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81. 发明专利

JP6267108B2 ショットキーバリアダイオードとその製造方法有权
公开(公告)号：JP6267108B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014259316
申请日：2014-12-22
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：永岡達司 , 三宅裕樹 , 渡辺行彦 , 青井佐智子 , 秋葉敦也
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/66143 , H01L29/872

82. 发明专利

JP6208579B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6208579B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013269268
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/76237 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/105 , H01L29/167 , H01L29/7811 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7395

83. 发明专利

JP6139356B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6139356B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013197410
申请日：2013-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/7397 , H01L29/7813

84. 发明专利

JP2016092257A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016092257A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014226051
申请日：2014-11-06
申请人：株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：松木英夫 , 榊原純 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 小野木淳士
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7811 , H01L29/063 , H01L29/0869
摘要：【課題】トレンチゲート構造を形成するためのトレンチとメサ構造部を同時に形成しつつ、外周耐圧構造の耐圧低下を抑制する。【解決手段】n + 型ソース領域4に凹部4aが形成されるようにしておき、この凹部4aの底面からトレンチ6を形成する。これにより、トレンチ6とメサ構造部14を同時に形成しても、トレンチ6をメサ構造部14よりも深い位置まで形成できる。したがって、セル領域において、トレンチ6のp型ベース領域3からn - 型ドリフト層2側への突き出し量を確保しつつ、外周領域では、メサ構造部14の底面に形成されるp型リサーフ層15やp型ガードリング層16を必要以上に削らなくても済むようにできる。つまり、トレンチ6を所定深さにしつつ、メサ構造部14を深くし過ぎないようにできる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制外围耐受电压结构的耐受电压的降低，同时形成用于形成沟槽栅极结构的台面结构部分和沟槽。解决方案：允许形成凹部4a n型源极区域4，并且沟槽6由凹部4a的底面形成。因此，即使同时形成沟槽6和台面结构部分14，也可以将沟槽6形成为比台面结构部14更深的位置。因此，在从p型向n型漂移层2侧的突出量沟槽6的基底区域3固定在单元区域中，形成在台面结构部分14的底表面上的p型复层15和p型保护环层16不需要更多地剃刮在外围区域中是必需的。换句话说，可以防止台面结构部分14形成得太深，同时形成沟槽6以具有预定的深度。选择的图示：图1

85. 发明专利

JP2015207702A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015207702A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014088306
申请日：2014-04-22
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
摘要：【課題】半導体装置の耐圧を向上させること。【解決手段】半導体装置1の半導体層10は、活性部12と終端部14を有する。終端部14には、平面視したときに、活性部12の周囲を囲むように設けられている複数の終端耐圧構造40a,40b,40c,40dが形成されている。終端部14は、複数の直線範囲14Aと、直線範囲14Aと直線範囲14Aの間に配置されるコーナー範囲14Bと、を含む。最内周の終端耐圧構造40aは、直線範囲14Aに設けられている直線部分のみで構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的击穿电压。解决方案：半导体器件1的半导体层10包括：有源部分12; 和终端部分14.在终端部分14处形成有以平面图的形式围绕有源部分12的周围设置的多个终止击穿电压结构40a，40b，40c，40d。终端部分14包括：多个线性范围14A; 以及设置在线性范围14A和线性范围14A之间的转角范围14B。在最内圆周处的终止击穿电压结构40a仅由线性范围14A的直线部分构成。

86. 发明专利

JP2015126193A 縦型半導体装置审中-公开
标题翻译：垂直型半导体器件
公开(公告)号：JP2015126193A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013271579
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 鈴木克己 , 鈴木巨裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：【課題】半導体装置2の周辺領域6の耐圧を高める。【解決手段】周辺領域6では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ層32とガードリング30・・を形成する。リサーフ層32よりガードリング30・・を深く形成する。ガードリング30が浅いと、リサーフ層32の不純物濃度が薄くて抵抗が低いことから、リサーフ層32の深部の電位が不安定となり、リサーフ層32によって耐圧を高める作用が十分に発揮されない。ガードリング30が深いと、ガードリング30の不純物濃度が高くて抵抗が低いことから、リサーフ層32の深部の電位がガードリングによって規制され、リサーフ層32によって耐圧を高める作用が十分に発揮される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件2的周边区域6的耐电压。解决方案：在周边区域6中的半导体衬底的表面上的位置上形成有复层32和保护环30。保护环 30形成得比固化层32更深。如果保护环30的深度较浅，则固化层32的杂质浓度低并且其电阻低，因此再生层的深部分的电位 32不稳定，并且提高由于再生层32引起的耐受电压的动作没有充分实现。如果保护环30的深度较深，则保护环30的杂质浓度高，电阻较低，因此固位层32的深部的电位受到保护环的限制，提高由于再生层32引起的耐受电压的充分实施。

