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71. 发明专利

JPWO2013141168A1 弾性波装置及びその製造方法有权
标题翻译：声波装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2013141168A1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014506204
申请日：2013-03-15
申请人：株式会社村田製作所
发明人：神藤　始 , 始神藤
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/25 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/1873 , H01L41/253 , H01L41/277 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/314 , H01L41/39 , H03H3/10 , H03H9/02559 , H03H9/02574
摘要：高音速化を図り得るだけでなく、スプリアスとなる他のモードによる応答の影響を受け難い、弾性波装置を提供する。ニオブ酸リチウム膜5を有し、SH型表面波を利用する弾性波装置であって、支持基板2と、前記支持基板2上に形成されており、前記ニオブ酸リチウム膜5を伝搬する弾性波音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜3と、前記高音速膜3上に積層されており、前記ニオブ酸リチウム膜5を伝搬するバルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜4と、前記低音速膜4上に積層された前記ニオブ酸リチウム膜5と、前記ニオブ酸リチウム膜5の一方面に形成されているIDT電極6とを備え、ニオブ酸リチウム膜5のオイラー角を(0??5?,&thetas;,0?)としたときに、&thetas;が0?〜8?及び57?〜180?の範囲内にある、弾性波装置1。
摘要翻译：不仅获得由另一模式，其中寄生，提供一种弹性波装置实现的，不易受响应高音速。一种锂膜5，铌酸利用SH型表面波的弹性波装置，和支承基板2，形成在支撑基板2上时，弹性波通过铌酸锂膜5中传播高音速度膜3的体波声速是从声速更快传播时，层叠在高音速度膜3，体波声速从体波声速穿过铌酸锂膜5以低速传播传播有低声速膜4，并层叠在低声速膜4的铌酸锂膜5，并形成在铌酸锂膜5，铌酸锂膜的一个表面上的IDT电极6 的5欧拉角（0 ?? 5，＆θ驱动; ??，0）和时，与θ驱动; ????是在声表面波装置1的范围中的0-8和57-180。

72. 发明专利

JP5720797B2 弾性表面波装置有权
公开(公告)号：JP5720797B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2013540769
申请日：2012-10-22
申请人：株式会社村田製作所
发明人：神藤始 , 岡田圭司
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/64 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/64 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/02834 , H03H9/02866 , H03H9/14594 , H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02535 , H03H9/0585 , H03H9/175 , H03H9/6433 , H03H9/725

73. 发明专利

JP2015073331A 弾性波装置有权
标题翻译：声波设备
公开(公告)号：JP2015073331A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2015000617
申请日：2015-01-06
申请人：株式会社村田製作所
发明人：渡辺宗久 , 岩本英樹 , 神藤始 , 木戸俊介
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
摘要：【課題】高周波化に対応でき、かつQ値を高め得る弾性波装置を提供する。【解決手段】支持基板2上に、圧電膜5を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜3が積層されており、高音速膜3上に、圧電膜5を伝搬するバルク波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜4が積層されており、低音速膜4上に上記圧電膜5が積層されており、圧電膜5の一方面にIDT電極6が積層されている弾性波装置1。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在高频下应对并且能够增加Q值的声波装置。解决方案：声波装置1包括：层叠在支撑基板2上的高声速膜3 其中传播的体声波速度比传播压电膜5的弹性声波速度高; 层叠在高声速膜3上的低声速膜4，其中传播的体声波速度比传播压电膜5的体声波速度低; 叠层在低声速膜4上的压电膜5; 以及在压电膜5的一侧上分层的IDT电极6。

74. 发明专利

JPWO2013047433A1 弾性波装置有权
标题翻译：声表面波器件
公开(公告)号：JPWO2013047433A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013536261
申请日：2012-09-24
申请人：株式会社村田製作所
发明人：神藤　始 , 始神藤 , 英樹岩本 , 英樹岩本
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/17 , H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/02574
摘要：圧電体の厚みばらつきの如何にかかわらず、周波数特性のばらつきが生じ難く、かつ電気機械結合係数k2を高め得る弾性波装置を提供する。支持基板2上に媒質層3、圧電体4及びIDT電極5が積層されており、前記媒質層3が圧電体を伝搬し、利用する弾性波の伝搬速度よりも、該弾性波の主振動成分と同じバルク波の伝搬速度が低い低速媒質と、該弾性波の主振動成分と同一のバルク波の伝搬速度が該弾性波の伝搬速度よりも高い高速媒質とを含む媒質からなる、弾性波装置1。
摘要翻译：无论在压电体的厚度变化几乎不发生在频率特性的变化，并提供一种弹性波装置，其可以增加机电耦合系数k2。在支撑基板2和压电元件4和IDT电极5上介质层3被层叠，所述介质层3被传播压电，比所使用的声波的传播速度，弹性波的主振动部件相同的体波的传播速度是从含低和慢介质的介质中，相同的体波和弹性波的主振动部件的传播速度是高比弹性波的传播速度和声波装置更快介质 1。

