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61. 发明专利

JP2018010891A 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018010891A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2016136756
申请日：2016-07-11
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：竹田剛
IPC分类号： C23C16/52 , H05H1/00 , H01L21/31
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/32963 , H01J37/32981 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：【課題】基板毎の処理後の膜特性の均一性を向上する半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理室に搬入する工程と、基板に処理ガスを供給する工程と、基板に供給されたガスを排気する工程と、活性化された処理ガスを基板に供給すると共に、基板から脱離する不純物を測定する第1測定工程と、活性化工程後に処理室から排気されるガスを測定する第2測定工程と、を有する処理工程と、第1測定工程と第2測定工程とを繰り返し、第1測定工程で生成される第1測定データと第2測定工程で生成される第2測定データを基に処理データを算出する工程と、処理データに基づいて、処理工程の終了判定する工程と、を有する。【選択図】図4

62. 发明专利

JP2017228690A エッチング処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017228690A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016124600
申请日：2016-06-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：工藤仁 , ▲高▼山航 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01L21/022 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01J37/32834
摘要：【課題】高エッチングレートを維持しつつ、サイドエッチングを抑制することを目的とする。【解決手段】基板の温度が−35℃以下の極低温環境において、第1高周波電源から第1高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスを供給し、生成されたプラズマにより、組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜をエッチングする、エッチング処理方法が提供される。【選択図】図2

63. 发明专利

JP6242288B2 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6242288B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2014101683
申请日：2014-05-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：三浦繁博 , 加藤寿 , 佐藤潤 , 中坪敏行 , 菊地宏之
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/52 , H05H1/46 , H01L21/316
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/3065

67. 发明专利

JP6167673B2 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6167673B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013115790
申请日：2013-05-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸根川大和 , 石井勝利
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45536 , H01J37/32834

68. 发明专利

JP2017123425A 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017123425A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016002530
申请日：2016-01-08
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：芦原洋司
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4412 , B25J11/0095 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01J37/32522 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H01J37/32899 , H01L21/67167
摘要：【課題】複数のチャンバを有する装置において、高温処理を実現可能な技術を提供する。【解決手段】内側で基板を処理するチャンバと、チャンバに、第一ガスと第二ガスとを交互に供給するガス供給部と、第一ガスと第二ガスを排気する第一の排気配管と、第一の排気配管に設けられ、第一ガスが蒸気圧で気体となる温度よりも高い温度に前記第一の排気配管を加熱するヒータと、複数のチャンバが隣接して設けられる処理モジュールと、第一の排気配管の一部を収容するガスボックスと隣接するように配され、チャンバ毎に設けられた電装系と、隣り合うチャンバに設けられた複数の第一の排気配管を囲むように設けられ、ヒータから電装系への熱影響を低減する熱低減構造と、を有する。【選択図】図2

69. 发明专利

JP2017033749A マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体源和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2017033749A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015152169
申请日：2015-07-31
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：原田保 , 原恵美子 , 池田太郎
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/3222 , H01J37/32311 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32834 , H01J2237/332 , H01J2237/334
摘要：【課題】マイクロ波放射機構を複数有しても、広いプロセス条件で異常放電が発生し難く、プラズマ着火性が良好なマイクロ波プラズマ源およびそれを用いたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマ源2は、チャンバ1の天壁に設けられ、チャンバ1内にマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射機構43と、複数のマイクロ波放射機構43のマイクロ波放射面の直下の高電界形成領域に設けられた、多数の孔を有し、接地電位に設定された導電性材料からなる多孔板151とを有する。多孔板151は、マイクロ波放射機構43からマイクロ波が放射された際に、マイクロ波放射面の直下に形成される表面波を、高電界領域となるマイクロ波放射面と多孔板151とで囲まれた空間152に閉じ込め、空間152に生成されるプラズマの電力吸収効率を高く維持する機能を有する。【選択図】図1
摘要翻译： A可以具有的多个微波辐射机构，异常放电是不太可能具有宽的工艺条件发生，所述等离子体点火性，以提供使用相同的和良好的微波等离子体源的等离子体处理装置。的微波等离子体源2在腔室1的顶壁提供，辐射微波到腔室1中，多个微波放射机构43的微波辐射表面上的多个微波辐射机构43 提供在正下方的高电场区域形成具有多个孔的，并取得被设定为接地电位的导电性材料制成的多孔板151。多孔板151，当从微波辐射机构43放射的微波，通过表面波包围紧接在微波辐射表面的下方形成，且高电场区域变得微波辐射表面和多孔板151 密闭空间152具有这样的功能，以保持在空间152中产生的等离子体的高功率吸收效率。点域1

70. 发明专利

JP5971870B2 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体有权
标题翻译：的基板处理装置，制造方法和半导体装置的一个记录介质
公开(公告)号：JP5971870B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2014069339
申请日：2014-03-28
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：西堂周平
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45582 , C23C16/4586 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32834 , H01J37/32853 , H01J37/32862 , H01L21/02263 , H01L21/28512 , H01L21/76877

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