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1. 发明专利

JP2020528669A 磁場を生成する装置及び当該装置の使用方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020528669A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2020502997
申请日：2018-06-25
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：アルヴァレス−エロール・ジェレミィ , ロンバール・ルシアン , ステネル・カンタン , チルドレス・ジェフリー
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08
摘要：【解決手段】本開示は、平面に配置された複数の永久磁石(51、52)を備える磁場(60)を生成する装置(5)に関し、各磁石(51、52)は、隣の磁石から平面に沿って空間的に分離される。所定の間隔(D)だけ、各磁石(51、52)は、隣の磁石(51、52)の磁場(60)が平面に対して実質的に垂直に配向されるように、隣の磁石の1つと反対の極性を有する。そして、反対方向において、各磁石(51、52)は、非磁性材料によって隣の磁石から平面内で空間的に分離されている。本開示はまた、当該装置を使用して磁気機器又はセンサ機器をプログラミングする方法に関する。

2. 发明专利

JP2020516078A 一次元及び二次元磁場を測定するための磁気センサセル及びその磁気センサセルを使用して磁場を測定する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020516078A
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：JP2019554380
申请日：2018-03-28
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：チルドレス・ジェフリー , フォワサック・ロマン , マッキー・ケネス
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
摘要：【解決手段】本開示は、基準層の面に実質的に平行に配向された基準磁化を有する基準層を備える磁気トンネル接合と、センス層と、センス磁化、及びセンス層と基準層の間にトンネル障壁層とを備える磁気センサセルに関する。センス層は、センス磁化方向がセンス層の平面に垂直な初期方向とセンス層の面に平行な方向との間で配向可能であるように、センス層の平面に実質的に垂直な固有異方性を有し、異方性磁場が150Oeを超える固有の異方性を有する。

3. 发明专利

JP6556227B2 自己参照型MRAMセル及び当該自己参照型MRAMセルを有する磁場センサ有权
公开(公告)号：JP6556227B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2017517334
申请日：2015-09-24
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：ステネル・カンタン
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , G11C11/16 , G01R33/09

4. 发明专利

JP2018501645A 外部磁場を感知するためのＭＬＵセル、及びＭＬＵセルから成る磁気センサ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018501645A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017526931
申请日：2015-11-18
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：バンディエラ・セバスチャン
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09
CPC分类号： G01R33/0017 , G01R33/098
摘要：本開示は、外部磁場を感知するための、1つの磁気トンネル接合2から成るMLUセル1であって、この磁気トンネル接合2は、外部磁場によって配向されるように適合されたセンス磁化方向210を呈する1つのセンス層21と、基準磁化方向230を呈する1つの基準層23と、1つのトンネル障壁層22とを有する。1つのバイアス層27が、バイアス磁化方向270を呈し、1つのバイアス反強磁性層26が、このバイアス磁化方向270を、低閾値温度TLで、当該ピン止めされた基準磁化方向230に対してほぼ平行にピン止めし、このバイアス磁化方向270を高閾値温度THで解放する。1つのバイアス結合層28が、センス層29とバイアス層27との間に設けられていて、このバイアス結合層28は、センス磁化方向210が、ピン止めされたバイアス磁化方向270と、ピン止めされた基準磁化方向230とに対してほぼ直角に配向されるように、バイアス層27とセンス層21とを磁気結合させるために構成されている。さらに、本開示は、外部磁場を感知するための、複数のMLUセルを有する磁気センサ装置100に関する。(図1)

5. 发明专利

JP5903278B2 分極層を備える磁気トンネル接合有权
标题翻译：磁隧道结，其包括偏振层
公开(公告)号：JP5903278B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2012003704
申请日：2012-01-12
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：ヨアン・リュスィアン・プルジブアニュ , リシャール・スサ
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F10/3254 , H01L43/08

6. 发明专利

JP5502692B2 Circuit for generating an adjustable timing signal for detecting a self-referential mram cell 有权
公开(公告)号：JP5502692B2
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：JP2010224559
申请日：2010-10-04
申请人：クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人：ムラド・エル・バラジ , ガイ・ユエン
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1673 , G11C7/067

