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81. 发明专利

JP2016095533A 光パターン照射方法审中-公开
标题翻译：辐射光图案的方法
公开(公告)号：JP2016095533A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2016011255
申请日：2016-01-25
申请人：信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
发明人：吉川博樹 , 稲月判臣 , 小板橋龍二 , 金子英雄 , 小嶋洋介 , 原口崇 , 廣瀬智一
IPC分类号： G03F1/74 , G03F7/20 , G03F1/32
摘要：【解決手段】透明基板と、モリブデン、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、モリブデンとケイ素との原子比(Met/Si)が0.18以上0.25以下、窒素含有率が25原子%以上50原子%以下、かつ酸素含有率が5原子%以上20原子%以下であり、ハーフトーン位相シフト膜に、フッ素系ガス雰囲気中での高エネルギー線ビーム照射による欠陥修正処理をし、かつ累積10kJ/cm 2 以上のArFエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ArFエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。【選択図】なし
摘要翻译：解决方案：提供一种照射模式的方法，包括使用半色调相移掩模照射ArF准分子激光器的光图案作为光源，其中半色调相移掩模包括透明基底和半色调图案相移膜由钼，硅，氮和氧的材料构成，其中半色调相移膜的图案的组成包括钼与硅的原子比（Met / Si）为0.18以上且0.25以下， 25原子％以上且50原子％以下的氮含量，5原子％以上且20原子％以下的氧含量。在氟系气体气氛中通过高能量射线束照射对半色调相移膜进行缺陷校正处理，并以约10kJ / cm 2以上的ArF准分子激光照射更多的照射。长期与常规方法相比，可以进行光学光刻中的图案的曝光，而不会明显地降低图案尺寸的变化。选择图：无

82. 发明专利

JP2016045490A 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク有权
标题翻译：相位移空白面罩和光电照相机
公开(公告)号：JP2016045490A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2015142712
申请日：2015-07-17
申请人：エスアンドエステックカンパニーリミテッド
发明人：ナム,キ−ス , シン,チョル , ヤン,チョル−ギュ , リ,ジョン−ファ , チェー,ミン−ギ , キム,チャン−ジュン , ジャン,キュ−ジン
IPC分类号： G03F1/58 , G03F1/80 , C23C14/06 , H01L21/3065 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/26
摘要：【課題】位相反転ブランクマスク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】位相反転ブランクマスクは、遮光性膜が第1遮光層及び第2遮光層を具備した多層膜又は連続膜構造を有する金属化合物からなる。第2遮光層は、第1遮光層に比べて、単位厚さ当たり露光波長に対する光学密度が高く、第1遮光層は、遮光性膜の全厚の70%〜90%を占めるように構成される。このようなブランクマスクは、遮光性が確保され、エッチング速度が改善され、レジスト膜を薄膜化でき、微細パターンの具現が可能である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供相移空白掩模; 并提供光掩模。解决方案：公开了一种相移空白掩模，其中遮光膜包括具有多层膜或连续膜结构的金属化合物，其包括第一遮光层和第二遮光层。第二遮光层在比第一遮光层的单位厚度的曝光波长下具有更高的光密度。第一遮光层占遮光膜整体厚度的70％〜90％。这样，空白掩模确保遮光效果，具有改善的蚀刻速度，并且使抗蚀剂膜更薄，从而实现精细图案。选择图：图1

83. 发明专利

JP5879951B2 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク有权
标题翻译：光图案照射方法，半色调相移掩模和半色调相移掩模坯料
公开(公告)号：JP5879951B2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2011253743
申请日：2011-11-21
申请人：信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
发明人：吉川博樹 , 稲月判臣 , 小板橋龍二 , 金子英雄 , 小嶋洋介 , 原口崇 , 廣瀬智一
IPC分类号： G03F1/74 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26

