基本信息:
- 专利标题： マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
- 专利标题（英）：Mask blank, phase shift mask, manufacturing method of phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device
- 专利标题（中）：屏蔽层，相位移屏蔽，相移屏蔽的制造方法和半导体器件的制造方法
- 申请号：JP2014143126 申请日：2014-07-11
- 公开(公告)号：JP2016018192A 公开(公告)日：2016-02-01
- 发明人： 宍戸 博明 , 野澤 順
- 申请人： HOYA株式会社
- 申请人地址： 東京都新宿区中落合2丁目7番5号
- 专利权人： HOYA株式会社
- 当前专利权人： HOYA株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都新宿区中落合2丁目7番5号
- 代理人： 永田 豊; 大島 孝文; 太田 司
- 主分类号： G03F1/84
- IPC分类号： G03F1/84 ; G03F1/74 ; G03F1/32
摘要：
【課題】ArFエキシマレーザーの露光光に対して高い耐性を有し、EB欠陥修正を行ったときに透光性基板との境界を検出するためのエッチング終点の検出が容易である位相シフト膜を備えたマスクブランクを提供する。 【解決手段】本発明のマスクブランクは、透光性基板上に低透過層と高透過層の積層構造の組み合わせを1組以上有する位相シフト膜を備え、位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を所定の透過率で透過させる機能と所定の位相差を生じさせる機能を有し、低透過層及び高透過層は、ケイ素及び窒素からなる材料、又は該材料に半金属元素、非金属元素及び希ガスから選ばれる1以上の元素を含有する材料で形成され、位相シフト膜は、透光性基板と接する位置に最下層を有し、最下層は、ケイ素及び窒素を含有し、金属及び酸素を実質的に含有しない材料であり、かつケイ素及び窒素の合計含有量に対するケイ素の含有量の比率が50%以上である材料で形成されている。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供具有对ArF准分子激光的曝光光具有高电阻的相移膜的掩模板，并且在进行EB缺陷校正时易于检测用于检测与透明基板的边界的蚀刻终点。解决方案：掩模 空白具有在透明基板上具有一对以上的低透射层和高透射层的层叠结构的组合的相移膜，相移膜具有以预定的透射系数透射ArF准分子激光的曝光光的功能， 产生预定的相位差，低透射层和高透射层由由硅和氮组成的材料或包含选自半金属元素，非金属元素和惰性气体中的一种或多种元素的材料形成，相移 膜在与透明基板接触的位置处具有底层，底层含有硅a 并且由基本上不含金属或氧的材料形成，并且硅的含量百分比为硅和氮的总含量为50％以上。选择的图：图1
公开/授权文献:
- JP6153894B2 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 公开/授权日：2017-06-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03F | 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备 |
| ------G03F1/00 | 用于图纹面的照相制版的原版的制备 |
| --------G03F1/68 | .未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺 |
| ----------G03F1/82 | ..辅助工艺，例如清洗 |
| ------------G03F1/84 | ...检查 |