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81. 发明专利

JP6042658B2 SiC半導体素子の製造方法有权
标题翻译：一种制造SiC半导体元件的方法
公开(公告)号：JP6042658B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2012179268
申请日：2012-08-13
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人京都大学
发明人：旦野克典 , 木本恒暢
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/322 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L21/0485

82. 发明专利

JP6020342B2 シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法有权
标题翻译：用于制造硅外延晶片和一个硅外延晶片方法
公开(公告)号：JP6020342B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2013100180
申请日：2013-05-10
申请人：信越半導体株式会社
发明人：櫻田昌弘
IPC分类号： H01L21/322 , H01L27/148 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/167 , C30B15/00 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B29/68 , C30B31/02 , H01L21/3225 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02573

83. 发明专利

JP2016181696A 半導体装置の作製方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016181696A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2016058188
申请日：2016-03-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/322 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G09F9/30 , G09F9/00 , G02F1/1368 , H01L21/425 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/425 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L27/10805 , H01L27/1156
摘要：【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを提供する。【解決手段】基板上の、酸化物半導体と、第1の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3の絶縁体と、を有し、酸化物半導体は第1の絶縁体上に配置され、第2の絶縁体は酸化物半導体上に配置され、第3の絶縁体は第2の絶縁体上に配置され、第1の導電体は第3の絶縁体上に配置される半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、第1の領域は、第1の導電体をマスクとして、酸化物半導体にイオン注入を行った後、第1の導電体をマスクとして、酸化物半導体に水素の添加を行うことによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有稳定电特性的晶体管。解决方案：半导体器件的制造方法中，半导体器件包括氧化物半导体，第一导体，第一绝缘体，第二绝缘体和第三绝缘体。氧化物半导体设置在第一绝缘体上。第二绝缘体设置在氧化物半导体上。第三绝缘体设置在第二绝缘体上。第一导体设置在第三绝缘体上。氧化物半导体包括第一区域和第二区域。第一区域通过使用第一导体作为掩模将离子注入到氧化物半导体中并且使用第一导体作为掩模将氢添加到氧化物半导体而形成。选择图：图1

84. 发明专利

JP2016171177A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：JP2016171177A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049346
申请日：2015-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：小向敏章
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/322
摘要：【課題】金属汚染による半導体素子の特性劣化を抑制することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、エピタキシャル層と、ゲッタリング層と、半導体素子とを備える。エピタキシャル層は、半導体基板上に設けられる。ゲッタリング層は、エピタキシャル層内に設けられ、タングステンおよびモリブデンのうち、少なくともいずれか一方を含む。半導体素子は、エピタキシャル層内でゲッタリング層よりも上層に設けられる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止由于金属污染导致的半导体元件的特性劣化的半导体器件和半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件包括：半导体衬底; 外延层; 吸气层; 和半导体元件。外延层形成在半导体衬底上。吸气层形成在外延层中，并且包含钨和钼中的至少一种。半导体元件形成在比外延层中的吸杂层更高的层中。选择图：图3

85. 发明专利

JP5995888B2 欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体有权
标题翻译：从单晶硅绝缘体上结构获得低缺陷密度的硅
公开(公告)号：JP5995888B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2014038170
申请日：2014-02-28
申请人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド , MEMC ELECTRONIC MATERIALS,INCORPORATED
发明人：ロバート・ジェイ・ファルスター
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/322 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L21/3226 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , Y10S257/913 , Y10T428/21

86. 发明专利

JP5984448B2 シリコンウェーハ有权
标题翻译：硅片
公开(公告)号：JP5984448B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2012069258
申请日：2012-03-26
申请人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
发明人：金田有理
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/322
CPC分类号： C30B29/68 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T428/24421

88. 发明专利

JP5976013B2 SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体有权
标题翻译：降低了SOI结构的器件层的金属含量的方法，以及一种由这样的方法制造的SOI结构
公开(公告)号：JP5976013B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2013551383
申请日：2012-01-27
申请人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド , MEMC ELECTRONIC MATERIALS,INCORPORATED
发明人：アレクシス・グラッベ , ローレンス・ピー・フラナリー
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/322
CPC分类号： H01L29/06 , H01L21/02043 , H01L21/3226 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L21/3221

89. 发明专利

JP5972550B2 チップ用樹脂膜形成用組成物、チップ用樹脂膜形成用シートおよび半導体装置の製造方法有权
标题翻译：所述树脂膜形成组合物芯片，所述树脂膜形成片的制造方法和半导体器件芯片
公开(公告)号：JP5972550B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2011215375
申请日：2011-09-29
申请人：リンテック株式会社
发明人：若山洋司 , 賤機弘憲
IPC分类号： C09D201/00 , C09D7/12 , H01L21/52 , H01L21/322
CPC分类号： H01L24/29 , H01L2924/12044

90. 发明专利

JP2016146489A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016146489A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016029571
申请日：2016-02-19
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：千田章裕
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/322 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/02 , H01L21/477 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1244 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要：【課題】半導体装置のクラックに起因する特性不良を低減した、半導体装置の作製方法を提供することを目的の一つとする。【解決手段】半導体素子の形成される周辺にクラック抑止層を設けることにより、基板外周部からのクラックを抑止し半導体素子へのダメージを低減することができる。また、剥離、転置する際に該半導体装置に外周部から物理的な力が加わったとしても、クラック抑止層により、該半導体装置まで進行(成長)するクラックを防止することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供减少由于半导体器件的裂纹引起的特性故障的半导体器件的制造方法。解决方案：通过在形成半导体元件的区域的周围设置防裂层，从能够抑制基板的外周，能够降低半导体元件的损伤。此外，即使在进行分离或转置时，从外周向半导体器件施加物理力时，防裂层也能够防止向半导体器件发展（生长）的裂纹。图1

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