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1. 发明专利

JP2021174567A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021174567A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020079421
申请日：2020-04-28
申请人：キオクシア株式会社
发明人：柳平康輔 , 坪内洋 , 日岡健
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/04 , G11C16/26 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C11/56 , G11C16/34
摘要：【課題】読み出し動作における信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、メモリセルトランジスタMTのゲートに電気的に接続されたワード線WLと、メモリセルトランジスタMTの一端に電気的に接続されたビット線BLと、ビット線BLに電気的に接続された第1ゲートを有するトランジスタTsenと、トランジスタTsenの第1端に接続されたトランジスタTstbと、トランジスタTsenの第1ゲートに電圧を印加するカラム系ドライバ14bとを具備する。読み出し動作において、カラム系ドライバ14bは、ワード線WLに印加される読み出し電圧に応じて、トランジスタTsenの第1ゲートに印加する電圧を変更する。【選択図】図14

2. 发明专利

JP2020194611A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020194611A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019099649
申请日：2019-05-28
申请人：キオクシア株式会社
发明人：日岡健 , 加藤光司
IPC分类号： G11C16/04 , G11C5/06 , G11C16/08
摘要：【課題】読み出し性能を向上できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、直列接続された複数のメモリセルと、複数のメモリセルのゲートにそれぞれ接続された複数のワード線と、読み出し動作を制御する制御回路16とを含む。制御回路16は、第1時刻において、複数のワード線に、接地電圧より高い第1電圧を印加し、第2時刻において、第1ワード線に、第1電圧をより低くかつ接地電圧以外の第2電圧を印加し、第3時刻において、第1ワード線に、第2電圧より高くかつメモリセルのデータを判定するための読み出し電圧を印加する。【選択図】図8

3. 发明专利

JP2021093230A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021093230A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2019222788
申请日：2019-12-10
申请人：キオクシア株式会社
发明人：日岡健 , 安彦尚文 , 海野正樹
IPC分类号： G11C16/04 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/08
摘要：【課題】回路素子の数を低減可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置1は、第1メモリセルMTと、前記第1メモリセルとソース線SLとの間に配置される第1選択トランジスタST2と、前記第1メモリセルとビット線BLとの間に配置される第2選択トランジスタST1と、前記ソース線と前記ビット線との間に配置される第3選択トランジスタST2と、制御回路とを含み、前記制御回路は、消去動作時に、前記ソース線に第1電圧VERAを印加している間に、前記第3選択トランジスタのゲートに、前記第1電圧より低い第2電圧VGSを印加し、前記ソース線への前記第1電圧の印加と、前記第3選択トランジスタのゲートへの前記第2電圧の印加とにより、前記ビット線に第3電圧VBLが印加されている間に、前記第2選択トランジスタのゲートに、前記第3電圧より低い第4電圧VGDを印加する。【選択図】図7

4. 发明专利

JP2021034066A センスアンプ回路及び半導体メモリ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021034066A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019148665
申请日：2019-08-13
申请人：キオクシア株式会社
发明人：伊藤類 , 日岡健 , 児玉択洋
IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/56 , H03F3/70 , G11C7/06
摘要：【課題】メモリセルのオン又はオフを判定する回路の動作バラツキの影響を抑制する。【解決手段】実施形態のセンスアンプ回路は、センスノードに入力端子が接続された増幅素子と、増幅素子の帰還経路中に挿入され、センスノードを介してメモリセルのビットラインに接続されてメモリセルの読み出し時にメモリセルに電流を供給して電流の積算を行う第1容量素子と、を備える。【選択図】図5

5. 发明专利

JP2021131919A 半導体記憶装置及びその読み出し方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021131919A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2020027018
申请日：2020-02-20
申请人：キオクシア株式会社
发明人：柳平康輔 , 児玉択洋 , 日岡健
IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/56 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/34
摘要：【課題】読み出しエラーの発生を抑制すること。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、第1及び第2メモリセルと第1及び第2ワード線とビット線とセンスアンプとを含む。第1及び第2ワード線はそれぞれ第1及び第2メモリセルに接続される。ビット線は第1及び第2メモリセルに接続される。センスアンプはセンスノードを含む。第1読み出しの際にコントローラは、第2ワード線に第1読み出し電圧を印加し、読み出し結果を確定する。第2読み出しの際にコントローラは、第1ワード線に第2読み出し電圧を印加している間に、センスノードを第1時間T1放電し、第1読み出し結果を確定する。コントローラは、第2読み出し電圧を印加している間に、センスノードを第2時間T2放電し、第2読み出し結果を確定する。コントローラは、第2メモリセルの読み出し結果と第1及び第2読み出し結果とに基づいて読み出しデータを確定する。【選択図】図12

6. 发明专利

JP2021090143A 出力回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021090143A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019219580
申请日：2019-12-04
申请人：キオクシア株式会社
发明人：萩原洋介 , 山本健介 , 日岡健 , 井上諭
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/26 , H03K19/0175
摘要：【課題】出力回路のスタンバイ状態における消費電力を抑制する。【解決手段】実施形態に係る出力回路は、第1乃至第3電源線と、パッド50と、第1乃至第2トランジスタと、第1回路と、を備える。第1トランジスタTR7は、第1端が第1電源線に接続され、第2端がパッドに接続される。第2トランジスタTR8は、第1端が第2電源線に接続され、第2端がパッド50に接続される。第1回路は、第3電源線と第1トランジスタのゲートとの間に接続される。第1電源線には、第1電圧VCCQが印加される。第2電源線には、第1電圧よりも低い第2電圧VSSが印加される。第3電源線には、第1電圧及び第2電圧のいずれとも異なる第3電圧VDD1が印加される。第1の場合に、第1回路は第1トランジスタのゲートに第3電圧を印加する。第2の場合に、第1回路は第3電源線と第1トランジスタのゲートとを電気的に非接続とする。【選択図】図6

7. 发明专利

JP6652457B2 昇圧回路有权
公开(公告)号：JP6652457B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2016128774
申请日：2016-06-29
申请人：キオクシア株式会社
发明人：日岡健
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H02M3/07

8. 发明专利

JP2020004466A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020004466A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018121151
申请日：2018-06-26
申请人：キオクシア株式会社
发明人：日岡健 , 小林司 , 加藤光司 , 清水佑樹 , 前嶋洋
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/08
摘要：【課題】高速に動作することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、読み出し動作において、第1ロウデコーダは、第1ワード線に、読み出し電圧を印加する前に、読み出し電圧と異なる第1キック電圧を印加し、第1ドライバは、第1センスアンプの第1ノードに、第1電圧を供給し、第2ドライバは、第2センスアンプの第2ノードに、第2電圧を供給し、第1センスアンプは、第1ノードが第1電圧に充電された後、第1ビット線に接続され、第2センスアンプは、第2ノードが第2電圧に充電された後、第2ビット線に接続され、第1センスアンプは、第1ビット線に接続された後、第1ノードの電位の変動を判定することにより、第1メモリセルに記憶されたデータを判定し、第2センスアンプは、第2ビット線に接続された後、第2ノードの電位の変動を判定する、半導体記憶装置。【選択図】図9

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