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1. 发明专利

JP6267953B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6267953B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2013262742
申请日：2013-12-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼山航 , 松山昇一郎 , 野上達 , 田村大輔 , 林恭輔 , 川野部潤
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L27/11582

2. 发明专利

JP2017228690A エッチング処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017228690A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016124600
申请日：2016-06-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：工藤仁 , ▲高▼山航 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01L21/022 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01J37/32834
摘要：【課題】高エッチングレートを維持しつつ、サイドエッチングを抑制することを目的とする。【解決手段】基板の温度が−35℃以下の極低温環境において、第1高周波電源から第1高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスを供給し、生成されたプラズマにより、組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜をエッチングする、エッチング処理方法が提供される。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2015119099A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015119099A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013262742
申请日：2013-12-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼山航 , 松山昇一郎 , 野上達 , 田村大輔 , 林恭輔 , 川野部潤
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L27/11582
摘要：【課題】半導体装置の3次元構造を有するデバイスの製造において、多層膜に形成されるホールの垂直性を改善する方法の提供。【解決手段】互いに異なる誘電率を有し、且つ、交互に積層された第1の膜及び第2の膜を含む多層膜を、プラズマ処理装置の処理容器内において、マスクを介してエッチングする半導体装置の製造方法。前記方法は、(a)O 2 ガス若しくはN 2 ガス、及び希ガスを含む第1のガスを前記処理容器内に供給し、該第1のガスを励起させる工程ST11と、(b)フルオロカーボンガス又はフルオロハイドロカーボンガスを含む第2のガスを前記処理容器内に供給し、該第2のガスを励起させる工程ST12と、(c)HBrガス、フッ素含有ガス、及び、フルオロカーボンガス若しくはフルオロハイドロカーボンガスを含む第3のガスを前記処理容器内に供給し、該第3のガスを励起させる工程ST13と、を含むシーケンスを繰り返し実行する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体器件的制造中提高在多层膜中形成的孔的垂直度的方法，具有三维结构的器件。解决方案：一种半导体器件的制造方法，其中多层通过在等离子体处理装置的处理室中的掩模来蚀刻包括介电常数彼此不同并且交替分层的第一和第二膜的膜，包括重复执行以下步骤的顺序：（a）步骤ST11，其中将包括O气或N气和惰性气体的第一气体供应到处理室中，随后激发第一气体; （b）步骤ST12，其中将包含碳氟化合物气体或氟代烃气体的第二气体供应到处理室中，随后激发第二气体; 和（c）步骤ST13，其中将包括HBr气体，含氟气体和碳氟化合物气体或氟代烃气体的第三气体供应到处理室中，随后激发第三气体。

4. 发明专利

JP6604833B2 プラズマエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6604833B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2015236624
申请日：2015-12-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼山航 , 冨永翔 , 五十嵐義樹
IPC分类号： H01L21/3065

5. 发明专利

JP2019160816A プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019160816A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018040296
申请日：2018-03-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼山航 , 近江宗行 , 伊深怜 , 五十嵐大 , 鈴木貴幸 , 村上貴宏
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】基板をプラズマ処理することにより生じた反応生成物を載置台の載置面の周縁部から適切に除去する。【解決手段】プラズマ処理方法は、載置台の内部に形成された冷媒流路に0℃以下の冷媒を通流させながら、載置台の載置面に載置された基板をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、載置台の載置面に基板に代えてダミー基板を載置する載置工程と、載置台の載置面にダミー基板が載置された状態で、ダミー基板を介して処理ガスのプラズマにより載置面を加熱しながら、処理ガスのプラズマにより基板のプラズマ処理に応じた反応生成物を載置面の周縁部から除去する除去工程とを含む。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2019176031A プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019176031A
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2018063604
申请日：2018-03-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：鈴木貴幸 , ▲高▼山航 , 村上貴宏 , 深澤公博 , 早坂伸一郎
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683 , H01L21/3065
摘要：【課題】載置台の載置面への反応生成物の付着を低減する。【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理の対象となる被処理体が載置される載置面を有する載置台と、載置台の載置面に対して被処理体を昇降させる昇降機構と、被処理体に対するプラズマ処理が終了してから被処理体の搬送が開始されるまでの期間に、昇降機構を制御して載置台の載置面と被処理体とが反応生成物の侵入を抑制する間隔だけ離れる位置に被処理体を保持し、被処理体の搬送が開始される際に、昇降機構を制御して被処理体が保持される位置から被処理体を上昇させる昇降制御部と、を有する。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6498022B2 エッチング処理方法有权
公开(公告)号：JP6498022B2
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：JP2015087900
申请日：2015-04-22
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：冨永翔 , ▲高▼山航 , 五十嵐義樹
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/3065

8. 发明专利

JP6328524B2 エッチング方法有权
公开(公告)号：JP6328524B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2014175047
申请日：2014-08-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：斎藤祐介 , 長友優 , 菱沼隼 , ▲高▼山航 , 冨永翔 , 金子雄基
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J2237/334 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31144

9. 发明专利

JP6604911B2 エッチング処理方法有权
公开(公告)号：JP6604911B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2016124600
申请日：2016-06-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：工藤仁 , ▲高▼山航 , 戸村幕樹
IPC分类号： H01L21/3065

10. 发明专利

JP2017103388A プラズマエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017103388A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015236624
申请日：2015-12-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼山航 , 冨永翔 , 五十嵐義樹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L27/11556
摘要：【課題】シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との界面に生じる段差を除去することを目的とする。【解決手段】第1高周波電源が出力する第1高周波電力を用いてフッ素含有ガスを含む第1の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマによりシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をエッチングする第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1高周波電力を用いて臭素含有ガスを含む第2の処理ガスからプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記積層膜をエッチングする第2の工程とを有する、プラズマエッチング方法が提供される。【選択図】図5

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