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1. 发明专利

JP2018513517A サブアレイを有するマルチビットスピントルクトランスファ磁気抵抗ランダムアクセスメモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2018513517A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017546972
申请日：2016-02-01
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ユ・ル , シア・リ
IPC分类号： G11C11/56 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/5607
摘要：デバイスは、第1の読出しマージンを有する第1の磁気トンネル接合(MTJ)素子と、第2の読出しマージンを有する第2のMTJ素子とを含む。第1の読出しマージンは、第2の読出しマージンの2倍よりも大きい。デバイスは、第1のMTJ素子と第2のMTJ素子との間に結合されたアクセストランジスタも含む。アクセストランジスタのゲートは、ワードラインに結合される。第1のMTJ素子、第2のMTJ素子、およびアクセストランジスタは、マルチビットスピントルクトランスファ磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)メモリセルを形成する。

2. 发明专利

JP2017512381A ＭＲＡＭ製造のための自己整合上部接点审中-公开
公开(公告)号：JP2017512381A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016554246
申请日：2015-02-20
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ユ・ル , シア・リ , スン・ヒュク・カン , シーチュン・グ
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76832 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスのための、正確な自己整合上部金属接点を形成するためのシステムおよび方法は、ロジック要素を備える共通層間金属誘電体(IMD)層中の磁気トンネル接合(MTJ)を形成するステップを含む。低誘電率(K)エッチング停止層が、MTJの露出した上面の上方で選択的に保持される。低Kエッチング停止層を通したエッチングを防止する第1の化学物質に基づき、低Kエッチング停止層および共通IMD層の上方に形成される上部IMD層を通してエッチングが選択的に実施される。低Kエッチング停止層を通して正確にエッチングする第2の化学物質に化学物質を交換することによって、MTJの露出した上面への自己整合上部接点を形成するための開口が作成される。

3. 发明专利

JP2018524806A ビット線を共有するビットセル审中-公开
公开(公告)号：JP2018524806A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017564435
申请日：2016-05-23
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：シア・リ , シャオチュン・ジュウ , ユ・ル
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , G11C11/16 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/226 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：相補ビットセルが、第1のアクセストランジスタに結合されるフリー層を有し、ビット線に結合されるピンド層を有する第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを含む。相補ビットセルはまた、同じビット線に結合されるフリー層を有し、第2のアクセストランジスタに結合されるピンド層を有する第2のMTJデバイスを含む。

4. 发明专利

JP2017510995A マルチステップ磁気トンネル接合（ＭＴＪ）エッチングのための置換導電性ハードマスク审中-公开
公开(公告)号：JP2017510995A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016559576
申请日：2015-03-16
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ユ・ル , チャンド・パク , ウェイ−チュアン・チェン
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要：磁気トンネル接合(MTJ)装置を製作するためのマルチステップエッチング技法は、第1のエッチングステップの間に第1の電極をエッチングするためにMTJ装置の第1の電極に第1の導電性ハードマスクを形成するステップを含む。この方法は、第2のエッチングステップの間にMTJ装置の磁性層をエッチングするために第1の導電性ハードマスクに第2の導電性ハードマスクを形成するステップをさらに含む。スペーサ層が、第1の導電性ハードマスクの側壁に共形に堆積される。第2の導電性ハードマスクは、第1の導電性ハードマスク上に堆積され、第1の導電性ハードマスクの側壁のスペーサ層に位置合わせされる。

5. 发明专利

JP2018525825A メモリデバイスのためのメタライゼーションプロセス审中-公开
公开(公告)号：JP2018525825A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018506392
申请日：2016-07-11
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ユ・ル , スン・ヒョク・カン
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L27/222 , G06F17/5045 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：デバイスの製作の方法が、デバイスの論理デバイスに結合された第1のメタライゼーション層を形成することを含む。方法は、デバイスの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)モジュールに結合された第2のメタライゼーション層を形成することをさらに含む。第2のメタライゼーション層は第1のメタライゼーション層とは無関係である。