75. 发明专利

JP5668179B1 弾性波素子用複合基板および弾性波素子有权
标题翻译：复合基板及其声波器件的弹性波装置
公开(公告)号：JP5668179B1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014530850
申请日：2014-03-19
申请人：日本碍子株式会社
发明人：裕二堀 , 裕二堀 , 知義多井 , 知義多井
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02834 , H03H9/02228 , H03H9/02574 , H03H9/25 , H03H9/6489
摘要：弾性波素子用複合基板は、支持基板1、および支持基板1に接合され、圧電単結晶からなり、弾性波を伝搬させる伝搬基板3を備えている。伝搬基板3が、前記圧電単結晶の結晶格子が歪んでいる表面格子歪み層11を有する。
摘要翻译：对于声表面波元件的复合衬底被接合到支撑基板1，和由压电单晶的支撑基材1，和传播声波的传播基板3。传播基板3具有压电单晶的表面晶格畸变层11晶格畸变。

76. 发明专利

JP5650553B2 弾性波デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP5650553B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2011023073
申请日：2011-02-04
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：上田　政則 , 政則上田 , 匡郁岩城 , 匡郁岩城 , 西原　時弘 , 時弘西原
IPC分类号： H03H3/08 , H03H3/02 , H03H9/145 , H03H9/17
CPC分类号： H03H3/02 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/0504 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49153

77. 发明专利

JP5601377B2 Acoustic wave device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5601377B2
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：JP2012546849
申请日：2011-11-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：始神藤 , 俊介木戸 , 圭司岡田 , 宗久渡辺
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/25 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02228 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , Y10T29/42
摘要： An elastic wave device includes a support layer with a through-hole or a recess opened at an upper surface thereof, a piezoelectric thin film arranged on the support layer to extend above the recess or the through-hole of the support layer, and an IDT electrode defined on at least one of upper and lower surfaces of the piezoelectric thin film in a region of the piezoelectric thin film, the region extending above the recess, or the through-hole. A secondary mode of a plate wave, which contains a U1 component as a main component, is utilized. The piezoelectric thin film is made of LiTaO3, and Euler angles (φ, θ, ψ) of the LiTaO3 fall within specific ranges.

78. 发明专利

JP5588836B2 Acoustic wave device 有权
公开(公告)号：JP5588836B2
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2010253860
申请日：2010-11-12
申请人：太陽誘電株式会社
发明人：洋平清水
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/0057 , H03H3/08 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02913 , H03H9/14588

79. 发明专利

JP5583875B1 Composite substrate and its manufacturing method 有权
公开(公告)号：JP5583875B1
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：JP2014514653
申请日：2013-11-11
申请人：日本碍子株式会社 , エヌジーケイ・セラミックデバイス株式会社
发明人：裕二堀 , 知義多井 , 康範岩崎 , 喬紘山寺 , 良祐服部 , 健吾鈴木
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
摘要：本発明の複合基板は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムの単結晶基板である圧電基板と、シリコンの単結晶基板である支持基板とが、Ａｒを含有するアモルファス層を介して接合された複合基板である。アモルファス層は、圧電基板から複合基板に向かって第１層、第２層及び第３層を有している。このうち、第１層は、第２層及び第３層に比べて圧電基板を構成する元素（Ｔａなど）を多く含有し、第３層は、第１層及び第２層に比べて支持基板を構成する元素（Ｓｉ）を多く含有し、第２層は、第１層及び第３層に比べてＡｒを多く含有する。

80. 发明专利

JP2014154952A High-frequency module 有权
标题翻译：高频模块
公开(公告)号：JP2014154952A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013021000
申请日：2013-02-06
申请人： Murata Mfg Co Ltd , 株式会社村田製作所
发明人： NURIKABE YUJI , KITAJIMA HIROMICHI
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H03H9/725 , H03H7/38 , H03H9/02574 , H03H9/706 , H03H9/72
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency module in which cross modulation distortion is prevented from being produced and a substrate is prevented from being large-sized, excellent isolation characteristics are materialized, and designing a matching circuit is facilitated.SOLUTION: A high frequency module 10 includes a laminated substrate 11, a switch IC12, a SAW duplexer 13, and a matching circuit 14. The matching circuit 14 includes a line wiring 17, and inner layer ground electrodes 16A, 16B. The matching circuit 14 matches an impedance in the normal frequency band of the SAW duplexer 13 between the switch IC12 and the SAW duplexer 13. The line wiring 17 is the inner layer electrode of the laminated substrate 11, which is connected between the switch IC12 and the SAW duplexer 13. The inner layer ground electrodes 16A, 16B face each other in the laminated direction of the line wiring 17 through only the dielectric layer of the laminated substrate 11.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供防止产生交叉调制失真并防止基板大尺寸的高频模块，实现了优异的隔离特性，并且便于设计匹配电路。解决方案：高频率模块10包括层压基板11，开关IC12，SAW双工器13和匹配电路14.匹配电路14包括线路布线17和内层接地电极16A，16B。匹配电路14匹配开关IC12和SAW双工器13之间的SAW双工器13的正常频带中的阻抗。线路布线17是层叠基板11的内层电极，其连接在开关IC12和 SAW双工器13.内层接地电极16A，16B仅通过层叠基板11的电介质层在线路布线17的层叠方向上彼此面对。

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