基本信息:
- 专利标题： トランジスタデバイスのゲート金属層を設ける方法および関連するトランジスタ
- 专利标题（英）：Method for providing gate metal layer of transistor device, and associated transistor
- 专利标题（中）：用于提供晶体管器件的栅极金属层的方法及相关晶体管
- 申请号：JP2014086568 申请日：2014-04-18
- 公开(公告)号：JP2014220496A 公开(公告)日：2014-11-20
- 发明人： TOGO MITSUHIRO
- 申请人： アイメックImec , Imec
- 专利权人： アイメックImec,Imec
- 当前专利权人： アイメックＩｍｅｃ,Imec
- 优先权： EP13166902 2013-05-07
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L27/088 ; H01L27/092 ; H01L29/41 ; H01L29/78 ; H01L29/786
摘要：
【課題】閾値電圧のより優れた制御を可能にする。【解決手段】ゲート誘電体層2とダミーゲート電極層とを備え且つスペーサ組311,321の内側側壁322により横方向に画定されるダミーゲート構造を基板上に設け、ダミーゲート構造を横方向に埋め込み、ダミーゲート電極層を除去し、スペーサ組の内側側壁間でダミーゲート電極層に置き換わる最終ゲート電極層を設ける。最終ゲート電極層を設ける工程では、連結拡散層(少なくともゲート誘電体層上、スペーサ組の内側側壁上、および少なくともダミー構造のための埋め込み層の前面の一部の上に延在しまたは存在する)を設け、拡散層4上に金属を含む金属層5を設け、金属の拡散層内への拡散を付勢するように且つゲート誘電体領域に対応する領域における拡散層部分に拡散層内の金属を拡散させるように調製されたアニールステップを施し、最終ゲート金属充填層を用いてスペーサ組の内側側壁間の領域を充填する。【選択図】図3
摘要（中）：
要解决的问题：更优选地控制阈值电压。解决方案：在衬底上，提供了一个虚拟栅极结构，其包括栅极电介质层2和虚拟栅极电极层，并且由侧壁322的内侧壁322沿横向限定 间隔耦合器311和321.伪栅极结构被嵌入在横向方向上，去除虚拟栅极电极层并且在隔离物的内侧壁之间耦合，提供最终栅极电极层，其被虚拟栅极电极层 。 在提供最终栅极电极层的步骤中，提供连接的扩散层（其延伸或存在至少在栅极介电层上，在间隔物的内侧壁上并且在嵌入层的正面的一部分上 用于虚拟结构），并且在扩散层4上设置含有金属的金属层5。 然后，施加退火步骤，其被制备为激励金属扩散到扩散层中并将扩散层内的金属扩散到对应于栅极电介质区域的区域中的扩散层部分，并且在使用最终 栅极金属填充层，填充间隔件对的内侧壁之间的区域。
公开/授权文献:
- JP6158132B2 トランジスタデバイスのゲート金属層を設ける方法および関連するトランジスタ 公开/授权日：2017-07-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |