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1. 发明专利

JP5649720B2 薄膜半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5649720B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2013508627
申请日：2011-04-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678

2. 发明专利

JPWO2012137251A1 表示装置用薄膜半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012137251A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013508627
申请日：2011-04-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L29/66765 , H01L29/78606 , H01L29/78678
摘要：本発明に係る表示装置用薄膜半導体装置(10)は、基板(1)と、基板上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜上に形成され、表面に凸形状を持つチャネル層(4)と、チャネル層の凸形状の上に形成され、シリコン、酸素及びカーボンを含む有機材料を含有するチャネル保護層(5)と、チャネル層の凸形状の上面とチャネル保護層との界面に形成され、カーボンを主成分として含み、その主成分であるカーボンは前記有機材料に由来するカーボンである界面層(6)と、チャネル保護層の端部の上部及び側部、チャネル保護層の側部につらなる界面層の側部、界面層の側部につらなるチャネル層の凸形状の側部、並びにチャネル層の凸形状の側部につらなるチャネル層の上部に沿って形成されたソース電極(8s)及びドレイン電極(8d)と、を具備する。

3. 发明专利

JP5421357B2 Display apparatus for a thin film semiconductor device and manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：JP5421357B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2011504269
申请日：2010-05-11
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：宏林 , 孝啓川島 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/04 , H01L29/66765

4. 发明专利

JPWO2013072966A1 薄膜半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013072966A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013521323
申请日：2011-11-17
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/786
摘要：ゲート絶縁膜(3)上に形成された半導体層(4)のバンドギャップエネルギーは、1.6eV以下である。半導体層(4)上に形成された絶縁層(5)は、第1コンタクト開口部(8)よりも外側に配置された第1絶縁層領域(5a)と、第2コンタクト開口部(9)よりも外側に配置された第2絶縁層領域(5b)と、を有する。第1絶縁層領域(5a)は、ゲート電極(2)の一端部の上方に配置され、第2絶縁層領域(5b)は、ゲート電極(2)の他端部の上方に配置される。
摘要翻译：栅极绝缘膜（3）半导体形成在所述层的带隙能量（4）小于1.6电子伏特。半导体层（4）绝缘膜，形成在第（5），所述第一绝缘层和区域（5a）的层，布置在所述第一接触开口外侧的第二接触开口（8）（9）具有，第二绝缘层设置区域向外（5b）的比。在第一绝缘层的区域（5a）中被布置在栅电极（2），（5b）中被设置在栅电极的另一端部的上方的第二绝缘层区域的端部的上方（2）。

5. 发明专利

JPWO2013001676A1 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造薄膜晶体管器件和薄膜晶体管器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013001676A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012555250
申请日：2012-02-06
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：有宣鐘ヶ江 , 有宣鐘ヶ江 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 林　宏 , 宏林 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78687 , H01L29/78696
摘要：キンク現象が抑制され、優れたTFT特性を有する薄膜トランジスタ装置を提供する。基板(1)上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極(2)上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜(3)上に形成された結晶シリコン薄膜(4)と、結晶シリコン薄膜(4)上に形成された第1の半導体膜(5)と、第1の半導体膜(5)上に形成された一対の第2の半導体膜(6)と、一対の第2の半導体膜(6)の一方の上方に形成されたソース電極(8S)と、一対の第2の半導体膜(6)の他方の上方に形成されたドレイン電極(8D)と、を具備し、結晶シリコン薄膜(4)及び第1の半導体膜(5)のコンダクションバンドの下端のエネルギー準位をそれぞれ、ECP、EC1とすると、ECP
摘要翻译：扭结现象被抑制，以提供具有优异的TFT特性的薄膜晶体管器件。衬底（1）和形成在所述（2），栅绝缘层，形成在栅电极上形成栅绝缘膜（2）（3），结晶性硅薄膜（4膜与栅电极（3）一个）形成在所述结晶性硅薄膜（4）和（5），一对形成在所述第一半导体膜（5）（6），一对第二半导体膜的第一半导体层一个第二半导体膜（6）之一（8S）的源极电极的上方形成的，一对第二半导体膜（6）其他的漏电极的上方形成（图8D）时，提供时，结晶性硅薄膜（4）和所述第一半导体膜（5）的导带的下端的每个能级，当ECP，EC1，是ECP