7. 发明专利

JP2013062501A Magnetic tunnel junction with improved tunnel barrier 审中-公开
标题翻译：具有改进隧道式障碍物的磁性隧道结
公开(公告)号：JP2013062501A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：JP2012196121
申请日：2012-09-06
申请人： Crocus Technology Sa , クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人： DUCRUET CLARISSE , CELINE PORTEMONT , IOAN LUCIAN PREJBEANU
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L29/82 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01F41/307 , H01L21/02104 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fabricating a magnetic tunnel junction which is suitable for a magnetic random access memory (MRAM) cell and comprises a first ferromagnetic layer, a tunnel barrier layer, and a second ferromagnetic layer.SOLUTION: The method comprises: forming a first ferromagnetic layer; forming a tunnel barrier layer 22; and forming a second ferromagnetic layer. The formation of the tunnel barrier layer 22 comprises: depositing a layer of metallic Mg; and oxidizing the deposited layer of metallic Mg to transform the metallic Mg layer into a MgO layer 22a. The step of forming the tunnel barrier layer is performed at least twice such that the tunnel barrier layer comprises at least two layers 22a of MgO.
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造适用于磁性随机存取存储器（MRAM）单元并且包括第一铁磁层，隧道势垒层和第二铁磁层的磁性隧道结的方法。解决方案：该方法包括：形成第一铁磁层; 形成隧道势垒层22; 并形成第二铁磁层。隧道势垒层22的形成包括：沉积一层金属Mg; 并且氧化金属Mg的沉积层以将金属Mg层转变成MgO层22a。形成隧道势垒层的步骤至少执行两次，使得隧道势垒层包含至少两层MgO的层22a。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2012248835A Multi-bit cell having synthetic memory layer 有权
标题翻译：具有合成记忆层的多位单元
公开(公告)号：JP2012248835A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2012116154
申请日：2012-05-22
申请人： Crocus Technology Sa , クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人： LUCIAN RONBER , IOAN LUCIAN PREJBEANU
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/5607 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for writing and reading data bits larger than 2-data bits to and from an MRAM cell, in which the MRAM cell is constituted by a magnetic tunnel junction formed of a reading layer exhibiting a reading magnetization direction, and a storage layer including a first storage ferromagnetic layer exhibiting a first storage magnetization direction and a second storage ferromagnetic layer exhibiting a second storage magnetization direction.SOLUTION: This method comprises: a step of heating a magnetic tunnel junction at a temperature higher than a high-temperature threshold; and a step of orienting a first storage magnetization direction to a second magnetization direction at a certain angle. As a result, the magnetic tunnel junction reaches one resistance state level determined by the first storage magnetization direction relative to a reading magnetization direction. In this method, by using only one current line for generating a writing region, at least four different state levels can be stored in an MRAM cell.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于向MRAM单元写入和读取大于2-数据位的数据位的方法，其中MRAM单元由磁性隧道结构成，该磁性隧道结由表现出读取磁化方向，以及存储层，其包括呈现第一存储磁化方向的第一存储铁磁层和呈现第二存储磁化方向的第二存储铁磁层。解决方案：该方法包括：在高于高温阈值的温度下加热磁性隧道结的步骤; 以及以一定角度将第一存储磁化方向定向到第二磁化方向的步骤。结果，磁隧道结达到相对于读取磁化方向由第一存储磁化方向确定的一个电阻状态电平。在该方法中，通过仅使用一条电流线来产生写入区域，可以在MRAM单元中存储至少四个不同的状态电平。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2012151476A Low power magnetic random access memory cell 审中-公开
标题翻译：低功率磁力随机存取存储器单元
公开(公告)号：JP2012151476A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2012007603
申请日：2012-01-18
申请人： Crocus Technology Sa , クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人： IOAN LUCIAN PREJBEANU , DUCRUET CLARISSE , CELINE PORTEMONT
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8246 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low power magnetic random access memory cell.SOLUTION: The present invention relates to a magnetic random access memory (MRAM) cell suitable for executing a heat-assist writing operation or a writing operation based a spin torque transfer (STT). The MRAM is provided with a magnetic tunnel junction. The magnetic tunnel junction comprises an upper electrode, a tunnel barrier layer formed between a first ferromagnetic layer having a first magnetization direction and a second ferromagnetic layer having a second magnetization direction adjustable to the first magnetization direction, a front end layer, and a magnetic layer or a metal layer, on which the second ferromagnetic layer is accumulated. The second ferromagnetic layer is formed between the front end layer and the tunnel barrier layer, and has thickness of about 0.5 nm to about 2 nm. As a result, the magnetic tunnel junction has magnetic resistance larger by about 100%. The MRAM cell disclosed in the present invention has power consumption lower than that of a conventional MRAM cell.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低功率磁性随机存取存储单元。解决方案：本发明涉及一种适用于执行基于自旋转矩传递（STT）的热辅助写入操作或写入操作的磁随机存取存储器（MRAM）单元。 MRAM设有磁性隧道结。磁性隧道结包括上电极，形成在具有第一磁化方向的第一铁磁层之间的隧道势垒层和具有可向第一磁化方向调节的第二磁化方向的第二铁磁层，前端层和磁性层或金属层，第二铁磁层被积聚在其上。第二铁磁层形成在前端层和隧道势垒层之间，并且具有约0.5nm至约2nm的厚度。结果，磁性隧道结具有大约100％的磁阻。本发明公开的MRAM单元的功耗低于常规MRAM单元的功耗。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2009302515A System and method for writing data to magnetoresistive random access memory cell 有权
标题翻译：将数据写入磁性随机访问存储器单元的系统和方法
公开(公告)号：JP2009302515A
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：JP2009092194
申请日：2009-04-06
申请人： Crocus Technology Sa , クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
发明人： BERGER NEAL , JAVERLIAC VIRGILE
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.
SOLUTION: In the memory cell, the current line 8 has a first function for passing a first current component 31 for heating the junction and a second function for passing a second current component 41 for switching the magnetization of the first magnetic layer 21.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种基于热辅助切换写入程序的磁阻随机存取存储器（MRAM）单元，其包括具有至少第一磁性层，第二磁性层，设置绝缘层的磁性隧道结在所述第一和第二磁性层之间，还包括选择晶体管和电连接到所述结的电流线。解决方案：在存储单元中，电流线8具有第一功能，用于使用于加热结的第一电流分量31和用于使用于切换第一磁性层21的磁化的第二电流分量41的第二功能。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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