84. 发明专利

JP2016018192A マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：屏蔽层，相位移屏蔽，相移屏蔽的制造方法和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016018192A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：JP2014143126
申请日：2014-07-11
申请人： HOYA株式会社
发明人：宍戸博明 , 野澤順
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/74 , G03F1/32
摘要：【課題】ArFエキシマレーザーの露光光に対して高い耐性を有し、EB欠陥修正を行ったときに透光性基板との境界を検出するためのエッチング終点の検出が容易である位相シフト膜を備えたマスクブランクを提供する。【解決手段】本発明のマスクブランクは、透光性基板上に低透過層と高透過層の積層構造の組み合わせを1組以上有する位相シフト膜を備え、位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を所定の透過率で透過させる機能と所定の位相差を生じさせる機能を有し、低透過層及び高透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、又は該材料に半金属元素、非金属元素及び希ガスから選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成され、位相シフト膜は、透光性基板と接する位置に最下層を有し、最下層は、ケイ素及び窒素を含有し、金属及び酸素を実質的に含有しない材料であり、かつケイ素及び窒素の合計含有量に対するケイ素の含有量の比率が50%以上である材料で形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有对ArF准分子激光的曝光光具有高电阻的相移膜的掩模板，并且在进行EB缺陷校正时易于检测用于检测与透明基板的边界的蚀刻终点。解决方案：掩模空白具有在透明基板上具有一对以上的低透射层和高透射层的层叠结构的组合的相移膜，相移膜具有以预定的透射系数透射ArF准分子激光的曝光光的功能，产生预定的相位差，低透射层和高透射层由由硅和氮组成的材料或包含选自半金属元素，非金属元素和惰性气体中的一种或多种元素的材料形成，相移膜在与透明基板接触的位置处具有底层，底层含有硅a 并且由基本上不含金属或氧的材料形成，并且硅的含量百分比为硅和氮的总含量为50％以上。选择的图：图1

85. 发明专利

JP2015225280A 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译：相移屏蔽层，相变片掩模的生产方法及其生产方法
公开(公告)号：JP2015225280A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014110982
申请日：2014-05-29
申请人： HOYA株式会社
发明人：坪井誠治 , 酒屋典之
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , G03F1/32
摘要：【課題】位相シフト膜を、ウェットエッチングにより、位相シフト効果を十分に発揮できる断面形状にパターニング可能な位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフト効果を十分に発揮できる位相シフト膜パターンを有する位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトマスクブランク1は、透明基板2上に、クロムと酸素と窒素とを含有する位相シフト膜3が形成された構成を有する。位相シフト膜3は、同一材料からなる主層3aと最表面層3bとを有する。最表面層3b側の主層上部の波長365nmにおける屈折率は、透明基板2側の主層下部の波長365nmにおける屈折率よりも小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种相移掩模坯料及其制造方法，其能够通过湿式蚀刻将相移膜图案化为能够充分发挥相移效果的截面形状和相移的制造方法掩模具有能够充分发挥相移效应的相移膜图案。解决方案：相移掩模坯料1由形成在透明基板2上并含有铬，氧和氮的相移膜3组成。相移膜3具有由相同材料构成的主层3a和最外表面层3b。主层的上部在波长365nm的一侧的上部的折射率小于透明基板2侧的主层的下部的折射率波长365nm。

86. 发明专利

JP2015225182A マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法有权
标题翻译：掩蔽空白，具有负极型电阻膜的掩模层，相位移屏蔽以及使用其形成体的图案的制造方法
公开(公告)号：JP2015225182A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014109481
申请日：2014-05-27
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：安達俊 , 三浦陽一 , 高見澤秀吉 , 早野勝也 , 大川洋平 , 渡邊浩司 , 谷絢子
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/32
摘要：【課題】フォトリソグラフィにおいて、転写特性を優れ、かつArFエキシマレーザ露光光照射耐性、および洗浄耐性の高いマスクブランクスを提供する。【解決手段】ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを製造するために用いられるマスクブランクス100であって、透明基板と、上記透明基板100上に形成され、Si x O 1−x−y N y (xおよびyは、0

zN
1−z (zは、0
【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供在光刻中具有优异转印性能的掩模坯料，以及对ArF准分子激光曝光光的高耐辐射性和清洁电阻。解决方案：掩模板100用于制造半色调型相使用ArF准分子激光曝光光的移位掩模。掩模坯料100包括透明基板和形成在透明基板100上的光半透明膜102，并且通过层叠包含SiON的层102a（其中x和y满足0