6. 发明专利

JPWO2012117718A1 薄膜半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012117718A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013502190
申请日：2012-02-27
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：孝啓川島 , 孝啓川島 , 永井　久雄 , 久雄永井 , 佐藤　栄一 , 栄一佐藤 , 悠治岸田 , 悠治岸田 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/66742 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要：基板(1)上に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極(2)を覆って形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜(3)上に形成され、チャネル領域を有する半導体層(4)と、半導体層(4)の上方に形成され、シリコン、酸素及びカーボンを含む有機材料を含有するチャネル保護層(5)と、半導体層(4)とチャネル保護層(5)との界面に形成され、カーボンを主成分として含み、その主成分であるカーボンはチャネル保護層(5)の有機材料に由来するカーボンである界面層(6)と、半導体層(4)と電気的に接続されるソース電極(8s)及びドレイン電極(8d)とを含む。

7. 发明专利

JPWO2013061383A1 薄膜半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013061383A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2012506244
申请日：2011-10-28
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
摘要：本発明に係る薄膜半導体装置(10)の製造方法は、基板(1)を準備する第1工程と、基板(1)上にゲート電極(2)を形成する第2工程と、ゲート電極(2)上に第1絶縁膜としてゲート絶縁膜(3)を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜(3)上に、チャネル層(4)となる非結晶質の半導体薄膜(4a)を形成する第4工程と、非結晶質の半導体薄膜(4a)上に、第2絶縁膜としてチャネル保護膜(5)を形成する第5工程と、チャネル保護膜(5)にレーザー光を照射することにより、チャネル保護膜(5)の透過率を高くする第6工程と、チャネル層(4)の上方にソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)を形成する第7工程と、を含む。
摘要翻译：制造根据本发明的薄膜半导体器件（10）的方法包括：准备衬底（1），所述基板（1），栅电极上形成栅电极（2）的第二步骤的第一步骤（2 ）形成栅极绝缘膜的第三步骤（3）为上的第一绝缘膜，在栅极绝缘膜（3），以形成半导体薄膜成为非晶沟道层（4）（4a）中第四步骤中，无定形（4a）的半导体薄膜，作为第二层绝缘膜形成的沟道保护膜（5）的第五步骤中，通过将激光束照射到沟道保护膜（5）包括增加沟道保护膜（5）的透射率的第六步骤中，并且形成源极电极（7S）和沟道层（4），上述漏极电极（7D）的第七步骤。

8. 发明专利

JPWO2013021416A1 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造薄膜半导体装置和薄膜半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013021416A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2011554010
申请日：2011-08-09
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要：本発明に係る薄膜半導体装置(10)は、基板(1)と、基板の上方に形成されたゲート電極(2)と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜(3)と、ゲート絶縁膜上に形成された多結晶半導体層(4)からなるチャネル層と、チャネル層上に形成され、表面に凸形状を持つ非晶質半導体層(5)と、非晶質半導体層の上方に形成されたソース電極(8S)及びドレイン電極(8D)と、を具備し、非晶質半導体層(5)のチャネル層側の第1の部分(51)の抵抗率は、非晶質半導体層(5)のソース電極及びドレイン電極側の第2の部分(52)の抵抗率より小さい。
摘要翻译：根据本发明的薄膜半导体器件（10）包括：基板（1），与基板（2），形成在栅电极的栅极绝缘膜（3），栅极绝缘膜的上方形成的栅电极上形成的多晶半导体层形成的沟道层的上（4）所示，形成在沟道层上，将具有表面（5）上的凸状的非晶半导体层，形成在所述非晶半导体层上和它一直是源电极（8S）和漏电极（图8D），包括非晶半导体层的所述沟道层侧（51）的所述第一部分的电阻率（5）是非晶半导体层（源电极）的第二部分和的5漏极电极）（52的电阻率小于。

