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1. 发明专利

JP6514035B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6514035B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015107287
申请日：2015-05-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 杉本雅裕 , 水野祥司 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

2. 发明专利

JP6231377B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6231377B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2013267788
申请日：2013-12-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：小野木淳士 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/408 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/0623 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02271

3. 发明专利

JP6181594B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6181594B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2014088306
申请日：2014-04-22
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06

4. 发明专利

JP2016143792A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016143792A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015019285
申请日：2015-02-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：佐藤圭悟 , 朽木克博 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】半導体基板の湾曲を抑制できる技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、セル領域3と、セル領域3を取り囲む周辺領域4を有する半導体基板2を備えている。セル領域3における表面21に複数のゲートトレンチ30が形成されている。周辺領域4における表面21に複数のゲートトレンチ30を取り囲む終端トレンチ40が形成されている。ゲートトレンチ30の内部に半導体基板2と異なる熱膨張率のゲート電極が収容されている。終端トレンチ40の内部に半導体基板2と異なる熱膨張率の絶縁材が収容されている。半導体基板2を平面視したときに、各ゲートトレンチ30は第1方向に延び、第1方向と直交する第2方向に並んでいる。終端トレンチ40は、ゲートトレンチ30から第2方向に離れた位置において第1方向と異なる方向に延びる複数の異方向部50を備えている。複数の異方向部50は、第2方向と異なる方向に並んでいる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制半导体衬底的曲率的技术。解决方案：半导体器件1包括单元区域3和包括围绕单元区域3的周边区域4的半导体衬底2.多个栅极沟槽 30形成在单元区域3的表面21上。围绕多个栅极沟槽30的端接沟槽40形成在周边区域4的表面21.具有不同于半导体衬底2的热膨胀系数的栅电极封装在栅沟槽30的内部。具有不同于半导体衬底2的热膨胀系数的绝缘材料容纳在端接沟槽40的内部。在半导体衬底2的平面图中，每个栅极沟槽30沿第一方向延伸，并且布置在与第一方向正交的第二方向上。终端沟槽40包括沿与第二方向从栅沟槽30分离的位置沿与第一方向不同的方向延伸的多个不同的方向部分50。多个不同方向部分50沿与第二方向不同的方向排列。图1：

5. 发明专利

JP2016096288A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016096288A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014232461
申请日：2014-11-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 宮原真一朗 , 朽木克博 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66734
摘要：【課題】トレンチの側部と底部に空乏層の伸展を促進する半導体領域を有する半導体装置において、耐電圧特性をさらに向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体装置であって、トレンチ内にゲート絶縁層とゲート電極を有している。トレンチの側面に、段差が形成されている。トレンチの側面が、上部側面と、下部側面を有している。段差の表面が、トレンチの中心側に向かうほど下側に変位するように傾斜している。半導体基板が、上部側面でゲート絶縁層に接している第1導電型の第1領域と、第1領域の下側の上部側面でゲート絶縁層に接している第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の下側の上部側面及び下部側面でゲート絶縁層に接している第1導電型の第2領域と、下部側面でゲート絶縁層に接している第2導電型の側部領域と、トレンチの底面でゲート絶縁層に接している第2導電型の底部領域を有している。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于进一步提高耐压特性的技术，在具有有利于在沟槽的侧部和底部延伸耗尽层的半导体区域的半导体器件中。解决方案：提供一种半导体器件在沟槽中具有栅极绝缘层和栅电极。在沟槽的侧面上形成台阶。沟槽的侧面具有上侧面和下侧面。台阶的表面倾斜，以便在其到达沟槽的中心侧时向下移位。半导体衬底具有：在上侧面与第一导电类型的第一区域与栅极绝缘层接触; 第二导电类型的主体区域在第一区域的下侧的上侧面处与栅极绝缘层接触; 第一导电类型的第二区域与身体区域的下侧的上侧面和下侧面处的栅极绝缘层接触; 所述第二导电类型的侧部区域在所述下侧面与所述栅极绝缘层接触; 并且第二导电类型的底部区域在沟槽的底面处与栅极绝缘层接触。选择的图示：图2

6. 发明专利

JP2016025177A スイッチング素子审中-公开
标题翻译：开关元件
公开(公告)号：JP2016025177A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014147459
申请日：2014-07-18
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：添野明高 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】底部絶縁層の下端部に接するp型領域を有するスイッチング素子の高い耐圧特性を実現する【解決手段】トレンチ18内の底部に配置されている底部絶縁層20と、底部絶縁層20よりも表面側に配置されたゲート電極24を有するスイッチング素子。半導体基板12が、ゲート絶縁膜22に接する第1n型領域30と、ゲート絶縁膜22に接する第1p型領域32と、底部絶縁層20の端部に接している第2p型領域34と、第2p型領域34を第1p型領域32から分離している第2n型領域36を有する。第1p型領域32の裏面側端部から第2p型領域34の表面側端部までの距離Aと、底部絶縁層20の裏面側端部から第2p型領域34の裏面側端部までの距離Bとが、A 【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：实现具有与底部绝缘层的下端部分接触的p型区域的开关元件的耐高压特性。解决方案：开关元件具有底部绝缘层20 设置在沟槽18的底部，以及设置成比底部绝缘层20更靠近表面的栅极24.半导体板12具有与栅极绝缘膜接触的第一n型区域30 如图22所示，与栅极绝缘膜22接触的第一p型区域32，与底部绝缘层20的端部接触的第二p型区域34和第二n型区域36，第二p型区域34 第二p型区域34与第一p型区域32分离。从第一p型区域32的背面侧端部到第二p型区域34的表面侧端部的距离A 距离b的距离B 第二p型区域34的背面侧端部的底面绝缘层20的表面侧端部满足关系A <4B。图1

7. 发明专利

JP6863012B2 温度検出装置有权
公开(公告)号：JP6863012B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2017071838
申请日：2017-03-31
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：宮原真一朗 , 杉本雅裕 , 渡辺行彦
IPC分类号： G01K7/01

8. 发明专利

JP6511034B2 炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6511034B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2016224063
申请日：2016-11-17
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 山下侑佑 , 渡辺行彦 , 杉本雅裕 , 三角忠司 , 水野祥司 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/3065 , H01L21/336

9. 发明专利

JP6246617B2 表面電極を備えている半導体チップ有权
公开(公告)号：JP6246617B2
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2014036180
申请日：2014-02-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：庄司智幸 , 副島成雅 , 渡辺行彦 , 青井佐智子 , 朽木克博 , 西田秀一 , 戸口博昭 , 添野明高 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/78

10. 发明专利

JP2016213421A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016213421A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015098565
申请日：2015-05-13
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 前川容佑 , 杉本雅裕 , 三村智博 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチゲートを備える半導体装置において、電界集中によるトレンチゲートの絶縁破壊に対策する技術を提供する。【解決手段】半導体装置1のトレンチゲート20は、中心領域に設けられているメイン部20A及び終端領域に設けられているとともにメイン部20Aに連結する連結部20Bを有する。トレンチゲート20の連結部20Bがゲートパッドである。【選択図】図4
摘要翻译：本发明公开了具有沟槽栅极的半导体器件，以提供用于通过电场集中在沟槽栅的措施击穿的技术。半导体器件1的沟槽栅极20包括连接到与主部20A被设置和终止区在中心区域设置在主部20A的连接部20B。连接沟槽栅20的部分20B是一个栅极焊盘。点域4

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