87. 发明专利

JP2015200719A 位相シフトマスクおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：相移片及其制造方法
公开(公告)号：JP2015200719A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2014078101
申请日：2014-04-04
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：飛田敦 , 木下一樹 , 千吉良敦子
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/32
摘要：【課題】i線、h線およびg線を含む混合波長の露光光を用いて露光した場合に、位相シフト領域に対応する現像後のレジスト層の膜減りを抑制することができる位相シフトマスク等を提供することを主目的とする。【解決手段】透明基板と、上記透明基板上に形成された位相シフト膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域と、上記位相シフト膜が設けられた位相シフト領域とを備える位相シフトマスクであって、上記位相シフト領域が、上記位相シフト領域を透過したg線の位相を反転させる領域であり、上記位相シフト領域のi線の透過率がレジスト層のi線の感光エネルギーのしきい値に相当する透過率以下であり、g線の透過率が上記i線の透過率よりも高いことを特徴とする位相シフトマスクを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种相移掩模等，其可以通过使用包括i线，h的混合波长的曝光光来抑制当抗蚀剂层曝光时对应于相移区域的显影抗蚀剂层的膜还原线路和g线。解决方案：相移掩模包括透明基板和形成在透明基板上的相移膜，并且包括透明基板被曝光的透射区域和设置相移膜的相移区域。相移区域反转通过相移区域传输的g线的相位。相移区域对i线的透射率等于或低于对应于抗蚀剂层对i线的光敏性的能量阈值的透射率; 并且对g线的透射率高于i线的透射率。

88. 发明专利

JP5793600B2 ハーフトーン位相反転マスクを用いた複合波長露光方法有权
标题翻译：使用半色调相移掩模的复合波长曝光法
公开(公告)号：JP5793600B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2014095240
申请日：2014-05-02
申请人：ピーケーエルカンパニーリミテッド
发明人：ホ・イクポム , チェ・サンス
IPC分类号： G03F1/28 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F1/32

89. 发明专利

JP2015169803A マスク及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：掩模和图案形成方法
公开(公告)号：JP2015169803A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014044725
申请日：2014-03-07
申请人：株式会社東芝
发明人：稲浪良市 , 伊藤信一 , 佐藤隆
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/38
摘要：【課題】簡単に高精度のパターンが形成可能なマスク及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1パターン部と、中間部材と、を含むマスクが提供される。前記第1パターン部は、光に対して透過性を有し周期的に配置された複数の第1光透過部と、前記複数の第1光透過部どうしの間に設けられ前記光に対する透過率が前記複数の第1光透過部の透過率よりも低い第1遮蔽部と、を含む。前記中間部材は、前記第1パターン部上に設けられ、前記光の波長、及び、前記第1光透過部の第1周期に応じた厚さを有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供可以容易地形成高精度图案的掩模，并提供图案形成方法。解决方案：根据一个实施例，掩模包括第一图案部分和中间部件。第一图案部分包括周期性设置并且具有相对于光的透射率的多个第一光传输部分，以及设置在多个第一光传输部分之间并且相对于低于透射率的透射率的第一屏蔽部分多个第一光传输部件。中间构件设置在第一图案部分上。中间构件具有根据光的波长和第一光透射部的第一周期的厚度。

90. 发明专利

JP2015156037A フォトマスクブランク、フォトマスクおよびフォトマスクブランクの製造方法有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：JP2015156037A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015087402
申请日：2015-04-22
申请人： HOYA株式会社
发明人：岩下浩之 , 宍戸博明 , 小湊淳志 , 橋本雅広 , 細谷守男
IPC分类号： G03F1/58 , G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要：【課題】ArFエキシマレーザ光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、薄膜レジストに対応できるエッチング時間の短いCr系膜を有するフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板10上に、裏面反射防止層3、遮光層2、表面反射防止層1からなる多層構造の薄膜を有し、前記薄膜の最上層の表面反射防止層1は、クロムと、窒素、酸素および炭素のうち少なくとも一つとを含む材料からなるアモルファス構造を有する。【選択図】図2
摘要翻译：本发明提供一种用于制造施加了ArF准分子激光的光掩模的光掩模坯料，其中：在透光基板上设置有遮光膜; 遮光膜具有层叠结构，其中背面防反射层，遮光层和前表面抗反射层从靠近透光基板的一侧依次层叠; 整个遮光膜的厚度为60nm以下; 背面抗反射层由含有金属的膜制成，具有第一蚀刻速率; 前表面抗反射层由含有金属的膜制成，具有第三蚀刻速率; 遮光层由含有与背面防反射层或前表面防反射层中所含的金属相同的金属的膜制成，并且具有比第一蚀刻速率和第三蚀刻速率低的第二蚀刻速率 ; 遮光层的厚度为整个遮光膜的厚度的30％以下。

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