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1. 发明专利

KR20210030881A KR20210030881A - Mask blanks, method of manufacturing mask blanks, photomask, and method of manufacturing photomask 审中-公开
公开(公告)号：KR20210030881A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020200114633A
申请日：2020-09-08
申请人： 알박 세이마쿠 가부시키가이샤
发明人： 나리히로 모로사와
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46
摘要： 본 발명의 마스크 블랭크스는, 위상 시프트 마스크가 되는 층을 가지는 마스크 블랭크스에 있어서, 투명 기판에 적층된 위상 시프트층과, 상기 위상 시프트층 보다 상기 투명 기판으로부터 이간하는 위치에 설치된 반사 방지층과, 상기 반사 방지층 보다 상기 투명 기판으로부터 이간하는 위치에 설치된 밀착층과 가진다. 상기 위상 시프트층이 크롬을 함유하고, 상기 반사 방지층이 몰리브덴 실리사이드와 산소를 함유하고, 상기 밀착층이 크롬과 산소를 함유하고, 상기 밀착층에서, 산소 함유율이 포토레지스트층에 대한 패터닝 형성 가능한 밀착성을 가지도록 설정된다.

2. 发明专利

JP2017054105A マスクブランク审中-公开
公开(公告)号：JP2017054105A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016153548
申请日：2016-08-04
申请人：旭硝子株式会社
发明人：林和幸
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/58 , G02B1/115 , G02B5/00 , G03F1/46
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/22 , G03F1/24
摘要：【課題】転写プロセス用のマスクとして使用した際に、パターン転写精度の低下を有意に抑制することが可能なマスクブランク。【解決手段】透明基板を有するマスクブランクにおいて、前記透明基板は、相互に対向する第1の主面および第2の主面を有し、第1の主面には遮光膜が設置され、第2の主面には反射防止膜が配置され、前記反射防止膜は少なくとも2つの層を有し、当該マスクブランクにおいて、前記反射防止膜を除去し、波長193nmの光を、前記透明基板の第2の主面の側から入射角5゜で照射した際に得られる反射率R 1 は、50%以上であり、当該マスクブランクにおいて、前記遮光膜を除去し、前記光を、前記透明基板の第1の主面の側から入射角5゜で照射した際に得られる反射率をR A とし、前記透明基板のみで測定される同様の反射率をR S としたとき、比R A /R S が0.1以下である。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2017027006A ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスク审中-公开
标题翻译：空白面具和光罩使用相同
公开(公告)号：JP2017027006A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015195702
申请日：2015-10-01
申请人：エスアンドエステックカンパニーリミテッド
发明人：南基守 , 申 ▲ちょる▼ , 李鍾華 , 梁 ▲ちょる▼ 圭 , 崔 ▲みん▼ 箕 , 金昌俊 , 全永眺
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/80 , C23C14/06 , G03F1/58
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58
摘要：【課題】遮光膜の金属及び軽元素の組成を調節して遮光性を確保するとともに、エッチング速度が増大し、薄膜化され、面抵抗値が最小化された遮光膜を有するブランクマスク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】本発明のブランクマスクは、透明基板上に少なくとも遮光膜を有し、遮光膜は、透明基板に隣接して形成された第1遮光層及び第1遮光層上に形成された第2遮光層からなり、第1及び第2遮光層は、クロム(Cr)及びモリブデン(Mo)を含んでなる。【選択図】図1
摘要翻译： A，而固定金属和调整，以遮光的遮光膜的光元件的组合物，蚀刻速率提高，变薄，空白掩模和光掩模具有光屏蔽膜的薄层电阻被最小化提供。本发明的一个空白掩模具有至少一个透明基板上的遮光膜，首先形成第一遮光层和形成邻近于所述透明基板的第一光屏蔽层上的光屏蔽膜 2由屏蔽层，第一和第二遮光层包括铬（Cr）和钼（Mo）。点域1

4. 发明专利

JP2016029458A バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法有权
标题翻译： BINARY PHOTOMASK BLANK，其制造方法和制造二进制光子的方法
公开(公告)号：JP2016029458A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：JP2015104399
申请日：2015-05-22
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：稲月判臣 , ▲高▼坂卓郎 , 西川和宏
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/60 , G03F1/80
摘要：【解決手段】透明基板上に、遷移金属Mとケイ素Si又は遷移金属Mとケイ素Siと窒素Nを主成分として含有し、かつ単層又は複数層からなる光学濃度3.0以上の遮光膜を有し、遮光膜が、遷移金属、ケイ素及び窒素の組成が、B≦0.68×A+0.23(式中、AはSiに対するMの原子比、BはSiに対するNの原子比である。)を満たす層を含み、膜厚が47nm以下であるバイナリフォトマスクブランク。【効果】本発明のバイナリフォトマスクブランクは、露光光を十分に遮光でき、かつより薄膜の遮光膜を備え、このバイナリフォトマスクブランクに対し、フォトマスク加工を行う場合、より薄膜のレジスト膜を用いることができることから、高精度なバイナリフォトマスクを得ることができる。【選択図】図5
摘要翻译：解决方案：提供二元光掩模坯料，其包括在透明基板上的遮光膜，含有过渡金属M和硅Si的遮光膜，或过渡金属M，硅Si和氮N作为必要组分，包括单层或多层，并且具有3.0或更大的光密度。关于过渡金属，硅和氮的组成，遮光膜包括满足B≤0.68×A + 0.23的层，其中A表示M相对于Si的原子比，B表示N相对的原子比至Si，并且具有47nm或更小的膜厚度。解决方案：本发明的二进制光掩模坯料具有能够充分遮挡曝光的较薄的遮光膜。当将二进制光掩模坯料加工成光掩模时，可以使用具有减小的膜厚度的抗蚀剂膜，从而可以获得具有更高精度的二元光掩模。选择的图：图5

