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1. 发明专利

JP6546432B2 縦方向構造を有するLEDの製作方法有权
公开(公告)号：JP6546432B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2015076060
申请日：2015-04-02
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L33/44

2. 发明专利

JP2015181164A 縦方向構造を有するLEDの製作方法审中-公开
标题翻译：在垂直方向制造LED结构的方法
公开(公告)号：JP2015181164A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015076060
申请日：2015-04-02
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/12 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , Y10S438/958 , Y10S438/977
摘要：【課題】製造時のウェーハ層の機械的な安定性を可能にし、縦形態の電気コンタクトの形成を可能にした、縦型LED構造を提供する。【解決手段】縦型GaNLED199は、金属支持層156と、金属支持層上のp−コンタクト150、p−GaNコンタクト層128、InGaN/GaN能動層126、n−GaN緩衝層124、及び、n型オームコンタクト層160からなり、不活性層162がn型オームコンタクト層と半導体構造の側面、及びp−コンタクトの側面を覆う。【選択図】図15
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在制造过程中使晶片层具有机械稳定性的垂直型LED结构，并且能够形成具有垂直形状的电接触。解决方案：垂直型GaNLED199由金属支撑层156，金属支撑层上的接触150，p-GaN接触层128，InGaN / GaN有源层126，n-GaN缓冲层124和n型欧姆接触层160.非活性层162覆盖n- 类型欧姆接触层，半导体结构的侧表面和p接触的侧表面。

3. 发明专利

JP6268259B2 発光デバイス有权
公开(公告)号：JP6268259B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2016208006
申请日：2016-10-24
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , Y10S438/958 , Y10S438/977

4. 发明专利

JP2017038076A 発光デバイス有权
标题翻译：一种发光器件
公开(公告)号：JP2017038076A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016208006
申请日：2016-10-24
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , Y10S438/958 , Y10S438/977
摘要：【課題】GaNをベースにした縦形態のデバイスを提供する。【解決手段】発光デバイスは、下から順に、金属支持層156と、p型コンタクト層150と、p型半導体層、能動層126及びn型半導体層を含む半導体構造と、n型コンタクト層160と、金属パッド層とを含み、半導体構造の側面を覆い且つn型コンタクト層の上面を覆わない不活性層162を含む。金属支持層はNiを含み、p型コンタクト層はPtを含み、半導体構造はGaNを含み、n型コンタクト層はTi及びAlを含み、金属パッド層はAuを含み、不活性層はSiO2を含む。半導体構造の厚さは5μm未満であり、p型半導体層はn型半導体層よりも厚く、半導体構造においてp型半導体層が占める厚さの割合は60%より高い。半導体構造の幅はp型、n型コンタクト層の幅よりも広く、p型コンタクト層の幅はn型コンタクト層の幅よりも広い。半導体構造の上面と下面は表面粗さが異なる。【選択図】図15
摘要翻译：为了提供垂直形式，其中GaN基的装置。一种发光器件，包括：在从底部，包括有源层126和n型半导体层，n型接触层的金属支撑层156，p型接触层0.99，p型半导体层，和一半导体结构顺序160 和金属衬垫层包括钝化层162不覆盖在盖和半导体结构的n型接触层的顶侧。金属支承层含有Ni，p型接触层包含Pt，半导体结构包括的GaN的n型接触层包括Ti和Al，金属衬垫层包含Au，惰性层包括SiO 2 。半导体结构的厚度小于5微米，p型半导体层比所述n型半导体层更厚，由p型半导体层中的半导体结构所占据的厚度的比率是高于60％。半导体结构的宽度为p型，比n型接触层的宽度宽，在p型接触层的宽度比所述n型接触层的宽度宽。上部和半导体结构的表面粗糙度的下表面是不同的。 .The 15

5. 发明专利

JP6547047B2 発光デバイス有权
公开(公告)号：JP6547047B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2018168460
申请日：2018-09-10
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/32

6. 发明专利

JP2018195855A 発光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018195855A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2018168460
申请日：2018-09-10
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュンチョル
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/12 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/62 , Y10S438/958 , Y10S438/977
摘要：【課題】製造時のウェーハ層の機械的な安定性を可能にし、縦形態の電気コンタクトの形成を可能にした、縦型LED構造を提供する。【解決手段】発光デバイスは、支持層と、支持層上のp型コンタクト層と、p型コンタクト層上のp型半導体層、p型半導体層上の活性層及び活性層上のn型半導体層を含む半導体構造と、半導体構造上のn型コンタクト層と、n型コンタクト層上の金属パッド層と、半導体構造の側面を覆う絶縁層とを含む。絶縁層は半導体構造上に延在する延在部を含む。絶縁層はn型コンタクト層上に延在する。金属パッド層はAuを含む。n型コンタクト層はp型コンタクト層と重なる。絶縁層はSiO 2 及び/又はSi 3 N 4 を含む。絶縁層と同じ材料を有する絶縁部は半導体構造及び支持層の間に配置される。絶縁部は延在部と重なる。半導体構造は5μmよりも薄い。n型半導体層はp型半導体層よりも厚い。支持層は半導体構造よりも厚い。【選択図】図14

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