87. 发明专利

JP5732790B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5732790B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2010205789
申请日：2010-09-14
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：山本敏雅 , 杉本雅裕 , 高谷秀史 , 森本淳 , 副島成雅 , 石川剛 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L29/086 , H01L29/45 , H01L29/7813 , H01L29/1608 , H01L29/41766

88. 发明专利

JP2015072973A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015072973A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013207229
申请日：2013-10-02
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 高谷秀史 , 斎藤順 , 三宅裕樹 , 宮原真一朗 , 竹内有一
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L29/78
摘要：【課題】コンタクト用のトレンチを有する半導体装置において、コンタクト用のトレンチに充填される電極の接触抵抗を低減させ、小型化に有利な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板20の表層部に形成されているコンタクト用のトレンチ30を有する半導体装置1であって、トレンチ30の底面及び側面の表面粗さが、トレンチ30の上表面の表面粗さよりも大きいことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有接触沟槽的半导体器件，其减小了填充在接触槽中的电极的接触电阻，并有利于小型化; 并提供半导体器件的制造方法。解决方案：在形成在半导体衬底20的表面层上的具有接触用沟槽30的半导体器件1中，沟槽30的底面和侧面的表面粗糙度大于沟槽30的上表面的表面粗糙度。

89. 发明专利

JP2015070152A 半導体装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015070152A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013204226
申请日：2013-09-30
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：添野明高 , 小野木淳士 , 水野祥司 , 竹内有一 , 庄司智幸 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/3083 , H01L21/3085 , H01L21/3088 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要：【課題】隣接するトレンチゲート電極とトレンチゲート電極の間においてベースコンタクト領域に達するコンタクト用トレンチの幅を微細化する。【解決手段】酸化膜24の上面にコンタクト用トレンチを形成するための開孔26aが形成されたレジスト層26を形成し、酸化膜24をエッチングする。酸化膜24に形成される開孔の壁面24bが傾斜し、開孔24aの幅は開孔26aの幅より縮小する。縮小した幅を持つ開孔24aを介して半導体基板2をエッチングしてコンタクト用トレンチを形成する。開孔26aよりも微細化されたコンタクト用トレンチが形成される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：实现达到相邻沟槽栅电极之间的基极接触区域的接触沟槽的宽度的微细加工。解决方案：一种半导体器件制造方法包括以下步骤：形成抗蚀剂层26，其具有用于形成的开口26a 在氧化物膜24的顶面上的接触沟槽; 并且蚀刻氧化膜24，形成在氧化物膜24中的开口的壁表面24b倾斜，并且开口24a的宽度减小到小于开口26a的宽度; 并且经由具有减小的宽度的开口24a蚀刻半导体衬底2以形成接触沟槽。形成比开口26a更微细的接触沟槽。

90. 发明专利

JP2015065238A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015065238A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013197410
申请日：2013-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/7397 , H01L29/7813
摘要：【課題】ドリフト領域の不純物濃度が比較的に高い場合においても、終端領域で耐圧を保持することができる技術を提供する。【解決手段】半導体基板11は、素子領域12と、素子領域12を取り囲む終端領域14を有する。終端領域14には、複数の第1導電型のFLR領域41と、第2導電型の第2ドリフト領域32bと、複数の第1導電型の第2フローティング領域37が形成されている。FLR領域41は、半導体基板11の上面に臨む範囲に配置されており、素子領域12の外周を取り囲んでいる。第2ドリフト領域32bは、FLR領域41に接するとともにFLR領域41を取り囲んでいる。第2フローティング領域37は、その周囲が第2ドリフト領域32bによって囲まれている。最も素子領域12側に配置されているFLR領域41の内周側の側面より素子領域12側には、少なくとも1つの第2フローティング領域37が配置されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：即使当漂移区域中的杂质浓度相对较高时，即使在漂移区域中的杂质浓度相对较高时，也能够提供能够在终止区域保持耐受电压的技术。解决方案：半导体衬底11具有元件区域12和围绕多个第一导电型FLR区域41，第二导电型第二漂移区域32b和多个第一导电型第二浮动区域37形成在终端区域14上.FLR区域41布置在面对半导体基板11的上表面，并且包围元件区域12的外周。第二漂移区域32b与FLR区域41接触并围绕FLR区域41.第二漂移区域32b围绕第二浮动区域第二浮动区域37中的至少一个布置在比侧表面更靠近元件区域12侧的区域上位于最靠近元件区域12侧的位置的FLR区域41的内周侧。

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