6. 发明专利

JP2016541123A 技術スケーリングのためのＭＲＡＭ統合技法审中-公开
标题翻译： MRAM集成技术的缩放技术
公开(公告)号：JP2016541123A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016539325
申请日：2014-12-12
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：シア・リ , ユ・ル , スン・ヒュク・カン
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：縮小デバイス技術と互換性を持つ磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)統合は、1つまたは複数の論理素子を有する共通の層間金属誘電体(IMD)層において形成された磁気トンネル接合(MTJ)を含む。MTJは、下部IMD層における下部金属線に接続され、上部ビアは上部IMD層に接続される。MTJは、実質的に、共通のIMD層と下部IMD層を分離するように構成された1つまたは複数の下部キャップ層と、共通のIMD層と上部IMD層を分離するように構成された1つまたは複数の上部キャップ層との間に延在する。MTJは、上部ビアに接続するための上部電極を含むことができ、または小型デバイス技術のためにハードマスクを介して上部ビアに直接接続することができる。論理素子は、ビア、金属線、および半導体素子を含む。
摘要翻译：与相容的减速装置技术集成磁阻随机存取存储器（MRAM）包括具有逻辑元件（IMD）形成在层的磁性隧道结（MTJ）的一个或多个共同的层间电介质金属。 MTJ连接到下金属线在下部IMD层，上通孔被连接到上部IMD层。 MTJ基本上是共同的IMD层和一个用于将所述下部IMD层或多个下帽层的，用于将所述公共IMD层分离分离和上部IMD层1 一个或多个上帽层之间延伸。 MTJ可以可以包括用于经由或通过硬掩模直接连接到上部经由小型设备技术连接到上部的顶部电极。逻辑元件包括通孔，金属线，以及半导体装置。

7. 发明专利

JP6740129B2 技術スケーリングのためのMRAM統合技法有权
公开(公告)号：JP6740129B2
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：JP2016539325
申请日：2014-12-12
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：シア・リ , ユ・ル , スン・ヒュク・カン
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239

8. 发明专利

JP2018526761A 共有ソース線を採用する逆相補型磁気トンネル接合(MTJ)ビットセルおよび関連する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018526761A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2018509876
申请日：2016-08-10
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：シア・リ , ユ・ル , シャオチュン・ジュウ
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/228
摘要：共有ソース線を採用する逆相補型MTJビットセルが開示される。一態様では、共有ソース線を採用する2T2MTJ逆相補型ビットセルが提供される。ビットセルは、第1のMTJおよび第2のMTJを含む。第1のMTJの値は、第2のMTJの値の補数である。第1のビット線は、第1のMTJの上部層に結合され、第1のアクセストランジスタの第1の電極は、第1のMTJの下部層に結合される。第2のビット線は、第2のMTJの下部層に結合され、第2のアクセストランジスタの第1の電極は、第2のMTJの上部層に結合される。ワード線は、第1のアクセストランジスタおよび第2のアクセストランジスタの第2の電極に結合される。共有ソース線は、第1のアクセストランジスタおよび第2のアクセストランジスタの第3の電極に結合される。共有ソース線を採用することにより、低減された寄生抵抗値を伴ってビットセルを設計することが可能になる。

9. 发明专利

JP2017517144A 磁気トンネル接合デバイスのためのエッチング耐性保護コーティング审中-公开
公开(公告)号：JP2017517144A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2016566209
申请日：2015-05-08
申请人：クアルコム,インコーポレイテッド
发明人：ユ・ル , チャンド・パク , ウェイ−チュアン・チェン
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを形成する方法は、スペーサをMTJデバイスの露出した側部に形成するステップを含む。方法は、MTJデバイスに関連したエッチング耐性保護コーティングを形成するステップをさらに含む。エッチング耐性保護コーティングは、スペーサよりも大きいエッチング耐性を提供する。

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