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1. 发明专利

JP6208579B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6208579B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013269268
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/76237 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/105 , H01L29/167 , H01L29/7811 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7395

3. 发明专利

JP2015126086A 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015126086A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269265
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/047 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/408 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L21/26586
摘要：【課題】外周領域内により高速で空乏層を伸展させることで、より高い耐圧を実現可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁ゲート型スイッチング素子を有する素子領域と、素子領域に隣接する外周領域を有する。外周領域内に第1トレンチと第2トレンチが形成されている。第1トレンチと第2トレンチの間に第2導電型の表面領域が形成されている。第1トレンチの底面に第2導電型の第1底面領域が形成されている。第2トレンチの底面に第2導電型の第2底面領域が形成されている。第1トレンチの側面に沿って、表面領域と第1底面領域を接続する第2導電型の第1側面領域が形成されている。第2トレンチの側面に沿って、表面領域と第2底面領域を接続する第2導電型の第2側面領域が形成されている。第1側面領域及び第2側面領域の少なくとも一部に、低面密度領域が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过在外周区域中高速膨胀耗尽层来实现更高耐受电压的技术。解决方案：半导体器件具有具有绝缘栅型开关元件和外周区域的元件区域邻近元素区域。第一沟槽和第二沟槽形成在外周区域中。具有第二导电类型的表面区域形成在第一沟槽和第二沟槽之间。具有第二导电类型的第一底表面区域形成在第一沟槽的底表面上。具有第二导电类型的第二底表面区域形成在第二沟槽的底表面上。沿着第一沟槽的侧表面形成具有连接表面区域和第一底部区域的具有第二导电类型的第一侧表面区域。具有连接表面区域和第二底面区域的具有第二导电类型的第二侧表面区域沿着第二沟槽的侧表面形成。在第一侧表面区域和第二侧表面区域的至少一部分上形成低表面密度区域。

6. 发明专利

JP2015201559A 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法有权
标题翻译：绝缘栅半导体器件和绝缘栅半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015201559A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014080040
申请日：2014-04-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 池田知治 , 庄司智幸 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/046 , H01L21/76237 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/105 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7397
摘要：【課題】外周トレンチに位置ずれが生じても、高い耐圧が得られる絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板12と、表面電極14と、裏面電極18を有し、表面電極14と裏面電極18の間をスイッチングする絶縁ゲート型半導体装置であって、半導体基板12の表面に形成されている第1外周トレンチ54aと、半導体基板12の表面に形成されており、第1外周トレンチ54aよりも深い第2外周トレンチ54bと、第1外周トレンチ54aの底面に露出する第2導電型の第5領域56aと、第2外周トレンチ54bの底面に露出しており、表面側の端部が第5領域56aの裏面側の端部よりも裏面側に位置する第2導電型の第6領域56bと、第5領域56aを第6領域56bから分離している第1導電型の第7領域28を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种绝缘栅半导体器件，其即使在外周沟槽处发生位移时也能实现高的击穿电压。解决方案：一种绝缘栅半导体器件，其具有半导体衬底12，表面电极14和背电极18 并且进行表面电极14和背面电极18之间的切换，并且包括：形成在半导体基板12的表面上的第一外周沟槽54a; 形成在半导体衬底12的表面上并且比第一外周沟槽54a更深的第二外周沟槽54b; 在第一外周槽54a的底面露出的第二导电型第五区域56a; 第二导电类型第六区域56b，其暴露在第二外周沟槽54b的底面上，并且在表面侧具有比后表面上的第五区域56a的端部更靠近后面的端部; 以及将第五区域56a与第六区域56b分离的第一导电类型第七区域28。

