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    • 5. 发明专利
    • 研磨用組成物
    • 抛光组合物
    • JP2015018996A
    • 2015-01-29
    • JP2013146384
    • 2013-07-12
    • 株式会社フジミインコーポレーテッドFujimi Inc
    • ISHIDA YASUTO
    • H01L21/304B24B37/00C09G1/02C09K3/14
    • 【課題】銅又は銅合金を含む材料の研磨に安定して使用でき、ディッシングを抑制しつつ研磨後のウェーハの均一性を向上させうる研磨用組成物を提供することを目的とする。【解決手段】砥粒、保護膜形成剤、界面活性剤、及び金属溶解調整剤を含み、前記保護膜形成剤は水500mlに対して1mM添加し、さらに31重量%の過酸化水素水を38.9g/Lを添加し、25℃で5分間浸漬したときに銅の溶解速度が5Å/min未満となる化合物であり、前記金属溶解調整剤は水500mlに対して1mM添加し、さらに31重量%の過酸化水素水を38.9g/L添加し、25℃で5分間浸漬したときに銅の溶解速度が5Å/min以上となる化合物であることを特徴とする研磨用組成物。【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种抛光组合物,其可以稳定地用于抛光含铜或铜合金的材料,并且在抑制抛光的同时提高抛光晶片的均匀度。抛光组合物包含磨粒,保护膜 成膜剂,表面活性剂和金属溶解控制剂。 保护膜形成剂是当在含有500ml水和1mM保护膜形成剂的溶液中将铜在25℃下浸渍5分钟时,铜的溶出速率小于5埃/分钟的化合物,以及 进一步含有38.9g / L的31重量%过氧化氢溶液。 金属溶解控制剂是这样的化合物,当铜在含有500ml水和1mM金属溶解控制剂的溶液中在25℃下浸渍5分钟时,铜的溶出速率为5埃/分钟以上, 进一步含有38.9g / L的31重量%过氧化氢溶液。
    • 7. 发明专利
    • Polishing method
    • 抛光方法
    • JP2014138086A
    • 2014-07-28
    • JP2013006079
    • 2013-01-17
    • Fujimi Inc株式会社フジミインコーポレーテッド
    • ISHIDA YASUTO
    • H01L21/304B24B37/00B24B37/04
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which an organic compound derived from a polishing composition left on a surface of an object to be polished is reduced.SOLUTION: There is provided a polishing method including: a polishing step (1) of polishing an object to be polished using a polishing composition containing abrasives and an organic compound component that contains at least one of a surfactant and a corrosion inhibitor; and a polishing step (2) of, after the polishing step (1), polishing the object to be polished while supplying water in place of the polishing component. In the polishing method, defects derived from the organic compound component left on the polished surface of the object to be polished are reduced.
    • 要解决的问题:提供一种衍生自残留在待抛光对象表面上的抛光组合物的有机化合物的方法。提供一种抛光方法,包括:抛光步骤(1),抛光步骤 使用包含研磨剂的研磨组合物和含有表面活性剂和防腐蚀剂中的至少一种的有机化合物成分进行抛光的物体; 以及在抛光步骤(1)之后的抛光步骤(2),在供给水代替抛光部件的同时抛光抛光对象物。 在抛光方法中,残留在待抛光对象的抛光表面上的有机化合物成分的缺陷减少。
    • 9. 发明专利
    • Polishing composition
    • 抛光组合物
    • JP2014069260A
    • 2014-04-21
    • JP2012215994
    • 2012-09-28
    • Fujimi Inc株式会社フジミインコーポレーテッド
    • SUZUKI SHOTAIZAWA YOSHIHIROSHINODA TOSHIO
    • B24B37/00C09K3/14G11B5/84H01L21/304
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing composition that is used for the purpose of polishing substrates, the polishing composition being capable of realizing both improvement of storage stability in an alkaline pH and improvement of polishing speed when polishing the substrates.SOLUTION: A polishing composition is provided for the purpose of being used for polishing substrates, the polishing composition comprising: abrasive grains; an alkaline compound; and water. The abrasive grains carry an anionic functional group, and the pH of the polishing composition is 7.0 or more. The abrasive grains preferably have a surface zeta potential of -20 mV or less, and the content of the alkaline compound is preferably between 0.01 to 5.0 wt.%.
    • 要解决的问题:为了提供用于研磨基材的抛光组合物,抛光组合物能够实现碱性pH下的储存稳定性的提高和抛光基材时的抛光速度的提高。抛光 提供了用于抛光基材的组合物,抛光组合物包括:磨料颗粒; 碱性化合物; 和水。 磨粒携带阴离子官能团,抛光组合物的pH为7.0以上。 磨粒优选具有-20mV以下的表面ζ电位,碱性化合物的含量优选为0.01〜5.0重量%。