9. 发明专利

JPWO2013061553A1 薄膜半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：一种薄膜半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013061553A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2013515610
申请日：2012-10-19
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：盛大高 , 盛大高 , 洋吉岡 , 洋吉岡 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 西谷　輝 , 輝西谷
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/306 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08
CPC分类号： H01L29/78678 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/78654 , H01L29/78669
摘要：本発明に係る薄膜半導体装置(100)の製造方法は、基板(1)を準備する工程と、基板(1)の上方にゲート電極(2)を形成する工程と、基板(1)の上方にゲート絶縁膜(3)を形成する工程と、基板(1)の上方に非晶質膜(非晶質シリコン膜(4a))を形成する工程と、非晶質膜を結晶化して、一つの結晶内に異なる結晶方位により形成された複数の副結晶を内包し、前記複数の副結晶の間に複数の結晶面によって形成された副粒界を有する第1結晶(41C)と、平均粒径が前記第1結晶の平均結晶粒径よりも小さい第2結晶(42C)を有する結晶性膜(結晶性シリコン膜(4C))を形成する工程と、結晶性膜の膜厚を薄くする工程と、基板(1)の上方に、ソース電極(7S)及びドレイン電極(7D)を形成する工程と、を含む。
摘要翻译：制造根据本发明的薄膜半导体装置（100）的方法包括：基板（2）上面制备基板（1），形成栅极电极的步骤（1），在基板上面（1）形成栅极绝缘膜（3），在所述衬底（1）（无定形硅膜（图4a））之上的非晶膜，非晶膜结晶，一个包围的多个通过在晶体中不同的晶体取向形成子晶体的，具有二次晶粒边界处的第一晶体由所述多个子晶体的（41C），平均粒径之间的多个晶面的形成有形成具有第二晶体的晶体膜比所述第一晶体的平均晶粒尺寸（42C）（晶体硅膜（图4C）），降低了结晶层的厚度的工序更小的中，基板（1）;以及形成源极电极（7S）和漏极电极（7D），以上。

10. 发明专利

JPWO2013005250A1 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに表示装置审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置
公开(公告)号：JPWO2013005250A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2012556299
申请日：2011-07-05
申请人：パナソニック株式会社 , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：林　宏 , 宏林 , 孝啓川島 , 孝啓川島 , 玄士朗河内 , 玄士朗河内
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
摘要：本発明の薄膜トランジスタは、優れたオン特性と優れたオフ特性とを両立させることができ、電気特性がソース電極およびドレイン電極の入れ替えに対して対称となる薄膜トランジスタを提供することを目的とするものであって、基板(100)と、ゲート電極(110)と、ゲート絶縁層(120)と、ゲート電極(110)の上方のゲート絶縁層(120)上に形成された結晶性シリコン層(131)と、ゲート絶縁層(120)上であって結晶性シリコン層(131)の両側に形成され、結晶性シリコン層(131)の膜厚より膜厚が薄い非結晶性シリコン層(130)と、結晶性シリコン層(131)上に形成されたチャネル保護層(140)と、ソース電極(171)およびドレイン電極(172)とを備える。
摘要翻译：本发明的薄膜晶体管，其目的在于提供一种优异的导通特性和优异的关特性可以由兼容，薄膜晶体管的电特性变得对称相对于所述源电极和漏电极的开关还有，所形成的栅极电极（110）的结晶硅层上的基板（100），栅电极（110），栅极绝缘层（120），并且在栅极绝缘层上（120）（131）如果形成在甚至在栅极绝缘层（120）（131）的结晶硅层的两侧，膜厚度比所述结晶硅层（131）的厚度是薄的非晶质硅层（130），包含结晶硅层（131）信道形成在（140）的保护层，源电极（171）和漏电极（172）。

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