7. 发明专利

JP2015126087A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015126087A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269268
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/76237 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/105 , H01L29/167 , H01L29/7811 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7395
摘要：【課題】外周領域内により高速で空乏層を伸展させることで、より高い耐圧を実現可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置であって、絶縁ゲート型スイッチング素子が形成されている素子領域と外周領域を有しており、外周領域内の半導体基板の表面に、第1トレンチと、第1トレンチから間隔を隔てて配置されている第2トレンチが形成されており、第1トレンチと第2トレンチ内に、絶縁膜が形成されており、第1トレンチの底面から第2トレンチの底面に跨って延びる第2導電型の第4領域が形成されており、第4領域の下側に、第3領域から連続する第1導電型の第5領域が形成されている半導体装置。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过在外周区域中高速膨胀耗尽层来实现更高耐受电压的技术。解决方案：半导体器件具有具有绝缘栅型开关元件和外周区域的元件区域。在外围区域的半导体衬底的表面上形成有从第一沟槽排列成空间的第一沟槽和第二沟槽。在第一沟槽和第二沟槽中形成绝缘膜。形成具有第二导电类型并且从第一沟槽的底表面延伸穿过第二沟槽的底表面的第四区域。第四区域形成有第一导电类型并且从第三区域继续的第五区域。

8. 发明专利

JP2015126085A 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置有权
标题翻译：绝缘栅型半导体器件和绝缘栅型半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2015126085A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269264
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/761 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L21/046
摘要：【課題】絶縁ゲート型半導体装置を高耐圧化する。【解決手段】表面電極と裏面電極の間をスイッチングする絶縁ゲート型半導体装置を製造する方法であって、ゲートトレンチ34の底面に第1の第2導電型不純物を注入し、注入した第1の第2導電型不純物を拡散させる工程と、外周トレンチ54の底面に、第2の第2導電型不純物を注入し、注入した第2の第2導電型不純物を拡散させる工程を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为绝缘栅型半导体器件提供高的击穿电压。解决方案：在表面电极和背电极之间进行切换的绝缘栅型半导体器件的制造方法包括：首先注入的步骤 - 导电型杂质进入栅极沟槽34的底面并扩散注入的第一第二导电型杂质，以及将第二第二导电型杂质注入到外周沟槽54的底面并扩散注入的第二次导电型杂质。

9. 发明专利

JP2016162918A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016162918A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015041260
申请日：2015-03-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：池田知治 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0475 , H01L21/324 , H01L21/6835 , H01L29/1608 , H01L21/0455 , H01L2221/6834
摘要：【課題】熱処理時にトレンチの側面からのSiの昇華を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】SiC基板12の表面にトレンチ20を形成する工程と、トレンチ20を覆うように表面に保護基板62を配置する工程と、SiC基板12と保護基板62を熱処理する工程を有する。保護基板62がトレンチ20を覆うので、トレンチ20の内面からSiが昇華するとトレンチ20の内部の気圧が上昇するので、トレンチ20の側面からSiが昇華することが抑制される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在热处理时抑制Si从沟槽的侧面升华的技术。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：在一个表面上形成沟槽20的工艺 SiC衬底12; 将保护基板62布置在表面上以覆盖沟槽20的过程; 以及对SiC衬底12和保护衬底62进行热处理的过程。由于保护衬底62覆盖沟槽20，并且当硅从沟槽20的内表面升华时，沟槽20中的空气压力升高，升华来自沟槽20的侧面的Si被抑制。选择图：图8

10. 发明专利

JP2020181873A 半導体装置とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020181873A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2019083240
申请日：2019-04-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：加藤武寛 , 池田知治 , 浦上泰 , 山下侑佑
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/316
摘要：【課題】保護膜が層間絶縁膜から剥離することを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、半導体基板上にリンとボロンの少なくとも一方を含む層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を水素雰囲気下で870℃以上の温度でアニールする工程と、前記アニール後に前記層間絶縁膜の表層部をエッチングする工程と、前記エッチング後に前記層間絶縁膜の表面に接する保護膜を形成する工程、を有する。この構成によれば、保護膜が層間絶縁膜から剥離することを抑制できる。【選択図】図4

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