5. 发明专利

JP5535932B2 Photomask blank, photomask and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5535932B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2010535787
申请日：2009-10-27
申请人： Hoya株式会社
发明人：浩之岩下 , 淳志小湊 , 雅広橋本 , 博明宍戸
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54

6. 发明专利

JP5374599B2 Method of manufacturing a photomask blank and a photomask, and a method of manufacturing a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5374599B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2012016186
申请日：2012-01-30
申请人： Hoya株式会社
发明人：剛之山田 , 浩之岩下 , 正男牛田
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/00 , G03F1/54 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： Provided is a photomask blank by which a dry etching time is shortened by increasing the dry etching speed of a light shielding film, resist film reduction is suppressed, resolution and pattern accuracy (CD accuracy) are improved by thinning the resist film, and a light shielding film pattern having excellent cross-sectional shape is formed by the shortened dry etching time. The photomask blank has the light shielding film on a light transmitting substrate. The photomask blank is provided for dry etching which is applicable to a photomask manufacturing method wherein a light shielding film is patterned by dry-etching by using a mask pattern formed on the light shielding film as a mask. The light shielding film is composed of a material including mainly chromium (Cr) and nitrogen (N), and substantially has a diffraction peak of CrN(200) in X ray diffraction. Furthermore, the light shielding film includes nitrogen (N) substantially uniformly in the depth direction by having chromium (Cr) as reference.

7. 发明专利

JPWO2011108470A1 ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011108470A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：JP2012503116
申请日：2011-02-25
申请人：旭硝子株式会社
发明人：俊之宇野 , 俊之宇野 , 和幸林 , 和幸林
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F1/84
CPC分类号： G03F1/24 , C23C14/0036 , G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/84 , G03F7/20
摘要： EUVマスクブランクとしての特性に優れ、特にパターン検査光の波長域の反射率が低く、塩素系ガスを用いたエッチングプロセスにおいて、十分なエッチング速度を有し、かつ、レジストとの密着性が良好であることにより、幅が100nm程度もしくはそれ以下の微細なレジストパターンを形成する場合のレジストパターンの消失やレジストパターンの欠陥等の問題を解消することができる低反射層を備えたEUVマスクブランクの提供。基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光(波長190〜260nm)に対する低反射層が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、前記吸収体層の側から、珪素(Si)および窒素(N)を合計含有率で95at%以上含有する第1層、および、タンタル(Ta)、酸素(O)および窒素(N)を合計含有率で95at%以上含有する第2層が、またはタンタル(Ta)および窒素(N)を合計含有率で95at%以上含有する第2層が、この順に積層された積層構造であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。

8. 发明专利

JP4907688B2 Photomask blank and a photomask, and a pattern transfer method using the photomask 有权
公开(公告)号：JP4907688B2
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：JP2009102116
申请日：2009-04-20
申请人： Hoya株式会社
发明人：英明三ツ井 , 光浩暮石
IPC分类号： G03F1/54 , C23C14/06 , G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/68 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/58

9. 发明专利

JPWO2010050447A1 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2010050447A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：JP2010535787
申请日：2009-10-27
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：浩之岩下 , 浩之岩下 , 淳志小湊 , 淳志小湊 , 雅広橋本 , 雅広橋本 , 博明宍戸 , 博明宍戸
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/54
摘要：波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスク(100)を作製するために用いられるフォトマスクブランクである。フォトマスクブランクは、透光性基板(1)と、該透光性基板上に形成された遮光膜(10)とを備える。遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層(12)と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層(13)とを有する。遮光膜は、露光光に対する表面反射率が所定値以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が2nmの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が2%以内となるように制御できる特性を有する。この特性が得られるような屈折率n及び消衰係数kを有する表面反射防止層の材料を選定する。

10. 发明专利

JP2009020532A Photomask blank and photomask 审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：JP2009020532A
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：JP2008247286
申请日：2008-09-26
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： KOMINATO ATSUSHI , YAMADA TAKAYUKI , SAKAMOTO MINORU , HASHIMOTO MASAHIRO
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten a dry etching time and to decrease film reduction in a resist film by increasing the dry etching rate of a light shielding film. SOLUTION: In a photomask blank having a light shielding film on an optically transparent substrate, the photomask blank is a mask blank for a dry etching process adapted for a photomask production method of patterning the light shielding film by the dry etching process using as a mask a pattern of a resist formed on the light shielding film, wherein the light shielding film is made of a material having a selectivity exceeding 1 with respect to the resist in the dry etching process. As a result, a reduction in thickness (to 300 nm or less) of the resist film becomes possible so that pattern resolution and pattern accuracy (CD accuracy) can be improved. Further, by shortening the dry etching time, a pattern of the light shielding film having an excellent sectional shape can be formed. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过增加遮光膜的干蚀刻速率，缩短干蚀刻时间并降低抗蚀剂膜中的膜还原。解决方案：在光学透明基板上具有遮光膜的光掩模坯料中，光掩模坯料是用于通过干法蚀刻工艺对遮光膜进行图案化的光掩模生产方法的干蚀刻工艺的掩模坯料，其使用作为掩模，形成在遮光膜上的抗蚀剂图案，其中，所述遮光膜由在干法蚀刻工艺中相对于抗蚀剂选择性超过1的材料制成。结果，可以减小抗蚀剂膜的厚度（至300nm或更小），从而可以提高图案分辨率和图案精度（CD精度）。此外，通过缩短干蚀刻时间，可以形成具有优异截面形状的遮光膜的图案。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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