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    • 5. 发明专利
    • 金属層間のはんだ接合の形成方法
    • 在金属层之间形成焊接点的方法
    • JP2016051743A
    • 2016-04-11
    • JP2014174773
    • 2014-08-29
    • インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
    • 青木 豊広堀部 晃啓森 裕幸折井 靖光鳥山 和重ティン リ ヤン
    • H01L21/60
    • B23K1/0016B23K1/19H05K3/3494B23K2203/56H05K3/3436H05K3/3463
    • 【課題】短時間で一定の厚みを確保しながら金属層(電極)間のはんだ接合部全体をIMC化することができるはんだ接合方法を提供する。 【解決手段】本発明の金属層間のはんだ接合の形成方法は、(a)2つの金属層12、16の間にはんだ材料18が載置された構造を準備するステップと、(b)構造を加熱して2つの金属層の間に金属間化合物を成長させるステップとを含む。金属間化合物を成長させるステップ(b)は、(b1)2つの金属層のはんだ材料に接する一方の面を金属間化合物が成長可能な第1温度T1にし、2つの金属層の前記はんだ材料に接する他方の面を第1温度より高い第2温度T2にすることを含み、(b2)2つの金属層の間の温度勾配(温度/単位厚さ)を所定値以上に維持しながら金属間化合物が2つの金属層12、16の間を略完全に埋めるまで実行される。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供能够在短时间内确保恒定厚度的同时在金属层(电极)之间的焊接接头的完整IMC的焊接接合方法。解决方案:在金属层之间形成焊点的方法包括: 步骤(a)用于制备在两个金属层12,16之间安装焊料18的结构; 以及用于通过加热该结构在两个金属层之间生长金属间化合物的步骤(b)。 用于生长金属间化合物的步骤(b)包括:(b1)使与金属层的焊料材料接触的两个金属层的一个表面与允许金属间化合物生长的第一温度T1,以及 将与两个金属层的焊料材料接触的两个金属层的另一个表面带到比第一温度T1高的第二温度T2; 并且(b2)被执行直到两个金属层12,16之间的间隙基本上与金属间化合物完全填充,同时保持两个金属层之间的温度梯度(温度/单位厚度)高于预定值。图示:图 2
    • 7. 发明专利
    • 回路基板の形成方法
    • 形成电路板的方法
    • JP2016042543A
    • 2016-03-31
    • JP2014166328
    • 2014-08-19
    • インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
    • 乃万 裕一岡本 圭司森 裕幸
    • H01L23/12H01L23/32H05K3/10H05K3/46
    • G03F7/0035G03F7/38H05K3/428H05K2201/09509H05K2201/09563H05K2201/09845H05K2203/0577H05K2203/0588H05K2203/1453H05K3/4679
    • 【課題】有機基板を用いた場合でも広く利用可能な回路基板(配線基板、インターポーザ等を含む)の作成方法を提供する。 【解決手段】本発明の方法は、その方法は、(a)基板10上に導体パターン12を形成するステップと、(b)導体パターンの形成後の基板上に第1ネガレジスト14を形成するステップと、(c)導体パターンの表面上の第1ネガレジストを部分的に露光して第1ビア露光部22を形成するステップと、(d)第1ビア露光部の形成後の基板上に第2ネガレジスト24を形成するステップと、(e)第1ビア露光部上の第2ネガレジストを部分的に露光して第1ビア露光部よりも大きな第2ビア露光部30を形成するステップと、(f)第2ビア露光部の形成後の第1ネガレジスト及び第2ネガレジストを現像して導体パターンに至るビア開口32を形成するステップと、(g)ビア開口に導体38を充填するステップと、を含む。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供即使在使用有机基板的情况下也可以广泛使用的电路板(包括布线板和插入件)的制备方法。解决方案:根据本发明的方法包括步骤 (a)在基板10上形成导体图案12; (b)在形成导体图案之后在基板上形成第一负光刻胶14; (c)部分地暴露导体图案表面上的第一负抗蚀剂以形成第一通孔曝光部分22; (d)在形成第一通孔曝光部之后在基板上形成第二负光刻胶24; (e)在第一通孔曝光部分部分曝光第二负光刻胶以形成大于第一通孔曝光部分的第二通道曝光部分30; (f)显影第一和第二负光刻胶以形成在形成第二通孔曝光部分之后延伸到导体图案的通孔开口32; 和(g)在通孔开口中填充导体38.选择的图示:图2