネル保護層(5)と、チャネル層の凸形状の上面とチャネル保護層との界面に形成され、カーボンを主成分として含み、その主成分であるカーボンは前記有機材料に由来するカーボンである界面層(6)と、チャネル保護層の端部の上部及び側部、チャネル保護層の側部につらなる界面層の側部、界面層の側部につらなるチャネル層の凸形状の側部、並びにチャネル層の凸形状の側部につらなるチャネル層の上部に沿って形成されたソース電極(8s)及びドレイン電極(8d)と、を具備する。

3. 发明专利

JP5421357B2 Display apparatus for a thin film semiconductor device and manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：JP5421357B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2011504269
申请日：2010-05-11
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：宏林 , 孝啓川島 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/04 , H01L29/66765

4. 发明专利

JPWO2011161714A1 シリコン薄膜の結晶化方法およびシリコンＴＦＴ装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011161714A1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2011528109
申请日：2010-06-21
申请人：パナソニック株式会社
发明人：尾田　智彦 , 智彦尾田 , 孝啓川島 , 孝啓川島
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要：シリコン薄膜の結晶粒のサイズを均一にすることができるシリコン薄膜の結晶化方法は、基板1上に、第1の反射率を有する第1ゲート電極(2)を積層する第2工程と、第1の反射率より小さい第2の反射率を有し、且つ、第1ゲート電極(2)の上面積よりも小さい上面積を有する第2ゲート電極(3)を、第1ゲート電極(2)の上面周辺部を露出させて第1ゲート電極(2)上に積層する第3工程と、第1ゲート電極(2)が形成されていない基板(1)上の周辺領域、第2ゲート電極(3)から露出された第1ゲート電極(2)上の第1領域、及び、第2ゲート電極(3)の上面の第2領域を覆って、ゲート絶縁膜(4)を積層する第4工程と、積層されたゲート絶縁膜(4)上に、非晶質シリコン薄膜(5a)を積層する第5工程と、非晶質シリコン薄膜(5a)の上方からレーザ光を照射することにより、非晶質シリコン薄膜(5a)を結晶化する第6工程と、を含む。

5. 发明专利

JPWO2008149548A1 半導体ナノワイヤおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2008149548A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：JP2009517723
申请日：2008-06-04
申请人：パナソニック株式会社
发明人：孝啓川島 , 孝啓川島 , 齋藤　徹 , 徹齋藤
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B25/08 , C01B33/02 , C23C16/24 , C23C16/30 , H01L21/205 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02653 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/02656 , H01L27/3262 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/775 , H01L33/18 , Y10S438/962
摘要：第一の領域及び第二の領域を有する半導体ナノワイヤの製造方法は、基板(102)の上に触媒粒子(101)を配置する工程(a)と、第一の原料ガス(103)を供給してVLS成長機構により第一の領域(104)を触媒粒子から成長させる工程(b)と、第一の領域の側壁に保護膜(105)を形成する工程(c)と、第二の原料ガス(107)を供給してVLS成長機構により第一の領域に上に第二の領域(106)を成長させる工程(d)とを含む。

6. 发明专利

JPWO2013072966A1 薄膜半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013072966A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013521323
申请日：2011-11-17
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/786
摘要：ゲート絶縁膜(3)上に形成された半導体層(4)のバンドギャップエネルギーは、1.6eV以下である。半導体層(4)上に形成された絶縁層(5)は、第1コンタクト開口部(8)よりも外側に配置された第1絶縁層領域(5a)と、第2コンタクト開口部(9)よりも外側に配置された第2絶縁層領域(5b)と、を有する。第1絶縁層領域(5a)は、ゲート電極(2)の一端部の上方に配置され、第2絶縁層領域(5b)は、ゲート電極(2)の他端部の上方に配置される。
摘要翻译：栅极绝缘膜（3）半导体形成在所述层的带隙能量（4）小于1.6电子伏特。半导体层（4）绝缘膜，形成在第（5），所述第一绝缘层和区域（5a）的层，布置在所述第一接触开口外侧的第二接触开口（8）（9）具有，第二绝缘层设置区域向外（5b）的比。在第一绝缘层的区域（5a）中被布置在栅电极（2），（5b）中被设置在栅电极的另一端部的上方的第二绝缘层区域的端部的上方（2）。

7. 发明专利

JPWO2013061574A1 薄膜半導体装置有权
标题翻译：薄膜半导体器件
公开(公告)号：JPWO2013061574A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013522050
申请日：2012-10-23
申请人：パナソニック株式会社
发明人：有宣鐘ヶ江 , 有宣鐘ヶ江 , 孝啓川島 , 孝啓川島
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02675 , H01L27/3262 , H01L29/6675 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要：薄膜半導体装置(100)は、ゲート電極(120)と、チャネル層(140)と、第1非晶質半導体層(150)と、チャネル保護層(160)と、チャネル層(140)の両側面に形成された一対の第2非晶質半導体層(171、172)と、第2非晶質半導体層(171、172)を介してチャネル層(140)の側面にコンタクトする一対のコンタクト層(181、182)とを備え、ゲート電極(120)、チャネル層(140)、第1非晶質半導体層(150)、及びチャネル保護層(160)は、上面視したときに外形輪郭線が一致するように積層され、第1非晶質半導体層(150)の局在準位密度は、第2非晶質半導体層(171、172)の局在準位密度より高く、第2非晶質半導体層(171、172)のバンドギャップは、第1非晶質半導体層(150)のバンドギャップより大きい。
摘要翻译：薄膜半导体装置（100）包括一个栅电极（120），沟道层（140），所述第一非晶半导体层（150），所述沟道保护层（160），所述沟道层的两侧上（140）形成在（171，172）的一对第二非晶半导体层，一对接触层的接触所述第二非晶半导体层（171，172）在所述沟道层（140）的侧表面（ 181182）和包括栅极电极（120），沟道层（140），所述第一非晶半导体层（150），和沟道保护层（160），匹配轮廓从上方观察时它被堆叠，使得所述第一非晶半导体层（150）的局部能级密度大于所述第二非晶半导体层（171，172），所述第二非晶的局部水平高密度在半导体层（171，172）的带隙比所述第一非晶半导体层（150）的带隙越大。

8. 发明专利

JPWO2013001676A1 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造薄膜晶体管器件和薄膜晶体管器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013001676A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012555250
申请日：2012-02-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：有宣鐘ヶ江 , 有宣鐘ヶ江 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 林　宏 , 宏林 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
摘要：キンク現象が抑制され、優れたTFT特性を有する薄膜トランジスタ装置を提供する。基板(1)上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極(2)上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜(3)上に形成された結晶シリコン薄膜(4)と、結晶シリコン薄膜(4)上に形成された第1の半導体膜(5)と、第1の半導体膜(5)上に形成された一対の第2の半導体膜(6)と、一対の第2の半導体膜(6)の一方の上方に形成されたソース電極(8S)と、一対の第2の半導体膜(6)の他方の上方に形成されたドレイン電極(8D)と、を具備し、結晶シリコン薄膜(4)及び第1の半導体膜(5)のコンダクションバンドの下端のエネルギー準位をそれぞれ、ECP、EC1とすると、ECP
摘要翻译：扭结现象被抑制，以提供具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件。衬底（1）和形成在所述（2），栅绝缘层，形成在栅电极上形成栅绝缘膜（2）（3），结晶性硅薄膜（4膜与栅电极（3）一个）形成在所述结晶性硅薄膜（4）和（5），一对形成在所述第一半导体膜（5）（6），一对第二半导体膜的第一半导体层一个第二半导体膜（6）之一（8S）的源极电极的上方形成的，一对第二半导体膜（6）其他的漏电极的上方形成（图8D）时，提供时，结晶性硅薄膜（4）和所述第一半导体膜（5）的导带的下端的每个能级，当ECP，EC1，是ECP

9. 发明专利

JPWO2012117718A1 薄膜半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012117718A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013502190
申请日：2012-02-27
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：孝啓川島 , 孝啓川島 , 永井　久雄 , 久雄永井 , 佐藤　栄一 , 栄一佐藤 , 悠治岸田 , 悠治岸田 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/66742 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要：基板(1)上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極(2)を覆って形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜(3)上に形成され、チャネル領域を有する半導体層(4)と、半導体層(4)の上方に形成され、シリコン、酸素及びカーボンを含む有機材料を含有するチャネル保護層(5)と、半導体層(4)とチャネル保護層(5)との界面に形成され、カーボンを主成分として含み、その主成分であるカーボンはチャネル保護層(5)の有機材料に由来するカーボンである界面層(6)と、半導体層(4)と電気的に接続されるソース電極(8s)及びドレイン電極(8d)とを含む。

10. 发明专利

JP5498161B2 Method of manufacturing a semiconductor nanowire 有权
公开(公告)号：JP5498161B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2009517723
申请日：2008-06-04
申请人：パナソニック株式会社
发明人：孝啓川島 , 徹齋藤
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B25/08 , C01B33/02 , C23C16/24 , C23C16/30 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02653 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/02656 , H01L27/3262 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/775 , H01L33/18 , Y10S438/962

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