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1. 发明专利

JP2021077674A トレンチゲート型スイッチング素子とトレンチゲート型スイッチング素子製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021077674A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019200767
申请日：2019-11-05
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：松浦佑一郎 , 畑謙佑 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチゲート型スイッチング素子において、半導体基板の温度分布を均一化する技術を提供する。【解決手段】トレンチゲート型スイッチング素子は、中央部と、中央部の周囲に配置された外周部を有する半導体基板と、半導体基板の上面に設けられており、中央部と外周部に跨って分布するトレンチと、トレンチの内面を覆っているゲート絶縁膜と、トレンチ内に配置されており、ゲート絶縁膜によって半導体基板から絶縁されているゲート電極を備えている。中央部と外周部のそれぞれが、ソース領域と、ボディ領域と、ドリフト領域を有している。中央部内と外周部内のそれぞれで、ゲート電極が、ソース領域の下端よりも上側の位置からドリフト領域の上端よりも下側の位置まで伸びている。中央部におけるゲート電極の上端が、外周部におけるゲート電極の上端よりも下側に位置している。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2020120047A トレンチゲート型のスイッチング素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020120047A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019011598
申请日：2019-01-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：松浦佑一郎 , 朽木克博 , 箕谷周平
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：【課題】トレンチのコーナー部にボイドが形成されることを抑制しながらゲート電極を形成する。【解決手段】スイッチング素子の製造方法であって、半導体基板の表面に露出するn型領域を形成するn型領域形成工程と、トレンチ形成工程と、トレンチの内面を酸化することによって犠牲酸化膜を形成する犠牲酸化膜形成工程と、犠牲酸化膜除去工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、トレンチ内にゲート電極を充填するゲート電極形成工程を有する。半導体基板の表面においてトレンチの長手方向の端部がn型領域内に位置し、半導体基板の厚み方向においてトレンチがn型領域を貫通するようにする。犠牲酸化膜形成工程では、トレンチの内面のうちのn型領域の露出範囲でそれよりも下側の範囲よりも厚く犠牲酸化膜が形成される。犠牲酸化膜除去工程では、n型領域の露出範囲でそれよりも下側の範囲よりもトレンチの幅が広くなる。【選択図】図8

3. 发明专利

JP5906767B2 半導体装置とその製造方法有权
公开(公告)号：JP5906767B2
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：JP2012018084
申请日：2012-01-31
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：松浦佑一郎
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/76 , H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/336

4. 发明专利

JP2016146433A ダイオードの製造方法有权
标题翻译：二极管制造方法
公开(公告)号：JP2016146433A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015023321
申请日：2015-02-09
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：大西徹 , 松浦佑一郎
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/329
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/0716 , H01L27/0727 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L21/26513 , H01L21/266
摘要：【課題】ピラー領域を有するダイオードにおいて、ホール注入抑制効果と素子サイズとを両立することが可能な技術を提供する。【解決手段】第1範囲の半導体基板の上面12aに対して、第1深さD1にn型不純物を注入する第1注入工程と、第1範囲を一部に含む第2範囲の上面に対して、第1深さよりも浅い第2深さD2にn型不純物を注入する第2注入工程と、第2範囲の両側に位置する第3範囲の上面に対して、第1深さよりも浅い第3深さD2に、第2注入工程で注入したn型不純物よりも高濃度にp型不純物を注入する第3注入工程と、半導体基板を熱処理することによって、第3注入工程でp型不純物を注入した領域に第1p型領域を形成し、第1注入工程と第2注入工程でn型不純物を注入した領域の一部に第1n型領域35aを形成する第1熱処理工程とを有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供能够平衡具有柱状区域的二极管中的空穴注入抑制效果和元件尺寸的技术。解决方案：二极管制造方法包括：将n型杂质注入顶部的第一注入工艺在第一深度D1的第一范围内的半导体衬底的表面12a; 在第二深度D2比第一深度浅的部分包括第一范围的第二范围内向顶面注入n型杂质的第二注入处理; 在第二范围的两侧的第三范围的顶面上注入p型杂质的第三注入处理，该第三范围在比第一深度浅的第三深度D2处，并且浓度高于注入到第一深度的n型杂质的浓度第二次注射过程; 以及对所述半导体基板进行热处理的第一热处理工序，以在所述第三注入工序中注入所述p型杂质的区域中形成第一p型区域，并形成第一n型区域在第一次注射过程和第二次注射过程中注入n型杂质的区域的一部分。选择图：图5

5. 发明专利

JP2016063119A ダイオード审中-公开
标题翻译：二极管
公开(公告)号：JP2016063119A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014191011
申请日：2014-09-19
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：松浦佑一郎 , 西脇剛
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/861
摘要：【課題】バリア領域を有するダイオードにおいて、順バイアス時の正孔注入量を抑制する技術を提供する。【解決手段】ダイオード1は、n型のバリア領域13、バリア領域13上に設けられているp型のアノード領域14、アノード領域14上に設けられているアノード電極24、バリア領域13とアノード電極24の間を伸びるトレンチ32内に充填されているとともにアノード電極24に接する導電体部34、及び、バリア領域13と導電体部34の間に設けられており、バリア領域13及び導電体部34の双方に接するとともにアノード領域14よりも高濃度なp型半導体領域16を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制包括阻挡区域的二极管中的正向偏压下的空穴注入量的技术。解决方案：二极管1包括：n型阻挡区域13; 设置在阻挡区域13上的p型阳极区域14; 设置在阳极区域14上的阳极电极24; 导体部分34，其填充在阻挡区域13和阳极电极24之间延伸并与阳极电极24接触的沟槽32中; 以及设置在阻挡区域13和导体部分34之间的与阻挡区域13和导体部分34接触并且具有比阳极区域14更高的杂质浓度的p型半导体区域16.图示：

6. 发明专利

JP2015153782A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015153782A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014023861
申请日：2014-02-10
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：松浦佑一郎
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/268 , H01L21/02
摘要：【課題】サポート基板を半導体ウエハから適切に剥離するための技術を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、第1表面22と第1表面22に対して傾斜する第2表面24を有するサポート基板20の第2表面24をコーティング剤30でコーティングする工程と、コーティングする工程の後に、接着剤50によって第1表面22に半導体ウエハ10を固定する工程と、サポート基板20側から第1表面22着している接着剤50に向かって、サポート基板20に対して透過性を有する波長のレーザビーム70を照射することによって、サポート基板20を半導体ウエハ10から剥離する工程、を有する。接着剤50は、第1表面22に対する接着性よりも、コーティング剤30に対する接着性が低い。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于从半导体晶片适当地分离支撑衬底的技术。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：涂覆具有第一表面22和第二表面24的支撑衬底20，在第二表面24上具有涂层剂30的第一表面22; 在涂布步骤之后通过粘合剂50将半导体晶片10固定到第一表面22; 并且通过从支撑基板20侧向附着于基板20侧的粘合剂50发射具有对支撑基板20的磁导率的波长的激光束70，从而将支撑基板20从半导体晶片10分离。粘合剂50具有与涂层剂30比对第一表面22的粘附性低。

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