基本信息:
- 专利标题： 縦方向構造を有するLEDの製作方法
- 申请号：JP2015076060 申请日：2015-04-02
- 公开(公告)号：JP6546432B2 公开(公告)日：2019-07-17
- 发明人： リー, ジョン−ラム , ジョン, イン−クォン , ヨー, ミュン チョル
- 申请人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
- 申请人地址： 大韓民国 100−714,ソウル,ジュン−グ,ハンガン−テーロ,416,ソウル スクエア
- 专利权人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
- 当前专利权人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
- 当前专利权人地址： 大韓民国 100−714,ソウル,ジュン−グ,ハンガン−テーロ,416,ソウル スクエア
- 代理人： 小野 誠; 金山 賢教; 重森 一輝; 市川 英彦; 岩瀬 吉和; 今藤 敏和
- 优先权： US10/118,316 2002-04-09
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L33/44
公开/授权文献:
- JP2015181164A 縦方向構造を有するLEDの製作方法 公开/授权日：2015-10-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |